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自己做了下时序分析, S3C2440a+SDRAM的1 k5 {: ?2 W( _, l. ]
有几个问题请问一下:, L7 l$ q: }% [$ p% c
1、S3C2440a的IBIS模型中 “Vinh= 1.30 Vinl= 0.50 Vmeas = 0.95V
/ r4 u- J- E/ T4 m7 J+ WCref = 50pF Rref = 50ohms”发现测试负载比实际的走线负载要重。仿真出来的波形是 测试负载比实际走线负载 波形靠后面很多,计算出来的Switch time 为-0.687ns 即flight time 是负的Tft_data =-0.687ns 图见附件/ V, J: F0 {9 N2 a* T* O
- m e# Y i7 v7 f& {S3C2440a数据手册中的Tco 是1~4ns,SDRAM的的Hold time 是1ns2 P+ H! D4 E( S, ^$ f8 m' H
根据公式8 f6 b8 L6 k+ o2 p# h
Thd_margin (建立裕量)=Tco_min + Tft_data - Tclk_skew-Thold9 g: s9 j7 x* l$ I( X8 y
-0.88ns =1ns + (-0.687ns )-(0.2ns)-1ns
% x! O# u' h* u6 c' A& _小于零的。但实际板子做出来了 可以正常运行。请问这是为什么 |
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