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自己做了下时序分析, S3C2440a+SDRAM的
( M9 o1 X- x7 S) t3 S9 d+ z% B有几个问题请问一下: I. Q4 H) k* s6 O- s
1、S3C2440a的IBIS模型中 “Vinh= 1.30 Vinl= 0.50 Vmeas = 0.95V
3 V) e! Q4 B4 O8 aCref = 50pF Rref = 50ohms”发现测试负载比实际的走线负载要重。仿真出来的波形是 测试负载比实际走线负载 波形靠后面很多,计算出来的Switch time 为-0.687ns 即flight time 是负的Tft_data =-0.687ns 图见附件
8 A6 M! x0 J7 t0 G2 ?, @8 s- [; f/ U1 B0 k$ Q
S3C2440a数据手册中的Tco 是1~4ns,SDRAM的的Hold time 是1ns5 A8 _. G* b- }, m
根据公式
$ M0 h3 S5 c! \) rThd_margin (建立裕量)=Tco_min + Tft_data - Tclk_skew-Thold
2 |: G; g, }& D -0.88ns =1ns + (-0.687ns )-(0.2ns)-1ns+ O+ I1 e6 i1 [* U" P, J+ y. T* f
小于零的。但实际板子做出来了 可以正常运行。请问这是为什么 |
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