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[Ansys仿真] 求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发表于 2016-3-23 15:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 - S( j2 W: C1 @+ ~

$ T- S5 i: I2 m0 @: E! k我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果(阻抗)有明显的区别,这是为什么呢?这两种情况是:(1)lumped port大小只接触到传输线和参考地边界;(2)lumped port大小覆盖传输线端口面,但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图:图1和2分别为情况一和情况二,图片右边导体为参考地。有哪位知道,帮忙解答一下,先谢谢啦!
; S% o& l7 s6 b5 a! f2 q& {8 b1 K4 ?

, I! T3 E9 w* O

1.png (73.03 KB, 下载次数: 14)

情况二

情况二

2.png (20.57 KB, 下载次数: 7)

情况一

情况一

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发表于 2016-7-18 13:21 | 只看该作者
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24& Z) l% `: d' Y2 B) E
为什么???
4 E$ c, p4 B* a/ @) X) k% o
了解二端口网络计算原理的你就会清楚。/ F' f8 g  j3 }' S! e
S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。8 s: |6 @  s# Q
; z  L3 i. M) M/ K  N( X' n

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发表于 2016-3-24 18:49 | 只看该作者
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
4 v+ b8 I' q, O% F( O2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:* }5 G, a1 r% k% l: `
(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;
4 j' Y; W# |0 X5 t(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;4 _) S; G8 y9 }0 |9 b7 p7 v( `
(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;* v7 Q3 `+ u/ ~: F2 E& b+ f7 ^
(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
! R# `" w/ L8 o- o; a以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35

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发表于 2016-7-18 09:44 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-14 17:15
" i  ~$ t3 R  ?( L4 x1 R覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。$ K- ]8 D, ~& U' v' G
端口与导体面相切是仅仅一条边。3 P* J3 Y( [- {# o/ f
这样好理解了么? ...
1 E' ^! P2 n3 r  w  Z( o7 f2 {
soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么2 d" v' a$ i' e/ U

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 16)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 6)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 7)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 5)

波端口-仿真图.png

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3#
 楼主| 发表于 2016-3-24 22:35 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
6 I; V/ D( R+ {0 B1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。 ...
2 I3 x+ h, e) n; v+ Y( H. V4 R+ W
我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。
: B# n' E, |1 N  J8 w

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楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确  详情 回复 发表于 2016-3-26 22:08

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4#
发表于 2016-3-26 21:39 | 只看该作者
通俗的解释:
1 N3 K) N* D& s8 M+ J! b0 e; m你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么?
* k7 z1 j: p& O2 U3 c$ t复杂一点的解释:: R( v- V. |' y/ y6 l
端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布,重叠了多余的导体,会使这部分导体中多出不真实的电场矢量,这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上,还怎么满足散射测量一致?

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那如何设置才是正确的呢?  详情 回复 发表于 2016-3-26 23:57

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5#
发表于 2016-3-26 22:08 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-24 22:35# ^" F5 O+ [1 c- n
我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不 ...

/ v5 X" H, e3 A1 J/ `8 U) f$ H楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确
0 _2 h- L) u+ W+ P- P( f! p

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我再琢磨琢磨,谢谢啦  详情 回复 发表于 2016-3-27 00:05

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6#
 楼主| 发表于 2016-3-26 23:57 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-26 21:39
+ P! g' c/ B: e+ n/ I8 D. \6 G通俗的解释:7 z. |# z* m2 t, t
你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...
9 x9 @8 f6 S% ~; D
那如何设置才是正确的呢?. f5 M9 s; Q' _7 y" g, B. X/ Y

点评

lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。  详情 回复 发表于 2016-3-27 07:14

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7#
 楼主| 发表于 2016-3-27 00:05 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08) f; E$ n# e! s( \6 c8 Q* t
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确
# N/ P- w$ @1 l- |9 X$ w; I9 E3 {
我再琢磨琢磨,谢谢啦
& [3 {7 ?; ]( f3 N, ?

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发表于 2016-3-27 07:14 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-26 23:578 F  c( z  X& S5 f9 b# P
那如何设置才是正确的呢?

# n. a0 j) n$ ?2 F3 j; alumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。
* G9 N, ]5 \; n7 B1 r9 N/ x& l/ C1 E* A' u& b1 m4 b

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什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23

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9#
 楼主| 发表于 2016-3-27 10:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14! P; P: n" m8 W+ T- ]& h- N2 m, M
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

; p8 M, x1 p. {" s7 ~/ H原来是这样,谢谢!( }# }! _) g( w+ Y

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10#
发表于 2016-7-13 14:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
" A) F4 Y+ R$ c9 tlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
0 e+ C: G5 u, V% L1 q* f( [" ]  Y
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~0 ]( E, {9 P' C8 M! L- J

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覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15

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11#
发表于 2016-7-14 17:15 | 只看该作者
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
! P* F5 `  I/ @# j- f5 A- y1 z什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...

6 L, ]5 Q- G, m! B! t+ S; a5 j) Q覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。; p) K9 x1 Q" j- N
端口与导体面相切是仅仅一条边。% u' }+ I* B$ e2 c( F1 g
这样好理解了么?
0 A9 R  J/ `# f3 [; m

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soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44

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13#
发表于 2016-7-18 10:16 | 只看该作者
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。+ E. l4 d2 D, g3 t: f

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那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
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    发表于 2016-7-18 10:24 | 只看该作者
    cousins 发表于 2016-7-18 10:164 s. m: S0 x/ b' M9 L
    S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。

    # L' b* i0 V  o" M为什么???

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    了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
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