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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
8 r( W; P, q% I" h6 N1 i

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pjh02032121 + 10 赞一个!
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cousins + 10 很给力!

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 5 ^* h+ @+ r6 U6 e0 T* m

! k2 g" p- e, b2 F+ [频率和带宽巨大提升 % J+ b) \2 s8 i
使用Bank Group架构0 U) p' w4 l+ o
5 i$ p+ t& @: k1 q7 u

" d7 a. b8 l! H; t' Q
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

. P# D  O8 L+ `+ S' p, d* @
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

: D( E( P: D9 M, R

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
  r$ r- ~* I$ X- v
: x* n, J+ H: N% e( JNO 6 关于DDR4的电压, m  g: H( o, u2 s8 L3 a( s1 H

' U% m4 W+ v9 J  WDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
7 t1 ^) d' t  Y3 a3 a% U9 V
0 t+ x% i2 ?, ~+ _- L. \$ |电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
4 \2 r& @- e* Y/ A
' \" H* N4 }1 e5 k移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。8 \% T! s& u3 h# P" x8 n
: L7 D$ c) b8 t( m& Z' |! V

+ m" Q2 \3 L$ x  d. b# S3 @" ~1 Z. T* p3 L7 |3 Y6 A$ ?

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
9 M5 ^. R9 h5 {0 F+ ?  }1 x# m7 j2 N) r
1 R9 K" r0 M) t5 G/ V$ o0 o7 l
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。& e/ @" _6 H" D4 u2 i
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。( ^& C- a: H* N2 C- c/ h, q

9 j6 X, z, ^  Z- H  d
$ O0 |3 B. ^: {3 _  l
. v! @2 @% M3 ?4 k3 j
               3DS堆叠封装技术
' u! R# e! Q9 d. Y0 Y
7 {3 B0 J; o, F
5 m8 ?. `( y3 I
, Z+ W3 d; P6 R  c3 f

3 a3 m& A6 m5 ~) ]1 R, J4 h" o, W3 M; C; x
; Y. k" t" F( M7 c( Y0 ]: ?2 Y4 X

5 i% T. I, \% W
: t! p, F5 \# c+ x/ T7 R2 l# I
4 Q# j1 `( F) M% J* d8 I' Y

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
. o, k7 j# r1 R7 w
8 ~7 W9 p! ]2 lDDR4-1600 MT/s
0 t/ h0 x, ~) n# [7 ~: C2 yDDR4-1866 MT/s
% V. X% y1 H) _6 P! aDDR4-2133 MT/s5 `1 X8 H& P/ i* C0 M9 h+ P' d
DDR4-2400 MT/s
, o7 A/ Y7 U& @' R5 hDDR4-2666 MT/s2 t% D9 a/ m/ I
DDR4-3200 MT/s3 P+ x/ T' W3 P$ h
) r+ H: ~- \' V8 c2 |# D% M
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的& f1 h+ ]1 r. |' R. X; E
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,8 Z# u. r6 y2 t4 R) [
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
8 _% \7 L* Z. p7 k% B% V. p; q6 u, R) n/ Z' B! m/ Q

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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6#
 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景8 U; B/ R5 O4 v

2 J8 {& k# N7 Y" Y  S) {$ ~第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
7 f! P9 D* J1 E6 T9 |- J, q: U
4 a" w& v$ o$ O2 S* V(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),1 V; y" V4 K% x7 O
( y6 [& b" n: P
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
. K9 r/ W& @( a9 P+ s
3 X8 T4 l5 T. T1 \6 H% t% |现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
- Q; q4 v. D  z

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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9#
发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。

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11#
发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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12#
 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11- ?8 W# L$ F! W" Y9 i
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

2 c/ N. D, k1 w8 l; i) [准备慢慢写。( w$ ?6 x3 z# P; ?3 V2 q

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14#
发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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15#
发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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16#
发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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17#
 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑
. Q: d% w8 U9 `& f) B# y4 q+ h  ]+ R: V5 A, }$ h
NO 2 处理器的升级& v/ t) T9 X8 E

) m1 T- x# B; X% l+ Z4 ?
2 X3 I/ E2 q) P        i7 Haswell-E架构图解6 ?! `! z2 `# t2 h) W- A& c
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
% L# R* O- T( ~. x, M
, F7 o) }$ K: U( aDDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E1 x" M) A4 C: ?/ m  h3 f

3 _4 H3 A& Y) w8 s作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,: e! P' M9 V# e: H9 s+ n: f
! @' e- Q5 ?; Y* Z1 H( n
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。4 r7 o2 x9 i4 b" x; G3 P

2 h7 \7 T* g  h/ O3 U! c4 z  @# R  s: m, Q# v3 I( N% `+ w

点评

貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12
  • TA的每日心情

    2025-11-21 15:00
  • 签到天数: 58 天

    [LV.5]常住居民I

    18#
    发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
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