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[仿真讨论] DDR2数据线调试问题

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1#
发表于 2012-9-18 14:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近自己画了一板子,主芯片是DM365,DDR2内存芯片是MT47H64M16BT-37E。首先板子上的其他部分,电源、晶振、串口,网口等都已经正常了。目前调试的时候遇到个不能解决的问题,求大神指点啊!现象如下:
; i6 J* v/ Z1 ]1、数据线低8位能正确读写,高8位不能,在每次断电重启的情况下,高八位的读写结果不同,随机的。
, A' y4 z3 a! n* K2、地址线是正常的,我是在屏蔽高8位读写结果的情况监测地址线的,全部遍历64M空间都能正常读写。
) n1 D, f6 \* C9 H& L/ n3、用示波器观察高八位的数据线(在匹配电阻靠近DDR芯片端)上的写信号,数据线上有信号,且与低8位基本一样。4 S3 v, M9 x& \7 k- I
附件为高8位数据信号线上的写信号。" o, o( v4 `3 V' a3 c

% h% p% h. E; P2 S2 W
3 p( i" X& }! R8 [3 v我现在怀疑的原因有两点:2 n' Y$ e4 r* ~- L. S) q. N
1、DDR2芯片的焊接有问题,可能高8位数据接口相关的电源管脚没有焊接上,BGA封装,苦于没法检查;1 s6 f1 L5 @7 s( T1 `' A( ~( v
2、时序问题,高8位和低8数据线的读写使能DQS信号是独立(分别为DQS1、DQS0),可能是高8位的时序不一致(布线的时候要求是一样的),示波器看DQS1差分信号很微弱,DQS0也是,没有明显的高低电平变化,这个很奇怪。3 d- P, U9 ?6 _. }/ ]9 Q8 f
8 V' b4 H' i0 v. K5 @( c
希望各位大神、有经验的同道帮着看下,给小弟点意见!

12.gif (294.88 KB, 下载次数: 8)

12.gif

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2#
 楼主| 发表于 2012-9-20 10:11 | 只看该作者
自己顶下!
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    3#
    发表于 2012-9-20 12:05 | 只看该作者
    ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL,2的DLL值应该不一样,默认是一样的。调试时调完高八位的相位后再调第八位。调完后固定。

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    4#
     楼主| 发表于 2012-9-24 20:37 | 只看该作者
    本帖最后由 hcjyddup 于 2012-9-24 20:55 编辑 8 o& }) B" n  i! ?' b3 W
    willyeing 发表于 2012-9-20 12:05 ' C; {8 r' w- l  b9 p, q+ v4 G
    ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL,2的DLL值应该不一样,默认是一样的。调试时调完高八位的相 ...

    . }: s) S3 U0 w- z8 C1 {+ ?: y( X2 D% j: c+ Z7 ~3 a& X
    你好,谢谢您的回答,之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了,所以高8位一直随机的,解决后,现在的现象更奇怪:下面是我对DDR进行读写全5操作,结果如下: U  K& f9 ]2 p% @+ H+ e
         地址                   数据                  数据
    * V9 a. G4 p' P8 o# A0x80000000        0x00550055        0x00550055
    / s7 ~" i" O. z, P) ~; Z) F* W4 o0x80000008        0x55555555        0x55555555
    + J) {* x9 o0 P0x80000010        0x00550055        0x00550055( T* G. B9 h; l9 G% h
    0x80000018        0x55555555        0x55555555& {/ \2 q* F$ M$ [% U; r" E
    0x80000020        0x00550055        0x005500550 Y9 g: \7 z/ D- ~: Z
    0x80000028        0x55555555        0x555555557 O) S1 G% y5 e; |3 h) F$ ?9 I, q7 b
    0x80000030        0x00550055        0x00550055
    4 g- m0 L/ f& ]) p4 d- P0x80000038        0x55555555        0x55555555* Z9 p. b/ ?1 t, s" I& ?/ W( Q; B
    0x80000040        0x00550055        0x00550055
    $ V1 f9 B0 Y* n2 j! w- d$ H) p0x80000048        0x55555555        0x55555555+ T1 F3 R* y4 ]2 L" s+ s* k
    0x80000050        0x00550055        0x00550055! V/ k3 P, j  R, J7 U% H
    0x80000058        0x55555555        0x55555555
    7 w( [1 n2 D: N  s- Y- y.....
    5 L( g( b8 b7 R5 w& ]! C, G! e  @
    ) ?5 A* ?8 g, M3 D7 r( z2 Q8 r读写全F,全A操作现象一样。就是高8位数据在地址低第4位为高时正常,为低时为全0。这应该不是地址线的问题...还可能是DLL相位的问题吗?
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    5#
    发表于 2012-9-26 11:44 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-24 20:37 9 C; N& m& z  p+ f* j  z  ?- b
    你好,谢谢您的回答,之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了,所以高8位一直随机的,解决 ...

      z* B% Y0 I" B* I: h3 B测试一下地址与时钟的关系,看看这几位地址的建立和保持时间够不够。是否地址与clk的相位不对。

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    6#
     楼主| 发表于 2012-9-27 15:34 | 只看该作者
    我在读写屏蔽了高8位,然后对整个DDR空间遍历,没个地址写的数据不一样,依次递增,读回来都是对的,所以应该不是地址线的问题吧

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    7#
    发表于 2012-9-27 17:00 | 只看该作者
    DDR跑步起来吗,是的话就比较苦逼了。这问题难找

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    8#
     楼主| 发表于 2012-9-28 09:29 | 只看该作者
    xyy_zhong 发表于 2012-9-27 17:00 ' ?( w6 ?1 D) a1 k# i0 @, M
    DDR跑步起来吗,是的话就比较苦逼了。这问题难找

    . H% }; c3 x2 n' N" C  k是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊
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    9#
    发表于 2012-9-28 18:59 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29
    : h; W: F! M6 T+ X) q/ i5 p# {是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊
    1 H2 E0 A8 P. h  u5 I
    DDR跑起来之前要测试是否有合适的相位,这个工作你做了吗,按照我说的做先低8位组,在高八位组,然后2个合并一起,需要写个程序,主要是读的,因为DDR需要去检测和锁定主芯片发来的CLK。写的话主芯片相移90,DQS对在DQ中间发出去的。相位写侧读,然后再去考虑写,用的是哪个厂家的。
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    10#
    发表于 2012-9-28 19:00 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29
    9 O( V3 `  ^) j4 \! q' y4 [是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊

    / Q) W  F8 _3 X' A) m是否把PCB的这一块发上来瞧瞧,是否SI/PI没处理好。
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    11#
    发表于 2012-9-28 19:03 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-27 15:34   w. @, _/ C9 \$ E5 r" `  J
    我在读写屏蔽了高8位,然后对整个DDR空间遍历,没个地址写的数据不一样,依次递增,读回来都是对的,所以应 ...

    8 ]" s2 I% {4 h% R% W& j4 m一定学会测眼图,这玩意儿一看就清楚的很。

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    12#
     楼主| 发表于 2012-10-7 13:35 | 只看该作者
    willyeing 发表于 2012-9-28 19:03
    6 A) _+ o7 j7 F, c. x一定学会测眼图,这玩意儿一看就清楚的很。

    - U9 M1 B$ f* ]. s4 K芯片是Micron的,DDR的布线用了三层(顶层,中间信号层和底层)如附图;谢谢您的指导,我开始认真测试下相位关系,眼图测试还不熟悉。9 v- |% u" [7 A; q# M3 Z  U8 f

    1.jpg (34.13 KB, 下载次数: 9)

    1.jpg

    2.jpg (22.44 KB, 下载次数: 7)

    2.jpg

    3.jpg (19.08 KB, 下载次数: 7)

    3.jpg

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    13#
    发表于 2012-10-7 17:24 | 只看该作者
    1. ) 先就 1# 楼的图说明,若以这个数据线的测试波形而言,这应该是一个无效的数据,它的信号变化只呈现在 0.9V以上, DDR2 的信号应该是以 0.9 V 为中心,往上下张开至少要 +/- 0.25 V。6 G4 A2 y: n/ Y
    0 M: E6 h: k: D# F0 v
    2. ) 12#楼的 Layout 图而言,这似乎是一个没有考虑信号参考回流的设计 (除非还有参考层没有贴出 ),信号走线没有完整的参考平面,回流将到处乱窜,影响信号品质。

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    14#
     楼主| 发表于 2012-10-7 20:08 | 只看该作者
    honejing 发表于 2012-10-7 17:24 * g) J0 ]- Q5 x% ?1 I) `( H
    1. ) 先就 1# 楼的图说明,若以这个数据线的测试波形而言,这应该是一个无效的数据,它的信号变化只呈现在  ...
    ; y& r$ \  U" F' @; R8 H( e
    1、看规格书我也觉得这个信号参数奇怪,但是对比了一个正常的板子,同样的信号,也是这样的测量结果
      j0 R! l/ z5 i& t: k2、参考平面有,整个板子有8层,中间分别为信号,信号,地,电源,地,信号

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    15#
    发表于 2012-10-7 22:11 来自手机 | 只看该作者
    那可能是你沒有量到正確的信號,你的trigger level設在0V,可能抓到不正確的地方。通常我會用兩個條件來當觸發條件" b" i. l; A7 h7 P$ }+ O4 r: w
    第一用DQ再接著DQS@0.9V。
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