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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!4 G9 T, E. V4 w. `

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cousins + 10 很给力!

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 ) ^8 f$ R/ y" k, T0 j' M  \. x5 \, I
0 n$ I  |, H, q  y7 E9 A# Q
频率和带宽巨大提升 . \7 ^) y; m: z% X
使用Bank Group架构
+ G4 O- z& p7 E" [, ~ " f" @) k) ~6 {3 o) ^' g) R4 t

1 E' H. M0 l, i/ s$ W! _
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

6 ~7 G, Z' r+ ]$ v- G: Z
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

4 L+ `; _5 Y- }3 Z( J/ c" X' L2 R

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 * x3 N' D/ ~! F2 X/ s3 N
5 X5 r, X1 a* \; Q9 T" o1 R8 _
NO 6 关于DDR4的电压& Y! q! L# U( F0 c" D+ Q6 ]  ~

) V# Q) X; _$ J, ~# \- pDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。) u! Q# C7 J, ^; X  t
8 V) W! B1 E- @+ v1 s. v" |
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
3 C* H7 B0 \! E, ^( V! P
, Y  r' X$ t. R移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
& Y; l2 l' z& x% f
1 E  u. r: _5 r1 U+ W) V+ \
0 Y* ?- o7 o, h0 Q' W. c5 u) `- ]: S# A9 j0 P$ m

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装; @6 w8 Z) h/ G  x; A+ J8 [
& e" D( H9 X' O/ e

" ?$ X: {& B& o  ZDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。5 h+ M: z9 _  ]7 @, y7 j5 z
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。  X8 S% i7 b( c) o3 V- U

$ h8 e7 V4 G' }2 P) M- r

( [( `/ L+ V  ?- T
3 s2 M! M* H% k2 W" J/ N! u5 M& X               3DS堆叠封装技术/ c1 C9 P9 C. q) V3 y  E: T

; M3 z8 `) Y1 p1 Q; X
9 Z( D) E, Y0 V( B0 o$ S

9 P4 e/ F4 G: }" w6 F# `
  V( P9 D( O7 x* Q7 R
1 w% i3 ^4 i, Q5 G- }

% d1 l/ P! A! X5 z7 N) V. J1 Q3 Z
5 T0 \0 T. o0 ^. ]4 n

3 D& ~4 u) o& W, L

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
; ^6 H9 o9 {5 }, m  ^. H, Y3 T
, r8 J, }2 y* m4 b. BDDR4-1600 MT/s
5 A3 b/ W3 o+ x/ n4 EDDR4-1866 MT/s! c, W" [1 B! j+ m
DDR4-2133 MT/s( `7 z& E. v  W$ W% I4 M
DDR4-2400 MT/s
1 i( Q+ c4 P: d5 n4 K% B" Y8 SDDR4-2666 MT/s4 H3 ?0 y+ o9 O9 Q0 T
DDR4-3200 MT/s
5 t9 \: U+ D7 M$ g: y+ w; ~5 f. q" [! B1 M
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
* M, G( v& a0 G; ]) {6 k8 W/ D/ ~DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
3 ~- D) g1 x+ s. [换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
! B, J/ T/ ]# X, ?/ r8 R/ y: X3 X- J6 F, f3 u2 R% R, E" m

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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2#
 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景( {1 r5 z# Z% P( P% ]' A

9 h. u6 u& e+ K& z  g第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器' q/ W9 l' {( F9 P

! ]: y0 X: c- E' y(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
- H# D; L" W5 v8 v/ w4 ~  O& N8 E, `7 {
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
6 s7 z4 S% i1 Y3 S' U- L' K" c- o; X# [: H" Q* l6 U
现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.2 ]3 r$ d+ O8 D! b9 r7 R3 f

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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5#
发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。

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7#
发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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8#
 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:119 ^+ O* y: g( ^- Z" j" y/ U
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

" f2 z6 @1 f( G# [" o准备慢慢写。
: L2 J% S* k  u. y! h

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10#
发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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11#
发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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12#
发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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13#
 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 ( _1 J  e7 J5 R, w% k4 r
2 _) \* W, g2 A2 X3 o
NO 2 处理器的升级
+ k; e* |, p- n) m: Z; N) {! P  W: }# |1 H$ O4 W

- Z# `& c! w8 }4 G* u; M( b        i7 Haswell-E架构图解
6 ?# `( J! B5 N2 w$ k# @  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
0 G0 q# X' ], L6 e* ~2 S+ ?1 y* ]' C# v
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
' F7 t( L- T. i- A4 b% k
" ]% {4 e* D* v. v6 p作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,
& _: m9 g# J' ?1 [: T+ P+ Z  y) O' \0 x" K
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
6 t8 D4 W4 O9 `8 c
0 |/ h' r) ?. v* k* v9 P$ t- X0 L( r8 g  [9 w

点评

貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    14#
    发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
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