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MOS 电平转换电路故障

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 楼主| 发表于 2025-4-17 23:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图MOS 管做电平转换,双向电平,3.3V 与 1.8V 转换。出现问题是输入0电平的时候,输出电平是0.63V. 根据VSD 曲线查询,ISD=1.8/2200=0.8mA , VSD=0.6V , VGS=1.2V(实测1.17V) 大于VGSth MAX(1.1V),  为什么VDS 无法完全导通? VS 为什么不是0V?! y/ }' d* J4 D5 j) z8 J  o8 F5 E0 ^) z

IO 电平电路问题.png (140.19 KB, 下载次数: 7)

IO 电平电路问题.png

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請給 MOS 管完整規格書或完整型號。^_^  发表于 2025-4-18 07:34

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超級狗 + 5 此路不通改道費用!

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发表于 2025-4-18 11:37 | 只看该作者
本帖最后由 bazhonglei 于 2025-4-18 11:42 编辑
! _. a9 f: r7 Y, c( q" r- [$ h9 S4 }; r9 ]7 I! u* x! w) `
输入为0,由于VGS=0,MOS管截止,但是由于体二极管的存在,导致VS=0.6V,此时VD=0,VG=1.8V,VT=1.1V,VGD>VT,mos工作在可变阻区。

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个人觉得,小电流时,二极管压降随电流变化比较明显,不能简单的定义为0.6V;只能说有可能处于饱和区,具体值需要知道MOS管工艺参数假设处在某个区来计算。这种最好实测或者仿真,要不就留大余量。  详情 回复 发表于 2025-4-21 13:46

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超級狗 + 5 「變形金剛」特別獎!

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发表于 2025-4-21 08:50 | 只看该作者
3. 手册中明确写的东西肯定是对的,但是没有的东西不能说是错误。图表中只标注到了最小gs电压2.5V,意思是2.5V以下可能满足要求,但是不保证满足要求。

/ ?0 i, P' y9 q意思是 2.5V 以下可能满足要求但是不保证满足要求
! k/ j3 B! m+ F9 t8 S( I6 {- Z5 g& `# d! c
龍大狗然是論壇中流砥柱,您點到重點了!+ l% a6 ~+ W0 \) O/ H9 Y6 j
. u8 J! D8 ~3 T: v" q; k' T

- j* B; ?/ K" s6 y1 i+ y; L

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狗版主,你是老江湖了。致敬。  发表于 2025-4-21 09:04

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发表于 2025-4-21 08:41 | 只看该作者
radioes8 发表于 2025-4-20 22:38
4 v' }( _3 P+ T& O: P* C$ U  u看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?
) a6 [) D6 i4 H9 d  v: x1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS ...
) I, w8 ]$ E. @6 r0 ^$ x' e* b
知道问题在哪了。但思想还没完全搞对。
$ H- s3 }' X" Y* p$ z+ d针对Id,Vds(Vgs)这个图需要仔细理解。0 q/ {1 E2 y8 y7 e5 F4 Y' J! M
1. 这个图表示在给定的gs电压下,Id和Vds电压的关系。$ o, k) h7 X: g
2. 有的手册中给出的gs电压最小是2.5V。可能有两点:第一他们完全就是从2.5V开测试的。第二测试了低于2.5V情况,但是忘了放上去。你觉得哪个可能性更高?
# _$ K# A$ ~/ Y% O7 N, c3. 手册中明确写的东西肯定是对的,但是没有的东西不能说是错误。图表中只标注到了最小gs电压2.5V,意思是2.5V以下可能满足要求,但是不保证满足要求。
9 b- z8 s0 ~  {" R& g6 I8 \# Z5 ?# D+ y4. 从逻辑上说导通电压阈值1.1V。但不是说1.1V完全导通了并且导通压降就能满足你应用的要求。3 _7 j' ?7 ^1 |1 Z3 \' S5 D

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发表于 2025-4-20 23:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 16:02 编辑
1 H  g! f* l; M% D4 g  {6 s
radioes8 发表于 2025-4-20 22:381 j2 `! u# N; }4 t
看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?3 T4 A6 b  O/ s
1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS ...

4 G$ L! i% Q* A4 `+ }2 n樓主大人:; x  ?" U# @8 J" v2 O& H7 w
要詳細寫得花點時間,我找時間再給完整的答覆。但可以給您幾個提示,您先想一下!
# S! {/ t. A, X3 r
( r) _. @2 `4 N+ U. y" @8 M$ x
  • 臨界電壓Threshold VoltageVGS(th) 的定義是什麼?
  • 您選了一顆臨界電壓Threshold VoltageVGS(th) = 1.1V Maximum 的 MOS 管,但為什麼通道電阻 RDS(on) 的規格它只標示到 VGS = 2.5V?(這是我說剪貼內容有蛛絲馬跡可尋的地方)
  • 我想看完整的規格書,也是想確認 VDS v.s. ID 曲線是否 VGS 最低也只標到 2.5V
  • MOS 管導通時是在 VDS v.s. ID 曲線的什麼地方?
    1 E0 X$ W( |4 ]+ T. h: w  d
- J% p  V( O% O/ |2 L( l9 Q
四個問題若能想通,問題自然就解了!
$ @) ]# K5 J/ S; F1 G8 _" ~; }& T
您選臨界電壓Threshold VoltageVGS(th) < 1.8V 的型號觀念上沒錯,關鍵是這些器件規格定義太坑爹,很少人會注意到!
, a7 c3 k5 g9 c- L' l7 O1 Y9 ^& u" x1 w
& G( c8 [# G  O0 H" V& I$ |* k

! S- `! o2 |2 X$ ?- o% w0 ]$ ^6 E

MOSFET Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (36.29 KB, 下载次数: 3)

MOSFET Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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小弟一開始請樓主比對暗蝦密(On-Semiconductor)NTA4153N 的規格,看能否發現一些差異,現在您再看一次、就會有感覺了!  详情 回复 发表于 2025-4-21 12:14

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6#
发表于 2025-4-18 08:02 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-18 08:25 编辑
6 B  ]0 C$ o% s+ J* g5 d1 c: o" O/ r# o* n1 a
  • 請參閱一下面這幾篇討論:3 e, F  b6 ]& [
    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=7715902 |# K1 X" L$ k. U$ y  S9 h) r
    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=771697
  • 您剪貼的規格書片段,還是有線索可循,再多看幾遍。
  • 小弟以往任職過的爛公司,都是用暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N,動作上沒出過什麼問題。比對之下你能發現什麼問題或差異?
  • 多數攻城獅都喜歡抄這電路,而大家也都秉持會動就好的原則,從沒仔細去量測過 I2C 訊號,但其實它在 1.8V 下工作是有風險的, ~2 H8 O) E; ]% X) K

5 }5 I/ Y) ]( j/ U- K8 l( w2 N1 ^3 N8 i! h; s7 A
8 f6 V, J- g* ^1 P$ R8 ^$ `

1 B4 s0 l! e) c. R2 V

On-Semiconductor NTA4153N.PDF

365.8 KB, 下载次数: 6, 下载积分: 威望 -5

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看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗? 1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS-VGSth) ,目前设计VSD 是一直小于0的,所以没法满足这个饱和导通条件 2. 目前设计是遇到个例不良。就我自己  详情 回复 发表于 2025-4-20 22:38
樓主大人: 提醒一件事!暗蝦密(On-Semiconductor)NTA4153N 特性雖好,但它是 SC-70(或稱 SOT-416) 封裝、比 SOT-23 還小一點。 如果您要 SOT-23 封裝,小弟倒是建議虐死批你呀(Nexperia)BSH103,這顆規格  详情 回复 发表于 2025-4-18 15:06
狗版主果然牛。Vds最小电压就是0.6V。这个参数太让人误解为二极管导通了。 实际上可能mos已经完全导通了,但是参数选择错误给人造成误解  详情 回复 发表于 2025-4-18 09:15

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7#
发表于 2025-4-18 08:33 | 只看该作者
iic工作频率多少?这个电路很多资料都说能到300K+,但是上了100K最好弄示波器看下波形。以前在uart的115200吃过亏

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8#
发表于 2025-4-18 09:15 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-18 08:02
  • 請參閱一下面這幾篇討論:1 _* `; O1 d2 A9 g9 [( g2 c: |, o$ o
    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=771590
    , Y# Q; }5 o* F8 t$ Thttps://w ...
  • & @) U9 I) u8 }
    狗版主果然牛。Vds最小电压就是0.6V。这个参数太让人误解为二极管导通了。0 H& V4 k" d; H% E. J
    实际上可能mos已经完全导通了,但是参数选择错误给人造成误解: S+ |% e  e/ z9 T# z$ W# n0 k

    点评

    谢谢分享!: 5.0
    【補充說明】:其實是我同事痛過,領導要我去幫忙挑糞。>_<|||  发表于 2025-4-18 11:35
    谢谢分享!: 5
    我是跟哥一樣,曾經痛過!>_<!!!  发表于 2025-4-18 09:25
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-7-7 15:38
  • 签到天数: 83 天

    [LV.6]常住居民II

    9#
    发表于 2025-4-18 10:34 | 只看该作者
    本帖最后由 db-_- 于 2025-4-23 10:28 编辑 2 p6 ?5 j5 D4 X$ w8 p9 ^

    2 B1 w2 I; c+ \. d怎么写啥都是不良信息呢。想修改一下信息,发不出来。

    点评

    第二条你搞错了。ds压降是由电流决定的,不是反过来。从设计理论上来说,ds压降是不需要的,只是实际生产工艺不行,有内阻存在  详情 回复 发表于 2025-4-18 11:10

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 勇於說出自己的想法!

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    10#
    发表于 2025-4-18 10:48 | 只看该作者
    学习了,谢谢

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 代頒黨中央書卷獎!

    查看全部评分

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2025-4-18 11:10 | 只看该作者
    db-_- 发表于 2025-4-18 10:34
    ( I2 E. P9 @/ C5 J  ?. O& l向大佬们学习了一下。我认为可能是这样的。. I) B' }) |: l; U* I0 }1 R. b7 b2 b
    1、输入3.3V,输出1.8V,VGS = 0,进入截止区。输出完全由上拉 ...
    % H  ?. r# R  ?) A
    第二条你搞错了。ds压降是由电流决定的,不是反过来。从设计理论上来说,ds压降是不需要的,只是实际生产工艺不行,有内阻存在
    2 H' D7 j9 [+ M! E# k' j; [

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2025-4-18 12:07 | 只看该作者
    樓主大人:
    & N! w* ?8 d! y0 a6 z% H當年同事的電路上好像用了 2.2KΩ上拉Pull-Up)電阻,記憶中我們調到 240Ω 才會動,但這樣就耗電了。
    3 V3 P6 {  }! \9 P- N  y9 X1 [/ W7 ~# d+ J
    4 k( z9 X. k9 `9 T& D; ^如龍大建議,挑顆特性好一點的 MOS 管才是正解,但可以當實驗試試看。; H# B  O6 `9 |4 _$ m8 M
    ; J  H4 @) q/ j! i
    還好當年那個計劃沒量產,我只是幫同事免除被領導凌遲的災難。
    6 F1 r! y# a+ r. q, m( f2 ^3 @' @* [* U$ w$ |
    / \. l2 l+ |; R+ t# C; T+ g

    % [  f: n+ ~! \9 r, u1 L# x5 L

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    13#
    发表于 2025-4-18 13:27 | 只看该作者
    其實暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N 是當年師傅他們選的,作為徒弟、我們大多也是照抄沒去多問。1 f+ l- ^8 T$ f& V' x5 P0 ~5 ]* w

    6 I- J# ?" [7 u3 z今日有人提問、再去翻一下規格書,這顆的特性真的是好呀~業界幾乎無人能匹敵!
    ! ~2 I  T! m" |1 ^# ^) A4 p
    ! p. W' t; H' \7 U4 T' s5 W4 L1 z: Z! r$ d  d+ V

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2025-4-18 15:06 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 15:40 编辑 % O9 U$ ^$ c2 V4 \8 t
    超級狗 发表于 2025-4-18 08:02請參閱一下面這幾篇討論:
    - G) R7 A+ Z$ e* g/ Q3 rhttps://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=771590! N# m$ I( k' S
    https://w ...

    & O7 V$ c  u  n" n% f樓主大人:
    " `& W' Z" W$ A' @  ?4 }3 Y; h提醒一件事!暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N 特性雖好,但它是 SC-70(或稱 SOT-416封裝、比 SOT-23 還小一點。  ]% w. C' U# q7 V. S  I- x

    ; K" n+ f1 ^0 j- Q' U如果您要 SOT-23 封裝,小弟倒是建議虐死批你呀NexperiaBSH103,這顆規格書上有特別寫到下列特性。. ]4 C- y: b) y! L; [: d

    : P9 n, c3 v* p4 N; D# iGlue-logic’; interface between logic blocks and/or periphery.) f+ p1 ?% j  X- D6 c
    針對周邊邏輯介面應用!9 D! ^# J" v9 u" m! F* G- i

    8 u) }$ S7 P0 J: d我們習慣上是抄師傅的設計,所以一直沿用暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N* x) s9 ~  W4 w6 J6 q7 k3 u+ v
    3 l2 c$ E; `. ^! l2 ~
    % u4 {& ]1 e1 n- h+ P
    # S% _2 v5 i- Z. Z& }! F/ J
    " k9 O2 R9 d; x3 A

    Nexperia BSH103 On Characteristics.jpg (59.23 KB, 下载次数: 2)

    Nexperia BSH103 On Characteristics.jpg

    Nexperia BSH103 Vds v.s. Id Curve.jpg (39.17 KB, 下载次数: 2)

    Nexperia BSH103 Vds v.s. Id Curve.jpg

    Nexperia BSH103.pdf

    78.71 KB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

    该用户从未签到

    15#
     楼主| 发表于 2025-4-20 22:38 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-18 08:02
  • 請參閱一下面這幾篇討論:
    " }* U, }5 n5 c" hhttps://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=771590
    5 w6 O8 b# r1 Vhttps://w ...
  •   @' M) ]5 T& G/ {# U
    看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?
      `3 N5 @, S% M  n/ \) D& _0 w1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS-VGSth) ,目前设计VSD 是一直小于0的,所以没法满足这个饱和导通条件
    8 Y, i. r4 ~" y0 \8 _& ^2. 目前设计是遇到个例不良。就我自己的角度,觉得哪里有问题,但是没找到具体哪个参数不匹配。$ X! N( M7 N: L3 H% ~% R

    - I# Z; Y! P2 [+ S: h* x/ L

    点评

    狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易,咱們就先從臨界電壓(Threshold Voltage)的定義及測試方式開始吧! V 和 V v.s. I 曲線都是用 SMU (Source Meter Unit) 量測的。 MOSFET 臨界電壓(Threshold Voltage)V  详情 回复 发表于 2025-4-21 11:12
    换个思路!假定MOS管截止,输入为0,那么VS是不是0.6V?那VGS就是1.8-0.6=1.2V,你的手册上VT最大1.1V,是不是很接近?另外你的MOS管显然要工作在开关模式,要工作在左侧和最下面两个区,也就是电阻区和截止区,条件  详情 回复 发表于 2025-4-21 10:14
    知道问题在哪了。但思想还没完全搞对。 针对Id,Vds(Vgs)这个图需要仔细理解。 1. 这个图表示在给定的gs电压下,Id和Vds电压的关系。 2. 有的手册中给出的gs电压最小是2.5V。可能有两点:第一他们完全就是从2.5  详情 回复 发表于 2025-4-21 08:41
    樓主大人: 要詳細寫得花點時間,我找時間再給完整的答覆。但可以給您幾個提示,您先想一下! [*]臨界電壓(Threshold Voltage)V 的定義是什麼? [*]您選了一顆臨界電壓(Threshold Voltage)V = 1.1V Max  详情 回复 发表于 2025-4-20 23:35

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 勤奮好學!

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