《Mentor SiP系统级封装设计与仿真》出版与技术答疑！

sexfei · 发表于 2012-12-12 13:23

李老师：不知能不能简单说一下制作bondpad的规范（大小等）；bondpad间距设置等；bondpad距离DIE pin的间距最好控制在什么范围（最远、最近），bongpad距离管壳边缘最好控制在多大距离（涉及DIE封胶），谢谢

li_suny · 发表于 2012-12-12 14:27

sexfei 发表于 2012-12-12 13:23 5 S1 t" J# _; r% ? ^1 b
李老师：不知能不能简单说一下制作bondpad的规范（大小等）；bondpad间距设置等；bondpad距离DIE pin的间距 ...

这个通常和生产厂家的工艺能力有关系。

例如bondpad 大小有150*75um，200*90um，300*100um或者更大，塑封Bondpad一般用椭圆形的，而陶瓷封装多采用矩形的或者不规则形状的Bondpad。间距通常和Bondpad的宽度差不多。

bondpad距离DIE pin的间距最远受键合线结构限制，一般不超过3.5mm,最近和芯片高度及键合机的能力有关，这在设置时和生产方要充分沟通。
和管壳的距离也是如此。主要看在那里生产，相应的规则设置也会不同。

xiesonny · 发表于 2012-12-14 14:25

本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-14 14:30 编辑

问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以复制的轮廓，到我想剪铜时再剪铜，如何实现，
我试过“-”那种方式，不方便使用，另外，实用工具中也有一个剪铜功能，但那个方式，是一剪就出来效果了，

li_suny · 发表于 2012-12-14 17:40

xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25 6 d* t2 {2 M5 @$ g% {2 u
问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以 ...

你可以先绘制一个Draw Object类型的图形，只要这个图形是封闭的，无论形状多么复杂，都可以转换成铜。这个图形也可以复制（按住Contrl拖动就可以）。然后选中图形，在属性中直接更改为 plane shape 或者 Conductive Shape即可。

li_suny · 发表于 2012-12-15 14:49

本帖最后由 li_suny 于 2012-12-15 14:53 编辑

xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25 & \$ D& n. U \: D+ m
问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以 ...

看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换成Draw Object问题就不会有了。当然Draw Object需要绘制成封闭图形（polygon）。

参看下面两图。

xiesonny · 发表于 2012-12-15 15:13

li_suny 发表于 2012-12-15 14:49
' s8 H5 c+ X* R: L. ?5 U看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换 ...

谢谢，我再试试

xiesonny · 发表于 2012-12-15 15:40

本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-15 16:39 编辑

li_suny 发表于 2012-12-15 14:49 . f4 I. X6 T9 \2 Z
看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换 ...

2高亮部分如何挖空1

问题就出在封闭图形上。上图中，高亮部分如果切开一个小口，就能挖空了，问题是，这样的图形就无法挖了吗、

li_suny · 发表于 2012-12-15 22:26

xiesonny 发表于 2012-12-15 15:40
# n# q0 a/ G' d; V2高亮部分如何挖空1

这种图形我试了一下，确实无法用加减法处理，我想主要原因是这是非多边形，所以无法挖空。

可以用先挖外边，再添内部的方法，稍微麻烦了一点，也是一种变通方法。

xiesonny · 发表于 2012-12-15 23:25

li_suny 发表于 2012-12-15 22:26
! p. a2 h1 J5 P3 B8 a这种图形我试了一下，确实无法用加减法处理，我想主要原因是这是非多边形，所以无法挖空。8 S( d2 H1 z0 r+ O8 h

9 P8 E' L* L& v可以用先挖 ...

呵呵，谢谢李老师的回复，如你所说，要挖出这样的效果是可以的，只是操作麻烦了

li_suny · 发表于 2012-12-17 13:14

yth0 发表于 2012-12-10 13:35 6 }5 h0 ~8 M9 e1 ]' D
嗯，谢谢李工。还有个问题想请教一下李工，我在电子工程网上提问过，但是还是没有好的办法：http://www.e ...

我试了一下，这个矛盾可以参照以下方法解决：

还是依照你现在的建库方法，做成一个Part Number，然后再在Dxdatabook中添加器件的其它参数区分不同的阻值等。

在用Variant Manager的Replace功能时，除了Part Number外，把用于区分的其它参数也加上，就可以在Replace时有参照了。
参看下面两图：

dzgking · 发表于 2012-12-17 20:17

请教一下李老师，我Allegro导入Expedition一直不成功，用的是Mentor的工具和方法，Allegro 是 16.5的版本，Expedition 是 7.9.3的版本，不知跟版本有没有关系？
在Allegro里报了很多有关layer的错误，明明有的layer，报告说没有，让查看stack_up；然后用Mentor的Allegro2Expedition工具，报错退出。看userguide也没找到解决办法。

li_suny · 发表于 2012-12-17 20:54

dzgking 发表于 2012-12-17 20:17 8 n: V* M( C8 J; ~) N4 a
请教一下李老师，我Allegro导入Expedition一直不成功，用的是Mentor的工具和方法，Allegro 是 16.5的版本， ...

应该是Allegro 的版本太高的原因，你另存一个15.5版本的试试。

李泽尚 · 发表于 2012-12-19 09:39

单纯的顶帖，为的只是不让这个帖子沉下去了。

yth0 · 发表于 2012-12-19 14:41

li_suny 发表于 2012-12-17 13:14
) `7 R7 q2 B/ [5 ^+ \我试了一下，这个矛盾可以参照以下方法解决：0 r) Z& T+ b( m. u
! x' x& R( n" G
还是依照你现在的建库方法，做成一个Part Number，然后再 ...

呵呵，谢谢李工。不好意思啊，我上面忘了说清楚 Variant出的什么问题了。你说的那个方法我试过，但执行Greate Variant/Function Schenatics后，在生成Variant原理图中，器件并没有替换成你想要的值，而是被替换成part number是相同的随机一个器件，比如你图示的例子，他可能被替换成1N4001、1N4003、1N5817等，当然也有可能被替换成1N4007。你多试几个看看是不是能保证每次都能正确的替换成想要的。
个人感觉还是因为很多不同的器件用了相同的part number，而替换后他只能存储part number，看下图，替换后还是显示的part number （RES2012），根本看不出来器件的值是多少，所以在Greate Variant/Function Schenatics后，随机（或者是选择第一个？）用了一个part number 是RES2012的电阻。

另外吐槽一下，现在EE里面的属性搞的很乱，什么part number 、partnumber（我得Variant Manager的Settings里默认的属性就是这个）、DEVICE（这个大概是从老的viewdraw延续过来的吧），都结合这么长时间了，就不能好好整理一下吗？

yondyanyu · 发表于 2012-12-19 21:26

顶楼上，刚学MENTOR搞的我头晕！

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