DDR4详解....各种技术参数

红孩儿

刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。

jj9981

楼主真是个好淫

shark4685

NO 4 DDR4 封装
8 M' `# U  g+ z  x4 s

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
" f3 w! r' e6 b( O- A: g8 l举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。


) C4 S3 s' U0 }4 ^6 Z
1 i2 h' A) N* l' i6 a               3DS堆叠封装技术
# W, i$ t" d% a8 @+ t  N/ w1 a- m



8 n/ @5 g) q- K1 _3 c3 X: m. z
6 \/ h, b9 }2 a( l/ A, O8 g


, G1 f0 P) v5 {. L6 a9 r1 h3 a

shark4685

" S, \* Q) r3 G  I! a# X4 h
- j2 h! o" t" ]2 v

NO5 DDR4 内存条分类及外形 * }0 @' _/ z2 W ) X: K& ~# h9 w$ n4 e+ I DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？ 一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 " j. k/ W# A- ?( N. e 但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性 2 Y# i& }( H, @1 Y 　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。 7 r; V( D) z8 r* c                         流线型金手指 * @, \( Y. z* z7 M0 b                            DDR3 & 4

8 z% N9 O- C& S$ W

JOBS

shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

" `. q# b& Z# A, ^* d给楼主加油，膜拜楼主。。。

cool001

好贴，很赞

pjh02032121

楼主坚持、坚持、再坚持啊

shark4685

# I, f0 l9 H* G0 m1 a9 q1 [6 }
NO 6 关于DDR4的电压
5 S  k$ x% L! U; H
/ C; X, q% u! K8 [/ BDDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
) m  c4 ?9 o( M, I* p6 K0 \2 i
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.

移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
5 L/ ]$ V# ]7 \- Q  w9 p: D
( b) X1 {/ \& x; M
0 t! ?, \" f# h4 S$ X6 T
% [, M" @6 l2 N/ [

shark4685

但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。
4 d- h, W- k3 M: P
, t+ u$ z# D2 c* s对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器

与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。

对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。

zxb0403

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wdc

数据信号线单端的还是差分的？

shark4685

wdc 发表于 2015-4-20 11:18
3 D* }# Z' G7 R5 J2 L/ P: }数据信号线单端的还是差分的？

并行总线，必须单端的。。
* G% V  d" x7 r) l# q

shark4685

请假2天再接着写。。。

jhh610528

支持

红孩儿

楼主最近好像比较忙。。