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本帖最后由 jimmy 于 2010-5-7 12:11 编辑 $ X# B; P. U) r! v: H' p
* W# K% s- T$ q& x# dlayout DDR2 Dram 需要注意那些地方 那些線需要等長
A; c; c) e/ W5 @/ q
3 g7 B* Z- b$ G, S% F7 B- y不知那邊可以找到相關資料
- a' }2 }2 A. v4 h& q
. F* s4 x+ X. o. Q* G7 _* \- v2 Y" {3 X
jimmy:7 {, f& p( y C" }) I1 d7 v. G
+ F' J" Q* \ i2 {: |% f
1,等长
6 ~) q9 l+ u: m' e4 D
; A- O4 A0 V2 M7 t* q- y需要等长的信号线有:
* e, c/ W+ L3 za,数据总线
/ O& [3 d- r9 |, A; k8 {% bb,地址总线
& {* _- O9 b8 C M ?c,控制线( Y" L* Z) g! j w
d,差分时钟
: h8 I2 d5 C* c n
1 Y7 C$ D9 ~, Y4 n8 o2,完整的参考平面,包括电源平面和地平面,千万别跨区
5 t% f" |& _" D- F9 a1 R0 ]. w0 A, R) v# D$ D) `4 [6 o
3,特性阻抗连续
+ V) T( Q# ^/ [3 x$ d
* W6 X) K- f4 p通常单端50欧,差分100欧
2 `- K9 z+ D& p4 b# Y6 Q* r7 m3 o
6 w7 F' j* B2 @% _4,3W原则
7 G! `. {! ~, F; Q0 z& E* T8 ^( S3 G% W z# Y
5,蛇形线原则
7 }7 I$ H( ?! ~' O4 M8 r8 \/ `1 s V) O. {5 j
尽量加大平行线段之间的距离9 h& R; Z$ d: g, R
: A J \8 V: p2 i0 [ [ Z7 D4 \% P
尽量减小耦合长度
. M) H$ B* ?- x. z! C7 \' E" B8 \) P/ i" @
9 ?; D- \) z0 A8 l
5 Y/ h2 y6 `( S+ W- T" n
6,参考电压DREF布线要足够粗,推荐>40mil |
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