DDR4详解....各种技术参数

shark4685

第二波，DDR4详解....各种技术参数 ，有没有人顶！

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, R/ M0 J( S( ?  S( W# ]. n频率和带宽巨大提升
- R1 D0 T) u" Q) w* W( s5 T1 `使用Bank Group架构

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DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。

Bank Group架构又是怎样的情况？

具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

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在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。

因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

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1 |& |2 X  I! o1 I1 G- E: ~NO 6 关于DDR4的电压

DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。

: _2 x0 y$ o9 c$ Q- V& ~& o" X电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.

移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
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shark4685

NO 4 DDR4 封装
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1 P, z$ E+ E5 m! X: u6 i6 C" ]* g* GDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。


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2 z6 H8 w( ^7 Y) b+ M4 T* S               3DS堆叠封装技术
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shark4685

NO 3 DDR4 的速率

DDR4-1600 MT/s
DDR4-1866 MT/s
7 b* [0 n* X5 ?5 F  `DDR4-2133 MT/s
DDR4-2400 MT/s
DDR4-2666 MT/s
( _0 l4 `& G$ a7 O# l* v$ lDDR4-3200 MT/s
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7 ?/ [+ ?1 @+ F; l' `( x! j  `科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
" c5 e4 L8 v  ^- `. g* {3 \: jDDR4-2133 来说，每根数据信号线，现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps，
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz

shark4685

NO1：查背景
# p9 D5 l7 _* c/ e) h6 j& }. H
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器

; J5 C: ~! ~( T% n; o（英文：Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM），

是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，是自1970年DRAM开始使用以来，

现时最新的存储器规格，旨在全面取代旧有的存储器规格.

wsn2010

顶！

dzkcool

必须顶

cousins

这个要顶，DDR4要学习下。

dainy

支持

菩提老树

老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一组VPP电源；电源实现了动态管理，功耗更低；信号速率更高啦，达到了3.2Gbps，后续会有6.4Gbps；比如prefetch的周期，比如RTT变得更加的多咯，有34,40,48,60,80,120,240；比如增加了DBI信号；比如DDR4的仿真，会比以前简单一些啦；。。。。。。省略1W字

shark4685

菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11
# A3 ]. D# ?% g$ Z/ t; s  W老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一 ...

准备慢慢写。

nishiyufrank

恳请赐教

JOBS

楼主的DDR4来啦！！顶楼主。加油！

啤酒花

楼主 不要停啊 不要停

Xuxingfu

科普贴，盖楼。。

shark4685

. ~, B3 C- L; g8 n1 K! c- z, ]
9 s# ^4 O$ _: @. T( O( XNO 2 处理器的升级


        i7 Haswell-E架构图解
6 O- H  z2 e; G2 d8 R; {2 D3 R  每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，

4 M0 H  O7 p6 G0 U( g  SDDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E
5 _+ Y1 N) F/ I1 j
5 B' @/ A6 r$ w6 J+ c作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，
+ u- P7 ?6 M( r# l
8 a6 U1 o; X) Y. }8 O+ X3 Z3 K3 S并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

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willyeing

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