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[仿真讨论] DDR2数据线调试问题

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1#
发表于 2012-9-18 14:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近自己画了一板子,主芯片是DM365,DDR2内存芯片是MT47H64M16BT-37E。首先板子上的其他部分,电源、晶振、串口,网口等都已经正常了。目前调试的时候遇到个不能解决的问题,求大神指点啊!现象如下:
$ V8 E7 m" k7 K2 f. C' f/ e4 a! O1、数据线低8位能正确读写,高8位不能,在每次断电重启的情况下,高八位的读写结果不同,随机的。
5 H& g) [' u9 \3 f, Y4 i/ T: V2、地址线是正常的,我是在屏蔽高8位读写结果的情况监测地址线的,全部遍历64M空间都能正常读写。8 C! T, R' i6 w( x: b" [& g' t1 f
3、用示波器观察高八位的数据线(在匹配电阻靠近DDR芯片端)上的写信号,数据线上有信号,且与低8位基本一样。/ g  [" t+ R5 D5 h+ B/ _* d, l* Z
附件为高8位数据信号线上的写信号。
$ Q6 B7 {( d! v- n' d9 A% n. }4 e! h0 w7 u" t
5 I, o+ {1 y3 f6 i
我现在怀疑的原因有两点:0 [& ]  R. O. c" `# X# a5 Y
1、DDR2芯片的焊接有问题,可能高8位数据接口相关的电源管脚没有焊接上,BGA封装,苦于没法检查;
" I$ c) ~1 l' T! |- ~  d- _2 Y6 d2、时序问题,高8位和低8数据线的读写使能DQS信号是独立(分别为DQS1、DQS0),可能是高8位的时序不一致(布线的时候要求是一样的),示波器看DQS1差分信号很微弱,DQS0也是,没有明显的高低电平变化,这个很奇怪。
4 e5 D, I5 Q- P
8 K8 O+ @0 ?. |% o  P4 k希望各位大神、有经验的同道帮着看下,给小弟点意见!

12.gif (294.88 KB, 下载次数: 7)

12.gif

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2#
 楼主| 发表于 2012-9-20 10:11 | 只看该作者
自己顶下!
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    3#
    发表于 2012-9-20 12:05 | 只看该作者
    ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL,2的DLL值应该不一样,默认是一样的。调试时调完高八位的相位后再调第八位。调完后固定。

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    4#
     楼主| 发表于 2012-9-24 20:37 | 只看该作者
    本帖最后由 hcjyddup 于 2012-9-24 20:55 编辑 ( ]9 H3 C5 V0 e
    willyeing 发表于 2012-9-20 12:05 ! R. i3 {+ S! v0 Y5 y
    ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL,2的DLL值应该不一样,默认是一样的。调试时调完高八位的相 ...

    & f4 y% `: _; n  E* K% W
    ! U6 H/ l* y$ v) ]0 [/ c( ]你好,谢谢您的回答,之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了,所以高8位一直随机的,解决后,现在的现象更奇怪:下面是我对DDR进行读写全5操作,结果如下
    - K5 A/ P3 U3 p0 J; f     地址                   数据                  数据  G1 j* f' ?1 e. n
    0x80000000        0x00550055        0x005500556 }: ]/ \3 M# g: z0 P) b, ?
    0x80000008        0x55555555        0x55555555' m, m3 S3 a! Y' L; u
    0x80000010        0x00550055        0x005500551 N& b7 F$ N" _$ z6 x- z$ s7 J! L
    0x80000018        0x55555555        0x55555555
    ! r' `0 D8 v9 S/ |& Y0 m0x80000020        0x00550055        0x005500554 d* u( w0 `9 Z$ j; ~
    0x80000028        0x55555555        0x55555555
    & _9 ~1 S4 U/ Z5 Y: ?5 ~+ J0x80000030        0x00550055        0x00550055+ Q' R0 h3 N1 r! u. C
    0x80000038        0x55555555        0x555555555 X/ v& ?9 h' A- X- ~4 U8 i# z/ S
    0x80000040        0x00550055        0x005500558 @( Y) t; O( p
    0x80000048        0x55555555        0x555555555 k; ^6 ~- L: r! k- P$ E# ?1 G
    0x80000050        0x00550055        0x00550055
    1 Q( z8 h' j0 x0x80000058        0x55555555        0x55555555
    ' K9 J* [6 q( \. N.....
    5 o+ e+ u. y" S9 u
    ; i4 E3 g! K' Q2 [读写全F,全A操作现象一样。就是高8位数据在地址低第4位为高时正常,为低时为全0。这应该不是地址线的问题...还可能是DLL相位的问题吗?
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    5#
    发表于 2012-9-26 11:44 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-24 20:37
    + Y- I  ^9 W' b& `( n. F5 a你好,谢谢您的回答,之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了,所以高8位一直随机的,解决 ...

    . l, o) c2 Z; U3 g9 J+ s' {6 P2 s5 ~测试一下地址与时钟的关系,看看这几位地址的建立和保持时间够不够。是否地址与clk的相位不对。

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    6#
     楼主| 发表于 2012-9-27 15:34 | 只看该作者
    我在读写屏蔽了高8位,然后对整个DDR空间遍历,没个地址写的数据不一样,依次递增,读回来都是对的,所以应该不是地址线的问题吧

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    7#
    发表于 2012-9-27 17:00 | 只看该作者
    DDR跑步起来吗,是的话就比较苦逼了。这问题难找

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    8#
     楼主| 发表于 2012-9-28 09:29 | 只看该作者
    xyy_zhong 发表于 2012-9-27 17:00 : l. u5 m. E2 T8 `. q
    DDR跑步起来吗,是的话就比较苦逼了。这问题难找
    6 o4 K% G& h1 |& e1 _3 b5 q
    是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊
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    9#
    发表于 2012-9-28 18:59 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29 " ^- m9 f" J  J- b# \% R- ~
    是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊
    ! {+ v; B1 f7 e) Z4 T7 ]
    DDR跑起来之前要测试是否有合适的相位,这个工作你做了吗,按照我说的做先低8位组,在高八位组,然后2个合并一起,需要写个程序,主要是读的,因为DDR需要去检测和锁定主芯片发来的CLK。写的话主芯片相移90,DQS对在DQ中间发出去的。相位写侧读,然后再去考虑写,用的是哪个厂家的。
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    10#
    发表于 2012-9-28 19:00 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29
    ; C1 i4 [+ y0 i( h' _: R3 E& M! P0 }9 P是啊,跑起来了,低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了,问好多人都想不明白啊
    % B5 o# s7 s& @' M8 n  c  J
    是否把PCB的这一块发上来瞧瞧,是否SI/PI没处理好。
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    11#
    发表于 2012-9-28 19:03 | 只看该作者
    hcjyddup 发表于 2012-9-27 15:34
    & M0 S9 ?/ \* T- O2 ~我在读写屏蔽了高8位,然后对整个DDR空间遍历,没个地址写的数据不一样,依次递增,读回来都是对的,所以应 ...
    0 t+ W5 V5 T, J9 Y( Z1 E
    一定学会测眼图,这玩意儿一看就清楚的很。

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    12#
     楼主| 发表于 2012-10-7 13:35 | 只看该作者
    willyeing 发表于 2012-9-28 19:03
    . S3 W1 J$ W7 Q* V一定学会测眼图,这玩意儿一看就清楚的很。
    - D9 M. r5 k  V/ ^# i0 |+ L
    芯片是Micron的,DDR的布线用了三层(顶层,中间信号层和底层)如附图;谢谢您的指导,我开始认真测试下相位关系,眼图测试还不熟悉。5 S. U& K0 z% R  g; @7 p7 Q

    1.jpg (34.13 KB, 下载次数: 9)

    1.jpg

    2.jpg (22.44 KB, 下载次数: 6)

    2.jpg

    3.jpg (19.08 KB, 下载次数: 7)

    3.jpg

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    13#
    发表于 2012-10-7 17:24 | 只看该作者
    1. ) 先就 1# 楼的图说明,若以这个数据线的测试波形而言,这应该是一个无效的数据,它的信号变化只呈现在 0.9V以上, DDR2 的信号应该是以 0.9 V 为中心,往上下张开至少要 +/- 0.25 V。
    & w7 E5 `4 b9 x* ?! m7 l( a5 [
      Y/ [, Z3 X7 g/ r- L; C2. ) 12#楼的 Layout 图而言,这似乎是一个没有考虑信号参考回流的设计 (除非还有参考层没有贴出 ),信号走线没有完整的参考平面,回流将到处乱窜,影响信号品质。

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    14#
     楼主| 发表于 2012-10-7 20:08 | 只看该作者
    honejing 发表于 2012-10-7 17:24 " a( v% {; \, T# i3 a; c
    1. ) 先就 1# 楼的图说明,若以这个数据线的测试波形而言,这应该是一个无效的数据,它的信号变化只呈现在  ...

    9 D0 u& s# w# Q6 k1、看规格书我也觉得这个信号参数奇怪,但是对比了一个正常的板子,同样的信号,也是这样的测量结果
    6 X# T; p( ~) U3 X6 E# U$ E: B! f3 v  t2、参考平面有,整个板子有8层,中间分别为信号,信号,地,电源,地,信号

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    15#
    发表于 2012-10-7 22:11 来自手机 | 只看该作者
    那可能是你沒有量到正確的信號,你的trigger level設在0V,可能抓到不正確的地方。通常我會用兩個條件來當觸發條件( }' N& B( P( @
    第一用DQ再接著DQS@0.9V。
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