找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 44219|回复: 231
打印 上一主题 下一主题

[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

    [复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
1 k. ^( v$ B! f

评分

参与人数 3威望 +21 收起 理由
pjh02032121 + 10 赞一个!
JOBS + 1
cousins + 10 很给力!

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
3 E- F& }3 o( K( `7 g- V8 V; q, m# Q% g! o7 o
频率和带宽巨大提升
' i4 h4 S' R# |' p! |使用Bank Group架构
; Q: j( e" f+ q. F9 J + Y$ \8 D+ N3 Z9 F2 G: F

3 s+ ^5 E  P; K3 Q
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
" l" T* p0 }' K
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

8 D1 B2 A6 K' F" k9 N0 G

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
: m2 {8 H; B8 f3 b$ C$ A: A, ^2 o
3 F5 _3 S2 G7 I9 n  F' N8 i, r5 YNO 6 关于DDR4的电压
3 w: A7 s0 |& _2 S9 o/ x( x" @
) L2 E9 O1 s1 X3 w7 J. jDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
( F6 p* E+ A- P  T
4 K0 t! h8 X: b6 e% Y电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.5 t5 ]5 g2 D  H9 p% s

$ ]: K5 A7 Q* a( l- a移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
* h5 T! s3 z) n) y& z
) y0 N  [, g* h3 ]6 ?6 l. T8 f; Z% _& K9 {+ E# g6 G( d) A' l/ J

5 _; h; Z( Q, V! e/ \

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装' b, X# ]6 x% h% d. E
; v* E2 ]0 f  ?3 P' v
' \- H! t( f/ h" V
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
3 }( z0 N* j, o8 \! D" p" s  o举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
' g  I. ^' D( W6 K6 q8 W3 O7 K$ r
7 a# Z4 ]  ?% T8 U4 T

/ L8 N5 A  e% N7 W
3 V2 I4 W  U6 I+ X& ~9 L8 \               3DS堆叠封装技术
% A# P( A4 L. w" Q3 K( ~# B
% C2 S# ~% c( t6 E8 G
8 X$ u) f7 o5 S; P9 E/ x

/ Q: [9 }$ j5 n0 m

' _. q  P. c1 S6 \  }4 Z  R. {* _/ h4 L/ ^5 {( @( X

5 w( l0 r* E  a  j4 a& W" `1 F! d, Q0 G9 A8 X
0 |0 a2 P7 r' ?( r

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
JOBS + 1

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率' ?8 b- C7 w5 Y5 f
9 e# c8 ?1 p0 L+ y
DDR4-1600 MT/s
6 y* f, b( Q: K. ~DDR4-1866 MT/s0 E& I9 n" a, ]5 B
DDR4-2133 MT/s
7 o) D. w. L; S6 RDDR4-2400 MT/s
2 G/ v0 X2 u* n  a, C; W: B* @- RDDR4-2666 MT/s
( N% V; B; S2 z5 c; t9 s8 {  ?DDR4-3200 MT/s9 Z" A  G( E/ D7 Z: Q" |
* A1 o1 C- D/ W. S% B2 c" S; }
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的( J2 S$ o: \- A! S: ^% R
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
4 T# W: G3 K- L! a2 U1 p( A1 P- u2 Y换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz) ^- a6 p( L4 s# R' y
0 D1 J. O1 ]6 A8 u

点评

2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
红孩儿 + 1

查看全部评分

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景* |2 @; [: Y' f2 G
3 r5 s* }5 P. v; F5 Q0 x5 c$ R
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
7 F! O2 N- y% \4 @- d# ~$ U8 X4 ^+ {: {9 a6 L6 f2 p
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
% E5 o* O' K' y: P  Y
: S) h  ]5 Q; U! X是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,% p0 e- c7 d: s& n; H- v" b
$ a) ]* `5 }& f: S% k
现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
2 ?0 X- E) M1 o* M9 E

点评

精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

该用户从未签到

9#
发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。

该用户从未签到

11#
发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

点评

准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

该用户从未签到

12#
 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11( o' u, l& Z* _( @! Z5 v" }
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...
7 L- g" z4 ]; A
准备慢慢写。' o$ A2 f, U# K" q1 u  Q2 W

该用户从未签到

14#
发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

该用户从未签到

15#
发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

该用户从未签到

16#
发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

该用户从未签到

17#
 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 6 I* Q7 a3 R5 }) H
: T9 O( t5 a! c: q* _2 @. Q/ n
NO 2 处理器的升级" r. M! {; V$ L5 T1 D6 g
+ e& \+ Q9 k/ B& ?7 o

; l" [1 t. l9 o( x! q7 y        i7 Haswell-E架构图解
( P' R" A* t! o+ c  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
, H! U# K' n) |+ O* X0 R* E" I- v- j- v& q; \# j2 B( e
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
$ y$ C9 H' I' c6 |- w7 L. z9 @# b' U! b" i
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,
& V& x' `$ k5 s+ H* h2 Y  H" a! f6 G# {
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
' a) e6 e" ]3 w+ O( z3 B/ T0 s' Q. ~$ _) Z! P

  l7 X+ O: Q8 Q( m* j; F2 I/ x8 v

点评

貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-10-10 15:00
  • 签到天数: 29 天

    [LV.4]偶尔看看III

    18#
    发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
    顶顶顶版主
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-10-12 00:11 , Processed in 0.156250 second(s), 28 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表