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为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND

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kobeismygod

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1#
发表于 2021-11-20 14:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到AOZ13984这个物料用drain做thermal pad， 然后还需要去设计比较大的散热铜皮， 纳闷为什么不设计成把EXP pad直接连接到ground上面，这样散热不是更好？PCB设计也更简单& {* u' Y6 G' N, {5 [0 o3 C

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发表于 2021-11-22 15:32 | 只看该作者
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管，該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地，相對的也會把熱直接導到下面那堆控制電路，嚴格來說是沒有好處。
    ' b% W. G; r0 g$ P( R
! d5 c& V, y' O. V- N9 t; X  j

% \8 B, Z/ A' e4 K$ P
9 t3 r5 n2 b0 p) v

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AOZ13984DI-02.jpg

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kobeismygod
3Q  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:51

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asdf193

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2#
发表于 2021-11-20 14:28 | 只看该作者
你看他原理结构就知道了啊，大电流的时候，那个里面的两个MOS管会发热啊，所以要把热量传走免得升温，这个芯片里面的地就是个参考用，又不走电流。电流是从外面的地回流，

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kobeismygod
我其实说，把这个thermal pad做成GND net ，不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗？不需要单独做layout 比较简单  详情 回复 发表于 2021-11-22 14:51

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allegroxxx

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3#
发表于 2021-11-20 21:42 | 只看该作者
如果这样大面积连接，PCBA加工的时候锡膏散热过快，空焊很严重的

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guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-3 15:09

    • 签到天数: 205 天

    [LV.7]常住居民III
    4#
    发表于 2021-11-22 10:27 | 只看该作者
    楼主，其实你看这个芯片的工作原理就知道了，它本身地的电流就不大，这个地都是那些控制信号的参考地没有大电流流过，所以不会发热。而输入输出是要过大电流的，所以才会有这样的应用。

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    kobeismygod

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    5#
     楼主| 发表于 2021-11-22 14:51 | 只看该作者
    asdf193 发表于 2021-11-20 14:28& H* v6 u6 S. X7 O7 O
    你看他原理结构就知道了啊，大电流的时候，那个里面的两个MOS管会发热啊，所以要把热量传走免得升温，这个 ...
    , d2 ?/ Y! S* V+ Q3 e# f# N5 |6 g
    我其实说，把这个thermal pad做成GND net ，不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗？不需要单独做layout 比较简单
    1 x9 @  E1 u/ D+ X) k( Y

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    canatto

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    7#
    发表于 2021-11-22 23:45 | 只看该作者
    本帖最后由 canatto 于 2021-11-22 23:47 编辑 4 i& Q$ g4 T2 [, s, i. U
    + ~. E- v9 _* s9 G8 w8 Y) i( H, z
    FET的功率耗散是发生在drain上，为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻，两者直接电连接。这样凡是在应用电路中drain不是接地的情况，如果要求用PCB铜箔帮助散热就只好专门设计一块铜箔连接热焊盘，而且不允许接地，否则短路冒烟。

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    kobeismygod
    如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:52

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    kobeismygod

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    8#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:51 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2021-11-22 15:32
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管，該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地，相對的也會把熱 ...
    • ; i  z2 z. F" ~) }
    3Q
    - @( E7 F8 `$ r# K5 x, `4 G

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    kobeismygod

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    9#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:52 | 只看该作者
    canatto 发表于 2021-11-22 23:451 |6 x$ P, E: C+ j' [
    FET的功率耗散是发生在drain上，为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻，两者直接电连接 ...

    + v2 V( D, }4 r( K% Q' h如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?2 E' D8 G6 a/ s1 [6 U2 A# j4 V

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    谢谢分享！: 5.0
    canatto
    thermal pad 在器件内部连接 drain极，是半导体工艺决定，没的改。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2021-11-27 06:58
    超級狗
    不要寄豬肉乾給我，這邊會罰三十萬。@_@!!!  发表于 2021-11-24 13:28
    超級狗
    谢谢分享！: 5
    就這個芯片架構來說，把散熱銲盤設置在這個點，會有兩個汲極（Drain）在上面，就散熱面積ˊ來看，是一個最佳的選擇。  发表于 2021-11-24 13:15
    超級狗
    吾人畢生所學，盡傳予汝！ 你害我昨晚帶著肉乾，去請教已經退休的師父。（自行束脩以上）  详情 回复 发表于 2021-11-24 13:08

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    超級狗

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    10#
    发表于 2021-11-24 13:08 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:524 h  _: a. I! Z8 A+ ^/ q3 u2 O$ H$ o
    如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?
    / J! u9 ]; [2 F/ k( {6 ^) B
    吾人畢生所學，盡傳予汝！
    9 F2 z7 b; |6 ~; k0 K+ d  k+ v" R5 E9 T! P
    你害我昨晚帶著肉乾，去請教已經退休的師父。（自行束脩以上）
    # j4 t; E3 C( p# m$ {& ?
    7 `. U8 |. n/ R, i( `, C) F1 [7 H8 S+ J: d+ T

    為什麼大多數 Power MOS 的 Exposed Pad 愷設置在 Drain 端？.pdf

    590.49 KB, 下载次数: 4, 下载积分: 威望 -5

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    参与人数 1威望 +2 收起 理由
    kobeismygod + 2 感谢分享！不愧是特邀版主，完美解释我的疑.

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    canatto

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    11#
    发表于 2021-11-27 06:58 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:52
    ( e+ I4 W: f- x% v4 l" ^如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?

    , H1 g1 H, @: r& B6 zthermal pad 在器件内部连接 drain极，是半导体工艺决定，没的改。
    & D& |  `) J& O! C. Y$ n

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