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在处理各种形式的EMI时,必须具体问题具体分析。在数字电路的PCB设计中,可以从下列几个方面进行EMI控制。" F6 @! q8 A1 Y& j) B9 |3 L" o' K
" S8 a9 c; ^6 G& X0 j器件选型9 o$ k! Y) N S" A* n. V
在进行EMI设计时,首先要考虑选用器件的速率。任何电路,如果把上升时间为5ns的器件换成上升时间为2.5ns的器件,EMI会提高约4倍。EMI的辐射强度与频率的平方成正比,最高EMI频率(fknee)也称为EMI发射带宽,它是信号上升时间而不是信号频率的函数:fknee =0.35/Tr (其中Tr为器件的信号上升时间)4 s/ T5 n' _% k& e/ W- Q X! q( u9 N8 z, W" E, H
这种辐射型EMI的频率范围为30MHz到几个GHz,在这个频段上,波长很短,电路板上即使非常短的布线也可能成为发射天线。当EMI较高时,电路容易丧失正常的功能。因此,在器件选型上,在保证电路性能要求的前提下,应尽量使用低速芯片,采用合适的驱动/接收电路。另外,由于器件的引线管脚都具有寄生电感和寄生电容,因此在高速设计中,器件封装形式对信号的影响也是不可忽视的,因为它也是产生EMI辐射的重要因素。一般地,贴片器件的寄生参数小于插装器件,BGA 封装的寄生参数小于QFP 封装。9 U$ p8 F: M8 t2 P' W$ L
) `! f% @$ k! S. ~连接器的选择与信号端子定义
5 W% d( |1 [) M8 t 连接器是高速信号传输的关键环节,也是易产生EMI的薄弱环节。在连接器的端子设计上可多安排地针,减小信号与地的间距,减小连接器中产生辐射的有效信号环路面积,提供低阻抗 回流通路。必要时,要考虑将一些关键信号用地针隔离。4 W+ s I; W* m2 ^3 l* r) X
叠层设计8 L: {3 Y% Y0 ^$ K$ N
在成本许可的前提下,增加地线层数量,将信号层紧邻地平面层可以减少EMI辐射。对于高速PCB,电源层和地线层紧邻耦合,可降低电源阻抗,从而降低EMI。; D' S$ V* B, Z" U8 F3 `- b" j* {1 J8 O/ l
布局. N3 ~0 I& F A4 U* S+ Z# R, R3 V' n
根据信号电流流向,进行合理的布局,可减小信号间的干扰。合理布局是控制EMI的关 键。布局的基本原则是:+ [8 x% Y$ r) c: J; o$ P t% J' \5 v$ o# \
●模拟信号易受数字信号的干扰,模拟电路应与数字电路隔开;5 f. W, r+ ~* z# f4 m6 V \5 A8 a% t; A- f; t. Q' f
●时钟线是主要的干扰和辐射源,要远离敏感电路,并使时钟走线最短;4 Z6 P+ n0 m- ]; z" U# _9 R' o, O/ P: Z3 ~- g* ]) n
●大电流、大功耗电路尽量避免布置在板中心区域,同时应考虑散热和辐射的影响;# l) _' ~+ B- N& o: N6 k
●连接器尽量安排在板的一边,并远离高频电路;
' R! [% ~; ?2 ]) }●输入/输出电路靠近相应连接器,去耦电容靠近相应电源管脚;
# s! O. h$ l/ X1 @& s6 A1 b% J●充分考虑布局对电源分割的可行性,多电源器件要跨在电源分割区域边界布放,以有效降低平面分割对EMI的影响;
9 Y! M( w1 ?" @9 s4 l& Y9 O●回流平面(路径)不分割。3 _9 N+ m* d# d3 G$ | o, z( V
布线
7 ?2 E. ~5 b' q) B4 O: ? ●阻抗控制:高速信号线会呈现传输线的特性,需要进行阻抗控制,以避免信号的反射、过冲和振铃,降低EMI辐射。/ J1 V9 `! F0 K( S5 u
. o6 b7 z( @5 l' n; d! `) ?2 d; r●将信号进行分类,按照不同信号(模拟信号、时钟信号、I/O信号、总线、电源等)的EMI辐射强度及敏感程度,使干扰源与敏感系统尽可能分离,减小耦合。$ x" P( o6 U' J0 Q+ o# |5 X# k; l
) U+ E5 j* P7 u: o4 y$ B8 r7 f●严格控制时钟信号(特别是高速时钟信号)的走线长度、过孔数、跨分割区、端接、布线层、回流路径等。$ u# v& s; [$ U1 B4 G+ J& L! F
●信号环路,即信号流出至信号流入形成的回路,是PCB设计中EMI控制的关键,在布线时必须加以控制。要了解每一关键信号的流向,对于关键信号要靠近回流路径布线,确保其环路面积最小。(
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r3 [- ?% R: W; g6 n q( h/ Y% ^对低频信号,要使电流流经电阻最小的路径;对高频信号,要使高频电流流经电感最小的路径,而非电阻最小的路径(见图1)。对于差模辐射,EMI辐射强度(E)正比于电流、电流环路的面积以及频率的平方。(其中I是电流、A是环路面积、f是频率、r是到环路中心的距离,k为常数。
/ c) {/ J8 ^: T( b! S 因此当最小电感回流路径恰好在信号导线下面时,可以减小电流环路面积,从而减少EMI辐射能量。4 y5 F1 i9 P3 z R
●关键信号不得跨越分割区域。
! d: Z9 c3 O, v5 Q! A6 y●高速差分信号走线尽可能采用紧耦合方式。
, m: E. B- J! ]/ R3 C- M8 }●确保带状线、微带线及其参考平面符合要求。& ^* g: W- d3 C( `; O
●去耦电容的引出线应短而宽。" k3 ~% d4 `7 p0 @6 F
●所有信号走线应尽量远离板边缘。
) u1 U% H& H& P* v2 z( q* `9 J●对于多点连接网络,选择合适的拓扑结构,以减小信 号反射,降低EMI辐射。
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