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[Ansys仿真] 请大家帮我看看,为什么我仿出来的TDR是这样的??

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1#
发表于 2012-5-30 17:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 peijing 于 2012-5-30 17:03 编辑
) x. \( ~: s0 a( r2 _/ g( l* @
' {; {; e" M# q$ _8 J6 N大家帮我看看,为什么我仿出来的差分线的TDR不是一个恒值,而是上下波动的,是哪里设置的有问题吗?
' E' R) o- y( {0 [5 H  L! A用SI9000 算出来的值是106 ohm,和仿真的值也对不上啊.; v, `- D+ \0 w0 B) t" h
谢谢了.
+ E# {" p6 y" _附件里是HFSS文件.

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TDR.jpg

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发表于 2019-7-24 14:11 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:33
1 S0 X( s' _0 B- e; Z" E这个真是个老生常谈的问题
5 k. R2 T, L0 {5 @, |% y' d) h1 ]( |1 p" q$ I
1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性 ...

1 }: p) T" H- o2 ^/ n: T' d' o+ W+ m您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。1 a7 \5 j! v( v6 b& q/ D
按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线,- B; y. g9 p& a' Z2 U* \4 J) o
第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。6 ~% j% b' `+ f5 _8 s  d
第二次提高最大迭代次数至20,阻抗最低点向100欧姆靠拢,但还有两三欧姆偏差。继续提高最大迭代次数,结果基本没变化。- f) r  l9 e; r
第三次在第二次基础上将S参数收敛值设置为0.001,TDR结果基本就在100附近,与si9000结果基本一致,波动很小。
( @" P0 H' ^( B8 D/ V( ?% a% M# y后面2次结果的S11都很好,到-30dB以下了,S21也很接近,但TDR的结果却有区别(因为没有出现阻抗突变,所以预想都应该波动很小),请问这种时候仿真求解的设置应该按第二次还是第三次呢?第三次的设置仿真时长太长,而第二次的设置看TDR还有波动,是不是差两三欧姆可以视为不同软件的算法差异而不用管?. R% c. L( z  i: t, I  Q* i, {$ i
& V" [5 D. O2 C$ _/ n2 D) u1 I
另外,如果仿真的模型有阻抗突变,或者传输线阻抗与端口阻抗不匹配的话,用第二次设置的结果看TDR阻抗就和si9000很接近了(本帖您修改后的模型即如此),难道是端口阻抗和传输线特性阻抗匹配程度太高了,就要把仿真精度提高才能看准吗。
% m" A- p: N2 f5 s$ O- {  i  Q' a3 N9 g1 j& o4 S( G
请帮忙解惑,感谢!
4 j! q1 ^9 _' o/ U
! |. e) Q' o: B9 m$ c. }

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2#
发表于 2012-5-30 19:33 | 只看该作者
这个真是个老生常谈的问题6 z$ z' P6 a9 z

. \8 X, g6 j! ^0 I( s. Z& Y: f) Q1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性阻抗的,和哪几个因素有关,把软件这块弄清楚了再说+ r9 i9 i6 U8 v6 W" D/ q% W
2.不要认为SI9000算出来的就是对的,SI9000算的特性阻抗只是一个特例情况,用HFSS算出来的特性阻抗肯定会和其有所差别,这个又涉及到软件如何计算特性阻抗了,所以不必非拿SI9000的结果为标准,仅供参考,当然要是差的太多的话肯定就是自己的设置参数出了问题,好好对比下,基本上的错误不外乎这些
! T6 ?0 j2 a  c# c  X5 y4 Z: j3 k+ I: c1 ^
这个例子就先不帮你找问题了,你先按照我说的自己先试试看

点评

您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。 按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线, 第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。 第二次提高  详情 回复 发表于 2019-7-24 14:11

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3#
 楼主| 发表于 2012-5-31 09:48 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:33 1 n- H' H8 I* T1 N  W# e
这个真是个老生常谈的问题% |2 E7 I8 f/ m0 ^( Q) Y# M; H0 l
6 h# z+ M5 V; [) W! P) ]
1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性阻 ...

: i7 q% c& K2 m9 X0 K# \版主,那个help文档我看了,觉得我设置的也没什么问题啊,也可能是我进了什么误区了,麻烦你下下来帮我看看吧。

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4#
发表于 2012-5-31 10:40 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 09:48
- {! s) S' C( g% S4 D, J% t版主,那个help文档我看了,觉得我设置的也没什么问题啊,也可能是我进了什么误区了,麻烦你下下来帮我看 ...

  d: j3 g, s, b先把你用SI9000设置的界面参数截个图上来

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5#
 楼主| 发表于 2012-5-31 11:44 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 10:40 - }8 h# w3 Z. G1 f- I3 E& P
先把你用SI9000设置的界面参数截个图上来
: R8 w; a; ^) E+ o  ?
版主,不好意思,我这往外传东西太费劲了,这个还是昨天请示过的。
5 b  K* t! t" n8 p# l我用的就是微带差分线的模型:Edge-coupled surface microstrip 1B,W1=W2线宽8mil,线距5mil,介质板厚47.2mil,介电常数4.7,铜厚1.7mil。

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6#
发表于 2012-5-31 14:55 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 11:44   q# E5 m. g5 S5 ?
版主,不好意思,我这往外传东西太费劲了,这个还是昨天请示过的。
( t5 |( J2 b1 Q: S* G9 e, q# }* \我用的就是微带差分线的模型:Edge-c ...
, n4 O4 o. f; f. A4 k# t+ s0 t
不行就算了,我把模型有的地方修改了下,你先自己再跑着看看,建议以后可以用wave port的话尽量用wave port,不得已的情况下再考虑lumped port
1 `+ ?# z9 `7 l$ [, y0 p& ]6 _/ Q9 L+ c& z+ [
& e+ X1 G9 e; e" |2 M' l
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7#
 楼主| 发表于 2012-5-31 15:14 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 14:55 2 D# X- T6 a; G6 Q" I. ]% G2 E8 H# |
不行就算了,我把模型有的地方修改了下,你先自己再跑着看看,建议以后可以用wave port的话尽量用wave po ...
  a/ R0 ?+ o  V0 P+ m
谢谢版主,这样仿出来的结果感觉可信度高了很多。主要是我PORT的设置问题吧,
( ~' F- F( s9 m) a# v% K那楼主能不能仿一个加wave port 的,让我做个参考,我用这两种端口仿出来的感觉都不太对,万分感谢。

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8#
发表于 2012-5-31 20:33 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 15:14 6 S4 p" C0 k0 d6 V( @/ K. h
谢谢版主,这样仿出来的结果感觉可信度高了很多。主要是我PORT的设置问题吧,9 \; Q: x' c. A$ ]# N8 p1 y
那楼主能不能仿一个加wave ...

% _# S( y. ~  c* u) M我把长度改为100mil,然后再用waveport的去嵌变为500mil,这样更准些,附件你试试
% x- Z( K, T0 W9 W5 k, l! k+ \$ M+ b1 \
" n9 `/ u- _) G; J5 q/ s- t
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9#
 楼主| 发表于 2012-6-1 16:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 20:33
4 T% X  N1 t  R' X4 s* _我把长度改为100mil,然后再用waveport的去嵌变为500mil,这样更准些,附件你试试

. d" h( p9 ^: e  o谢谢版主,按照你修改好的模型仿真结果确实变得准确了。
( o7 t( s" M9 L5 U4 w& g突然觉得仿真存在好多不确定性啊,看来多个软件同时使用更保险些。! }# u: A! g  Z1 d4 o8 M
我还有一个问题:当一个模型确定后是不是它的反射系数就确定了,比如说如果我端口加的100欧姆,模型的阻抗是100欧姆;如果端口变成90欧姆,那么模型的阻抗就变成90欧姆了?
/ ]0 e7 w7 u  e3 d$ H我仿真出来的结果显示的是这样的,所以我是不是可以认为,模型的反射系数是个固定值。
8 x$ W) ^3 K, a% ]+ n0 Q可是模型本身的阻抗不也应该是个定值吗?

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10#
发表于 2012-6-1 16:54 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-6-1 16:57 编辑 5 ?* {, U# I5 _. q  S+ F
peijing 发表于 2012-6-1 16:37
" {. @6 ]8 i! a& }/ T6 s2 m谢谢版主,按照你修改好的模型仿真结果确实变得准确了。
4 Y0 V* |8 R( Y2 M突然觉得仿真存在好多不确定性啊,看来多个软件 ...

  Z, J! x! \# j8 ?3 T
% ]$ b) y2 V/ b) \4 C2 z不是说仿真有不确定性,只是说你要对软件的一些背景知识做深入的了解才能保证不会出错,软件只是个工具,你输入什么,就会得到什么,输入为正确的,结果就是正确的,输入为错误的,得出的结果当然是错误的,3D全波电磁场这块确实对于新手来说有点门槛的,容易出错,慢慢练练就好了。) W! ^( Q3 @+ V/ q8 T: h) |& R5 ]

; {. D3 A! E8 l6 O! V3 \5 B第二段没看清楚什么意思,端口阻抗和模型的实际阻抗是两码事情,模型的实际阻抗当然不会随着端口阻抗的变化而变化的,端口阻抗变了,反射系数当然会发生改变,最直观的就是S参数会发生变化,但是TDR跑出来的结果应该是不会变的

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11#
 楼主| 发表于 2012-6-1 17:08 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-6-1 16:54
* o; _5 J: d, j5 P7 ?不是说仿真有不确定性,只是说你要对软件的一些背景知识做深入的了解才能保证不会出错,软件只是个工具 ...
1 ~& @" J* w1 f) P( K) i5 S, Y
我在看过孔的TDR时,当把差分阻抗设置成100欧时,过孔的阻抗是100欧,把差分阻抗设置成90欧时,过孔的阻抗是90欧,S11是有变化的,我有点懵了。
$ k$ }) t9 ^. {: m' Z' i

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12#
 楼主| 发表于 2012-6-1 17:13 | 只看该作者
我知道了,是我弄错了。
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-4-7 15:32
  • 签到天数: 27 天

    [LV.4]偶尔看看III

    13#
    发表于 2012-6-6 19:44 | 只看该作者
    peijing 发表于 2012-6-1 17:13
    1 f. K3 o% _8 W$ S. j& \我知道了,是我弄错了。
    : h& S, ]) N/ q5 R
    你好!可以吧过孔的工程文件传上来我看看嘛??谢谢!

    该用户从未签到

    14#
     楼主| 发表于 2012-6-7 15:07 | 只看该作者
    gavinhuang 发表于 2012-6-6 19:44
    ! J& V% t2 C+ B: N. `, y9 M1 d你好!可以吧过孔的工程文件传上来我看看嘛??谢谢!

    2 C  ^* `- {. k, d3 `7 ~8 o不好意思啊 我前面也说了 我这往外传文件 很费劲 需要跟领导打招呼 往后让网管给传 你可以下载一个专门生成过孔的软件 论坛应该就有 叫viawizard
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-4-7 15:32
  • 签到天数: 27 天

    [LV.4]偶尔看看III

    15#
    发表于 2012-6-7 15:24 来自手机 | 只看该作者
    peijing 发表于 2012-6-1 17:13
    8 h  W: a4 c. f6 o1 s& g# O$ _我知道了,是我弄错了。
    1 q' H+ w, {8 L. K' V2 u
    你怎么错了?你怎么看的你的via的阻抗
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