关于信号跨分割，为什么在同层不可跨分割，但打了过孔换层后可以参考不同层？求教！

dzwinner

sandyxc 发表于 2012-7-20 09:09
谢谢这位朋友
3 Y: h" a4 J$ Q& w) E( f$ `你说的是通常的方法。
: R. u: ~4 K( J& m& u% q. m  D现在我的问题是，信号打孔过层后，参考层改变了，这个时候也没加缝 ...

3 d% I5 f- p6 m$ C, S我把你描述的这个网络分成3段，第一段是从驱动端到VIA，第二段via  ，第三段 via到终端。我理解是这样的。第一段线没换层前，以地为参考，那么回流就以地平面回流，那么类似的第三段以电源为参考，那么回流就以电源平面回流。第二段的过孔部分就是以电源和地中间的寄生电容耦合来达到信号回流的。  高速信号回流和低速的是不一样的。

sandyxc

dzwinner 发表于 2012-7-24 11:27
1 ~3 u1 ]- q5 m3 m+ |3 k我把你描述的这个网络分成3段，第一段是从驱动端到VIA，第二段via  ，第三段 via到终端。我理解是这样的。 ...

3 A0 ~" D4 t, D5 X% h, b但这样好像不能说明这种做法是合理的，
这说明这个信号最终是通过不同的回流路径回流的，参考电源时，从电源层回流到信号驱动端，参考地时，从地层回流到信号驱动端，远不如加缝合电容的效果。
- n$ p/ y  w+ `Via是否能在这两个不同属性的层面起到电容耦合的作用，从而使小信号可以从两个不同的参考层传输？

再次感谢您的回复！{:soso_e100:}

willyeing

sandyxc 发表于 2012-7-19 12:17
最规范的方式是不跨分割，如必须跨分割，则加电容，现在的问题并不是不知道规范的方式是什么

1 [& x) U$ |! w  n7 b! g而我现在 ...

( {4 g8 X1 n; ~' I2 A0 h, r9 V加电容，电容的特性看它的特性曲线啦，电容交流短路应该知道吧，对于信号那就是把电源层与地层连起来了呀。这有什么不懂的。但是容值的选取却有原则，自己想想应该能明白。

sandyxc

willyeing 发表于 2012-7-25 10:08
加电容，电容的特性看它的特性曲线啦，电容交流短路应该知道吧，对于信号那就是把电源层与地层连起来了呀 ...

感谢您的回复{:soso_e100:}

( x5 E7 r$ E8 z; z7 i5 l4 v! G您所说的，是最规范，也是最常见的方式
0 D( J& j( t2 [' K
- V) K! N( K" Y$ }7 e1 m而我现在的问题是，高速差分信号打孔换层后，参考层改变，而又没加电容，这种方式出现在多家不同芯片厂商的参考板上，我暂认为这种方式可取，只是找不到理论依据。
3 D7 @3 a, q1 s. t( q! k6 o
并不是探讨缝合电容的原理。
8 {& u) E7 F, w+ T4 A3 \9 d
, `& \# u0 g+ g( P8 h! c* O4 p) P个人感觉和过孔一定有关。

willyeing

sandyxc 发表于 2012-7-25 11:34
6 o9 D$ q. q6 `1 D- v! a感谢您的回复
; ^) C5 C1 L5 O/ O* K6 K' w; d
& B& y6 r' l, D& U4 `* w3 j7 D您所说的，是最规范，也是最常见的方式

不是每个厂家都是很有实力的，我认为不可取，应该是参考厂家设计人员知识量不足吧

sandyxc

willyeing 发表于 2012-7-25 12:05
不是每个厂家都是很有实力的，我认为不可取，应该是参考厂家设计人员知识量不足吧

6 F; a% N8 N8 R/ c  |' \/ s# T2 K6 Q% J应该不会，知识量不足，也不会范这样的错误的。{:soso_e101:}

willyeing

sandyxc 发表于 2012-7-25 12:26
应该不会，知识量不足，也不会范这样的错误的。

2 [0 Y' F" x4 P7 C* O( d我觉得你的知识量已经很不错了。很注重细节，公司雇你应该是物超所值呀。不过不要把人家想的都有实力太高估人家否则就想不通啦。

sandyxc

willyeing 发表于 2012-7-25 13:10
. ?. ]8 ~0 k8 A3 H0 d我觉得你的知识量已经很不错了。很注重细节，公司雇你应该是物超所值呀。不过不要把人家想的都有实力太高 ...

$ g, [; n' S+ g; _5 I我才接触Layout一年，能有什么知识量，可不能笑话我{:soso_e100:}
. a9 L/ W: e2 g, s% u. L- t$ @* R9 l
之所以发了这个烦人的贴在EDA365里，就是因为暂认为我所看到的公版是正确的。
' w5 g- v) Q, c* t/ k
3 x. j! {# D  U  X, B# Q感谢您的帮忙了。

dzwinner

: q# K4 G( j% c; v

sandyxc 发表于 2012-7-25 09:55
但这样好像不能说明这种做法是合理的，
7 m, H% {* ~$ ~3 N) J  Q, F8 k这说明这个信号最终是通过不同的回流路径回流的，参考电源时，从 ...

  h, S2 D1 M) m: v3 h其实电源平面有很多到地的去耦电容，这些电容就会让电源和地偶合起来，形成该信号的回流路径。这也是为什么电源的去耦电容要均匀的排放在DDR周围的原因！局部的回流就是我说的那样，只是在切换参考层时回流是依靠去耦电容达到的。所以参考平面不是随便选择的！比如你选择 一个不相干的网络平面做参考，局部是没问题，但因为这个网络缺少对地的去耦电容，最终会导致信号无法回流。
高速信号在一开始传输的时候，回流就产生了，而不是传输到终端了才回流，知道了这一点你再考虑就简单多了！
$ V0 H, c+ F9 u9 `
( a( b0 p( n3 a; G. a即使是地平面作为参考，不同层的地在做同一根信号的参考层时，在打孔的地方也要增加几个过孔，用以减少回流路径的面积！

willyeing

sandyxc 发表于 2012-7-25 14:33
我才接触Layout一年，能有什么知识量，可不能笑话我
) H5 b' d4 G1 |5 G: P" |6 ?: `5 F+ A. U
之所以发了这个烦人的贴在EDA365里 ...

还是这样细心有拼劲，不久就会成为高手啦。

fffshao

USB2.0估计不能这么干了，说到底还是看信号速度如何

lzscan

高速信号换参考层是不得已而为之，换完层后肯定会有影响，但是就看影响是不是允许范围了。一般相邻的电源层和地层之间有体电容，很多PCB也会特意加上一些电源和地的去耦电容，为的是使得电源和地有更好的耦合。当信号换层之后，回流电容通过这些电容从电源平面回到地平面。要注意交流信号是可以通过电容的！更好的方法是在信号换层临近的地方加地过孔或电容（不过在频率大于一定程度后，加电容也已经没有意义了）以优化回流路径。当然有些高速信号明确规定不能换层。

sandyxc

fffshao 发表于 2012-7-31 08:59
USB2.0估计不能这么干了，说到底还是看信号速度如何

3 @2 a! N( Z, t# m; {8 m感谢您的回复{:soso_e100:}

sandyxc

lzscan 发表于 2012-7-31 09:14
5 W# D9 m' B& v高速信号换参考层是不得已而为之，换完层后肯定会有影响，但是就看影响是不是允许范围了。一般相邻的电源层 ...

% j. h1 u( T) n. Y7 F* S感谢您的回复{:soso_e100:}
; N$ B; e% J! z, r+ f
从发贴到现在，都没看到说这种方法是可行的，难道真是错的？{:soso_e101:}

zjwufan

跨分割平面就要加缝补电容了。