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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑 ) E2 n; z/ q8 }
4 [. c, Y* w7 x' G+ V* o( v顶起!- m Y2 N0 h) F; R9 W* A$ Q% a! J
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧! @8 n8 l- L& ?$ k
0 N/ q" J0 n7 A- c. L- JSEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html* Y3 W+ l% {3 t. K
3 l0 t1 p7 Z2 s& _: `! O内容提要:
9 D) K6 |/ P, ^7 [李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 _8 l0 T: ]6 K1 q( k8 H# u
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 / F+ U9 a/ U: L2 S4 q2 r$ {
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
9 V9 ]7 o/ r* @" K5 J' ^( y第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
/ e- c+ z; F+ ?1.1 从Package到SiP的发展
9 F) {' m: v/ K* x( l- W1.2 Mentor公司SiP技术的发展
- l1 f( `' d3 V S! Q1.3 Mentor SiP设计与仿真平台
6 b c2 U- d) m- p1.3.1 平台简介 " w$ ~1 W: F7 q% p V! d9 K
1.3.2 原理图输入 ) a, c8 W# x; }# M5 k, ?4 ]
1.3.3 系统设计协同 - r0 B$ y3 L- G c
1.3.4 SiP版图设计 & `; ?" _" t& M& |4 m5 [2 Q, Z
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 - J( e2 T( T3 |- M+ Q' K
1.3.6 热分析仿真
" }& d2 k4 O" f! i' n1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 % C. b( e ~/ [- ]% I* F- S
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
# B9 j9 T4 ~) H+ Q4 L第2章 封装基础知识
( l0 {1 k& s1 B8 R; K2.1 封装的定义与功能 * I Y5 z8 ]6 s$ b0 Q: x' [) |' g7 [
2.2 封装技术的演变与发展
, _/ V: {5 ]3 Z2 c, P2.3 SiP及其相关技术
- Q M6 F0 q# p, d" O; @3 T2.3.1 SiP技术的出现 + I% Q9 T3 i! R4 y
2.3.2 SoC与SiP
$ Q4 D4 _8 w& M. }* ~- o2.3.3 SiP相关的技术
+ n: P: }$ M0 H6 {8 ~# h5 Q3 V2.4 封装市场发展 7 c7 ~: y5 B, r4 M2 g+ _* H& h
2.5 封装厂家
6 a7 \. `4 ^) h5 ]% i( _ i! t2 U- e/ X2.5.1 传统封装厂家 8 [! {8 u3 l z2 U
2.5.2 不同领域的SiP封装企业
- q# f4 P1 E6 I" b2.6 裸芯片提供商
" P! A( x8 \$ M# {6 w2 Z6 F' t第3章 SiP生产流程
$ L7 |' v: {! d2 D! I! v7 ~3.1 BGA—主流的SiP封装形式 . L3 K. j9 \8 V% u
3.2 SiP 封装生产流程
6 }- y( T9 D6 o) S# i- N7 D3.3 SiP封装的三要素 2 |. B9 c8 _' o. v$ [
第4章 新兴封装技术
& [+ m! w' F! b+ Y& \& y5 T4.1 TSV(硅通孔)技术
' s7 {& k* K0 b$ d, p) @6 p4 z4.1.1 TSV介绍
- g; B6 ?( \: G& \6 u4.1.2 TSV技术特点 2 [2 G: i' b* W! y0 t, Z) }
4.1.3 TSV的应用领域和前景 / [4 s8 s e2 H0 l
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 4 i: }% B: v$ D
4.2.1 IPD介绍 " ]7 b* A# H ~$ `6 v% t) n
4.2.2 IPD的优势
5 x. B& k9 R- H1 g( L3 I: n4.3 PoP(Package on Package)技术 0 ]0 \8 H4 _: [* I
4.3.1 3D SiP的局限性
8 V2 q7 M8 w2 u8 ~4.3.2 PoP的应用
3 t; ^# S6 a9 B. c, d5 h4.3.3 PoP设计的重点
+ g7 F9 @; J. K4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) # w1 N* R/ [7 P" r% [, j
第5章 SiP设计与仿真流程
9 t7 V/ S, |) t. J/ @6 ^9 C# K! l5.1 SiP的设计与仿真流程 3 y3 R$ c5 G7 l. b' t6 R2 N, c
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
9 [5 Z( _ [6 C! L! Q9 ~5.2.1 库的建立 2 T4 K- K! J6 M$ |# U0 _
5.2.2 原理图设计 ( p. h1 {# u8 K3 w
5.2.3 版图设计
% b( T+ N( V' z0 {3 ^/ J5.2.4 设计仿真
) X" O7 N- y. ~. w: c& e/ L第6章 中心库的建立及管理 ; Z6 E2 L& {. S1 j( d9 K/ f% L
6.1 中心库的结构
2 |2 o: X) S2 R* @ K; q6.2 Dashboard介绍
8 U$ {2 m# Z& G: O" O1 L: N6.3 原理图符号库的建立 " _5 L" y$ C3 O- J/ `/ z
6.4 裸芯片Cell库的建立 / \; K/ }2 X% O* W7 y
6.4.1 创建裸芯片Padstack
6 e7 @: M$ S" X) W4 W6.4.2 创建裸芯片Cell 4 f+ k$ y7 O0 }4 }, N( @( W! v% [
6.5 BGA Cell库的建立
^5 M# Y6 M$ U1 j1 Z8 J6.5.1 创建BGA Padstack
6 ^6 v8 j, C/ o3 _& D4 P" ^6.5.2 手工创建BGA Cell
5 z% \; O' `- y+ b5 x9 T6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell
1 m& O# M- |2 d% V! I6.5.4 LP Wizard专业建库工具 : d9 [ J% w: T N+ P( L8 D
6.6 Part库的建立
* H# K6 e" }9 @3 u- {. R! Y* ^6.7 通过Part创建Cell 0 B& j3 @( _2 \1 W1 v% ^
第7章 原理图输入 3 J, F$ o2 a" E; {8 C, m
7.1 网表输入
$ F$ Z7 g& g0 Q: p: q7.2 基本原理图输入
3 i3 u7 m: c# I0 k3 ], q# u Q2 |, D7.2.1 启动DxDesigner L, T8 W6 n6 c
7.2.2 新建项目
! i; l+ C# ?% V6 @ _" O9 p% S( m7.2.3 设计检查
+ Y( N. a2 }+ w: ~. x! G! D B7.2.4 设计规则设置 ) i3 P% h9 S9 k7 t
7.2.5 设计打包Package : U, |5 i9 ^" P3 Q) p% |
7.2.6 输出Partlist
9 e; V) K( m' v% y3 P( {7.2.7 原理图中文输入
: s1 o/ z5 t3 i2 u! `7 h7.2.8 进入版图设计环境
: W4 H; x1 q, I8 O7.3 基于DxDataBook的原理图输入
6 D( |# H7 _( L: [( {7.3.1 DxDataBook介绍
% e( Y# t* f& e0 X0 {% J7.3.2 DxDataBook使用
0 e& f$ A( [# `7.3.3 元器件属性的校验和更新
/ ]- S M/ M s/ s* W第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 # ? o7 k- s4 ~' b( e
8.1 多版图项目管理 0 Z* b( k( w' M+ ~5 ^9 o, K
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 : J. ~7 v) S P2 s
8.1.2 多版图项目设计流程 3 ~; a+ j3 V- L: ?" e# O
8.2 原理图多人协同设计
) [: D$ r4 w0 @) [* B8.2.1 协同设计的思路 3 ^7 U/ o" A) Z3 P5 C2 d
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
& y$ ^" f( X2 K6 R/ T2 X第9章 版图的创建与设置
9 r" x' t5 G' \) V9.1 创建版图模板
5 I \5 ]9 ?9 ~/ w7 m9.1.1 版图模板定义
1 M' P7 C3 u5 M2 j% X z) y2 S9.1.2 创建SiP版图模板 # t& u( V: X$ \/ q! {0 n
9.2 创建版图项目
! C" i7 `6 k6 V' D! @9.2.1 创建SiP项目
' `2 [- w$ c8 M( x$ e) P9.2.2 进入版图设计环境
0 z% \3 Z) K5 }7 W3 d9.3 版图相关设置与操作 4 _* B3 N0 M, y$ n& a
9.3.1 版图License控制介绍 - f+ ~( C7 w7 x u1 Z
9.3.2 鼠标操作方法
$ j5 L/ n* Q" B. M7 Z9.3.3 三种常用操作模式 ) b4 X' Y, ~, E! s1 i+ x; a
9.3.4 显示控制 Display Control 6 }1 ?) L _! v; J+ ^$ f) t& w4 f
9.3.5 编辑控制 Editor Control
/ S2 j( I ?) Z: {9.3.6 参数设置 Setup Parameters ( D0 I$ m. C z8 q9 |0 Z
9.4 版图布局
7 _$ e, b; F$ z7 z9.4.1 元器件布局
8 F0 C, M6 }8 @& B) n+ L2 B9.4.2 网络自动优化 1 r0 R! ^9 ]# Y0 [8 ~" ]
9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View , g P4 T% p: H) B
9.6 版图中文输入 5 k X; w4 A* r& s- h. Q/ c
第10章 约束规则管理
1 L) t E0 ]/ N% R10.1 CES约束编辑系统 `$ [& t9 U/ U/ K; q' t; a! l6 t6 g4 f
10.2 方案Scheme ! K" ^6 g7 H9 p/ @0 D h& D7 d: n
10.2.1 创建方案Scheme : M: P: S7 {2 t3 f& H7 m* P
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 5 k- b" N4 x5 J* x! B
10.3 定义基板的层叠及其物理参数
' u+ K9 m! Q* e+ ?# c# V10.4 网络类规则 Net Class 9 G, d" [3 }4 c
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类 ; F7 @# Y5 [- G0 F& j4 r4 _2 W
10.4.2 定义网络类规则
5 l1 `6 I- _% G/ q! Q |8 e10.5 间距规则 Clearance / Q7 h' Z# ^( v% P. V2 {
10.5.1 间距规则的创建与设置 3 F' S N2 |2 n
10.5.2 通用间距规则 3 W: n1 M$ K& V1 g
10.5.3 网络类到网络类间距规则
. x I; l( g+ N# I; k3 Q10.6 约束类 Constraint Class & H2 ]' j# Y# _( k7 C. _
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类 n$ j; ~. L; [, y- r3 M
10.6.2 电气约束分类
; K8 _' e) ~) C C10.6.3 编辑约束组 1 c h; X: g) \' @
10.7 CES和版图数据交互
3 I& |- _$ \, H. k第11章 Wire Bonding设计
4 H# `7 _. c! {11.1 Wire Bonding概述
$ m c7 B. ?0 f1 g11.2 Bond Wire 模型
" P- X2 x% d' x# e0 J: J X$ h1 |4 h11.2.1 Bond Wire模型定义
* s- ^, _/ [( I! H5 n0 B11.2.2 Bond Wire模型参数
- u, O: A- x" l6 O; w11.3 Wire Bonding工具栏及其应用
6 w( N3 y/ Z) s$ ~ [! d; _1 G$ _; w0 q11.3.1 手动添加Bond Wire
& \, n1 C+ w8 ?8 |6 j- R1 ~' u11.3.2 移动及旋转Bond Pad
2 g8 z* T. p m- r! Y( T- j11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring ' B# H# E* {2 b" Z# Y
11.3.4 Bond Wire规则设置 & g# _+ J8 g3 W0 b5 g/ T/ [
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor # i% o6 I$ n' v& U: p8 w/ I
第12章 腔体及芯片堆叠设计
) L8 p( ?/ O" w! I+ N12.1 腔体Cavity 9 t3 \" n, W, g1 |( K4 M5 h8 N4 O* R
12.1.1 腔体的定义
% Z& E0 m' d1 T& {12.1.2 腔体的创建 6 E. r2 i, Y+ ^9 t0 L* C, `
12.1.3 将芯片放置到腔体中 ( T/ U; ]$ w+ q" l; H# Y/ |. r" j; w
12.1.4 在腔体中键合 & V+ b% M) B. s4 c
12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板 % x1 J% H: E/ w# J) q
12.2 芯片堆叠
$ [, H4 u2 P7 Q, s" ?12.2.1 芯片堆叠的概念
3 c; V* c+ {( O" `* U$ u( s3 ^12.2.2 芯片堆叠的创建
& q' x o0 R" [& x' o12.2.3 并排堆叠芯片 / e0 E/ O- G( m# C5 c
12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置 ! p4 Z" y" i6 N: ]0 q, R3 b2 n/ Q
12.2.5 芯片堆叠的键合 - I9 |7 F0 |/ d
第13章 FlipChip及RDL设计
- g' @, m) `; {2 n/ J% n13.1 FlipChip的概念及特点 $ B6 V0 Z& m3 ^
13.2 RDL的概念
( {3 t/ r8 E( Z& F, X13.3 RDL设计 , Q7 M2 S |- p# j% g+ s# o) f
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立
; B& \" N* f* S' o, S- }13.3.2 RDL原理图设计 ; f# V7 Q1 J; W4 n5 [
13.3.3 RDL版图设计 - e$ p6 S6 f4 V! V
13.4 FlipChip设计 1 z* U/ u8 w5 k" G4 |
13.4.1 FlipChip原理图设计 - ]( |# l4 i6 K
13.4.2 FlipChip版图设计 ; E2 D- O& C5 |& g
第14章 布线与敷铜
$ T8 X- Q5 ?' U! ], [& l$ x14.1 布线 : F6 Z M2 l6 N- \( w1 d% d# q
14.1.1 布线综述 ( b5 d$ N3 b/ D) ?& }
14.1.2 手工布线 4 A$ q6 t8 j4 P1 }% T0 c
14.1.3 Plow布线模式 8 P& U A: a) {+ Z, R* a
14.1.4 Gloss平滑模式
2 M- f; s7 B! Z- J14.1.5 固定Fix和锁定Lock
% W4 T0 p+ z( c14.1.6 层的切换 G8 |% i3 H4 }: M( b" N% O
14.1.7 移动导线和过孔
W5 B$ v7 d% F' H% h% [14.1.8 电路复制
: e* _! F+ `- M3 ^( u$ ?* {14.1.9 半自动布线
- R6 O9 Q8 ?. ]: V* L14.1.10 自动布线
' p/ U j# C1 D3 r( f14.1.11 差分对布线
& U! \8 U" L3 R! P14.1.12 长度控制布线 0 ]# v% z3 ]7 W7 z$ B
14.2 敷铜 9 Z1 x9 j" n. p S p0 z9 `2 a$ U7 ?; y# D
14.2.1 敷铜定义
; I; ?& a4 r9 v" I" u- E14.2.2 敷铜设置
& P( h9 n1 H+ m. \14.2.3 绘制敷铜形状
6 P7 E' [% N2 B0 s$ Q0 }14.2.4 修改敷铜形状 & S9 H" ]' [/ o9 p, y" U6 ]
14.2.5 生成负片敷铜
3 o* P6 P" H' o$ y* h) B14.2.6 删除敷铜数据 2 L, `% N# J: m; W- K
14.2.7 检验敷铜数据
/ R4 u+ H3 r5 S# I第15章 埋入式电阻、电容设计
- u0 O0 }$ w- C6 d' m4 E0 L3 V15.1 埋入元器件技术的发展
* H8 w' w$ o q( E3 i15.1.1 分立式埋入技术
U- _0 |+ _7 }6 c; x3 R15.1.2 平面式埋入技术 0 P, F! R' @4 G1 t/ C. `
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
: p* K% ]- s8 O. Y15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes
, A7 c$ F s& Z15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
8 d: ~ p( D; V! N, S9 |0 Y* Q15.2.3 电阻材料的非线性特征
, M, C" H4 n; r( U15.3 电阻、电容自动综合 / H4 G7 g3 Q' A( Q2 ?
15.3.1 自动综合前的准备
9 j+ W0 g4 ?% A! J2 Q15.3.2 电阻自动综合 % f7 e8 F5 T& d9 z+ F
15.3.3 电容自动综合
; D6 | ?3 ^2 P S1 |# ^" O第16章 RF射频电路设计 & S1 E) k# I2 a A7 t! R+ G
16.1 RF SiP技术 2 O$ m& ]. H* ?8 d
16.2 Mentor RF设计流程 3 F: {5 I3 U3 y+ i/ P& N
16.3 RF原理图设计 9 [9 T: C5 h% g) @ H
16.3.1 RF元器件库的配置
4 y ]( a* L$ T......9 k5 O4 [3 s8 I
0 b" U; A) @0 o( z. Q6 B
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