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yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:33) o1 M1 I z: j b/ E2 o1 ]
这个真是个老生常谈的问题
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1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性 ...
7 P' c8 F& Z: W! ]您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。1 ?* N8 \3 w/ P- [" J3 u" e
按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线,) Y0 ^6 T3 y) m8 V
第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。
$ U6 v+ d4 k7 c4 }$ M6 b, f第二次提高最大迭代次数至20,阻抗最低点向100欧姆靠拢,但还有两三欧姆偏差。继续提高最大迭代次数,结果基本没变化。9 ^, H' G0 ]. `2 I8 N1 ~
第三次在第二次基础上将S参数收敛值设置为0.001,TDR结果基本就在100附近,与si9000结果基本一致,波动很小。0 B: Z4 l. T: ]& P. b( f
后面2次结果的S11都很好,到-30dB以下了,S21也很接近,但TDR的结果却有区别(因为没有出现阻抗突变,所以预想都应该波动很小),请问这种时候仿真求解的设置应该按第二次还是第三次呢?第三次的设置仿真时长太长,而第二次的设置看TDR还有波动,是不是差两三欧姆可以视为不同软件的算法差异而不用管?
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另外,如果仿真的模型有阻抗突变,或者传输线阻抗与端口阻抗不匹配的话,用第二次设置的结果看TDR阻抗就和si9000很接近了(本帖您修改后的模型即如此),难道是端口阻抗和传输线特性阻抗匹配程度太高了,就要把仿真精度提高才能看准吗。
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请帮忙解惑,感谢!9 \& Q7 s3 h8 D' v8 |
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