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2017年9月7日公益PCB评审报告节选

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1#
发表于 2017-9-8 09:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1.电源焊盘没有钢网
. F, h, p: ^! b7 w
& [+ p/ w- x3 m. X0 }$ e

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 楼主| 发表于 2017-9-8 09:06 | 只看该作者
7.关键信号参考面不完整,多次跨分割及悬空
- y( ~% Y  y! p1 k( G
) O) y, |  g3 m$ o- F
  • TA的每日心情

    2020-4-16 15:19
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2017-11-6 16:19 | 只看该作者
    EDA365QA 发表于 2017-9-8 09:06- I% ?, Z& L. G# s% t$ b; }
    10.此类器件都是光耦器件,建议挖空处理。所有层都不要过线
    0 O. f5 C3 r% m+ _$ D  p2 Y
    如果需要挖空光耦下面,也不能完全隔离好啊,那不就需要光耦前端走线路径所有层都需要挖空了吗。
    6 G8 i* b/ h8 ^% |, x2 s0 S' c
    & x$ C- ^: a% R# x3 q; Z) c! e+ X) w% }

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2017-9-13 14:38 | 只看该作者
    菜鸟小泽 发表于 2017-9-12 20:34" I' m: n  h) I1 U, L" k
    请问版主该图片列举的光耦器件速率达到了多少,可以作为平时设计的一个参考
    % n9 M4 ?6 Z0 i1 q  O1 k3 v
    光耦是隔离器件,是靠光电来耦合的不用考虑速率.5 L. i" m# d* [+ d

    点评

    学习了,谢谢  详情 回复 发表于 2017-9-13 19:14

    该用户从未签到

    2#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:04 | 只看该作者
    2.由于U1输出的4输模拟信号需要穿过数字区域(VC)到电源区域(VS),因此建议信号靠近旁路电阻(R51)进入电源区域后再分开
    * {* \, R2 p3 p4 \+ h
    1 t! H5 L  F5 g& n! {7 d+ t

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:04 | 只看该作者
    3.串口器件周边的5个电容建议都加粗处理
    9 H+ Y9 ~. Q" V1 i8 \# o 8 M# U. \; Q% X& F! o

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:05 | 只看该作者
    4.6V从电源(U6)到产生模拟5V的电源模块(U7)只有TOP层这些连接,需要加宽
    ! ~6 }3 A) S% o, W# A6 t; n " h- d# S5 L! V1 \! `

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:05 | 只看该作者
    5.晶振供电电路,加粗处理
    " s$ d* ~) f1 V4 N# {7 ` # C) B" B3 A+ c0 z* `7 K; ?! H

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:05 | 只看该作者
    6.参考面上有多余的挖空区域,导致时钟信号参考面部完整2 V5 O. ~. ?, k& q6 L" \

    " i" t. O  q( H" F- g

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:06 | 只看该作者
    8.变压器前后需要做隔离处理7 I3 w5 i: Z0 Q5 t2 |

    " F2 u; x# M& i6 X

    该用户从未签到

    9#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:06 | 只看该作者
    9.USB是差动信号,需要按照差分走线! k7 w1 {+ ~$ k- i9 P

    1 w8 e3 O% F3 a& ?5 ~; `+ m8 T3 L5 I

    该用户从未签到

    10#
     楼主| 发表于 2017-9-8 09:06 | 只看该作者
    10.此类器件都是光耦器件,建议挖空处理。所有层都不要过线
    8 x! W* ~/ m8 v  W$ W# w" F . r1 W$ p1 Z; H1 o- f6 k' x

    点评

    如果需要挖空光耦下面,也不能完全隔离好啊,那不就需要光耦前端走线路径所有层都需要挖空了吗。  详情 回复 发表于 2017-11-6 16:19
    请问该类器件不挖空在内层直接电源隔离是否可取?  详情 回复 发表于 2017-9-11 20:10

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-9-9 13:55 | 只看该作者
    学习了,很强大!!!
  • TA的每日心情
    开心
    2025-7-11 15:42
  • 签到天数: 89 天

    [LV.6]常住居民II

    14#
    发表于 2017-9-9 17:00 | 只看该作者
    look look  , study hard
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