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为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND

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1#
发表于 2021-11-20 14:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到AOZ13984这个物料用drain做thermal pad, 然后还需要去设计比较大的散热铜皮, 纳闷为什么不设计成把EXP pad直接连接到ground上面,这样散热不是更好?PCB设计也更简单" u& ?& _0 q' d) `& {, \7 Y1 Q3 j

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发表于 2021-11-22 15:32 | 只看该作者
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱直接導到下面那堆控制電路,嚴格來說是沒有好處。
    * Y% \- J/ K, x  Y( \) d
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AOZ13984DI-02.jpg (21.07 KB, 下载次数: 7)

AOZ13984DI-02.jpg

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3Q  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:51

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2#
发表于 2021-11-20 14:28 | 只看该作者
你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个芯片里面的地就是个参考用,又不走电流。电流是从外面的地回流,

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我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单  详情 回复 发表于 2021-11-22 14:51

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3#
发表于 2021-11-20 21:42 | 只看该作者
如果这样大面积连接,PCBA加工的时候锡膏散热过快,空焊很严重的
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-16 15:57
  • 签到天数: 242 天

    [LV.8]以坛为家I

    4#
    发表于 2021-11-22 10:27 | 只看该作者
    楼主,其实你看这个芯片的工作原理就知道了,它本身地的电流就不大,这个地都是那些控制信号的参考地没有大电流流过,所以不会发热。而输入输出是要过大电流的,所以才会有这样的应用。

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2021-11-22 14:51 | 只看该作者
    asdf193 发表于 2021-11-20 14:28& n) S" u4 n$ G% C$ m4 U  i
    你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个 ...

    / s% m1 ]6 s/ V9 b" m  ~我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单
    7 H( h) e8 \- B: [4 s7 L

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    7#
    发表于 2021-11-22 23:45 | 只看该作者
    本帖最后由 canatto 于 2021-11-22 23:47 编辑
    4 ^2 ~% Z( g# G" `* l: G1 R
    / q8 z& s: @' B% t1 F$ o' X! j8 AFET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接。这样凡是在应用电路中drain不是接地的情况,如果要求用PCB铜箔帮助散热就只好专门设计一块铜箔连接热焊盘,而且不允许接地,否则短路冒烟。

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    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:52

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    8#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:51 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2021-11-22 15:32
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱 ...

  • $ w- N& g) C# t3Q8 I+ t4 d% k- m- L* U+ Z1 x4 ]

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    9#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:52 | 只看该作者
    canatto 发表于 2021-11-22 23:45( T: H) q$ n& B6 Z
    FET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接 ...
    9 N# u) E1 k& s8 t: u% c2 w
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    , _" @  a+ F2 H9 g

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    谢谢分享!: 5.0
    thermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2021-11-27 06:58
    不要寄豬肉乾給我,這邊會罰三十萬。@_@!!!  发表于 2021-11-24 13:28
    谢谢分享!: 5
    就這個芯片架構來說,把散熱銲盤設置在這個點,會有兩個汲極Drain)在上面,就散熱面積ˊ來看,是一個最佳的選擇。  发表于 2021-11-24 13:15
    吾人畢生所學,盡傳予汝! 你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)  详情 回复 发表于 2021-11-24 13:08

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    10#
    发表于 2021-11-24 13:08 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:526 I: {2 D& I% ~
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    . \+ _: i) g5 e! z  s0 Y* a) k% ]
    吾人畢生所學,盡傳予汝!
    - F+ M* ]; R: X% d& m! K8 Y. ]
      z' g* r8 e) K, A2 f你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)
    4 y! Y5 O% T- v& a$ U, `" j. G8 i3 j! g: D1 G9 h

    3 B. q- _5 H: y& ?0 k

    為什麼大多數 Power MOS 的 Exposed Pad 愷設置在 Drain 端?.pdf

    590.49 KB, 下载次数: 4, 下载积分: 威望 -5

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    kobeismygod + 2 感谢分享!不愧是特邀版主,完美解释我的疑.

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    11#
    发表于 2021-11-27 06:58 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:528 N7 @8 M) G5 G
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?

    % t  z0 w$ `6 K3 @$ _9 {) ethermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。" w" Z. M% Z& {9 g5 w3 z
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