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Open Drain 硬件结构肤浅的研究【欢迎指出错误】

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发表于 2017-2-25 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 傻大个牌纯碱 于 2017-2-25 15:36 编辑
6 d* Z: z5 B, V, Q* ^2 ^) x9 H/ U
$ P, W, F' q0 }8 }* T  R% [& a+ o“鹏哥,I2C接口为什么总是要外接个上拉电阻?”
! E0 U% W$ f1 f% g- j2 b“它是Open Drain结构。”" N1 H; G& K4 i* u' k
“哦!牛逼!”
0 _% _3 E' u2 C3 B1 F! h/ n+ G
1 R( n0 Q0 r1 f, o
! Y7 x2 O% j; G$ T我操,谁能告诉我 Open Drain到底是什么鬼?! s0 m4 d' x; a( L  c8 M. S( e5 ^
Open Drain,翻译过来就是开漏,意思是把MOS管的漏极不连接,悬空。手绘一个:8 `# q6 C4 d7 t% ^: L" B
. w: I; Z2 ?  D* t+ `* v1 V
开漏,是把上图电路中的Q2的漏极悬空。Q1是用来控制Q2的开关的。9 R. A9 }. m. ^7 ^9 A. l
当CONTROL=Low 时,Q1断开,Q2导通,OUTPUT= 0;
0 k7 |) a4 P2 v3 N当CONTROL=High时,Q1导通,Q2断开,OUTPUT处于悬空状态。
* Q0 h2 P& a1 P$ w/ f所以Open Drain的第一个特点:此结构本身只可以输出低电平(Low)
$ Q: H; H  k3 C7 R$ S
# C& ^! q: U2 I如果在OUTPUT端通过一颗电阻R2连接到POWER_1.8V,这种结构就有了输出高电平的能力:
% O$ y2 [. a  ^5 Z+ R. F
7 x$ o' q" k$ @' E4 V9 B, Y& u2 q( O当CONTROL=Low 时,Q1断开,Q2导通,OUTPUT= 0;( s0 \6 V$ Z# f" M5 D
当CONTROL=High时,Q1导通,Q2断开,OUTPUT=1。2 c1 H( r; g, }4 \: Z
R2的就是常说的上拉电阻,它的取值不是随便的,需要根据OUTPUT上的等效容值来选。在I2C的SPEC中第40页,专门画出了R2和等效容值的关系:% o- t* M3 r5 {6 m4 `# e8 G
5 _3 ~; W' f* m4 Q3 ], P6 U
图中可以看出R2(纵坐标Rp)和等效容值成反比例关系,简单地根据OUTPUT的波形来说:5 T% W8 [0 \! e5 u0 Z3 T
R2越大,OUTPUT上的上升沿越平缓;R2越小,OUTPUT上的上升沿越陡峭。上升沿的平缓程度就是我们常说的上拉能力。越陡峭,上拉能力就越好, t0 Z, k+ I0 L% T0 i0 K  _6 p7 U
需要注意的是,R2越小,功耗就越大。所以,R2要根据实际情况调整:先放一个大的上拉电阻,然后测量OUTPUT的波形,如果上升沿很陡峭,可以! e9 P& N$ t$ g% ^! i) I
考虑再放大点;如果上升沿太平缓,那应该放小点了。# ~6 K) \% }" P$ N
MTK老的平台,I2C的上拉电阻放的是2.2K。新的平台都用4.7K上拉,这也说明了MTK的CPU制作工艺在提高。
$ y6 q; J3 i- Z7 S, f同样,这是 Open Drain 第二个特点:如果要输出高电平,需要外接上拉电阻
5 A' P# \, ~: [6 G
* N. B# o& W2 W将两个 Open Drain 连在一起,只要有一方输出Low,这条OUTPUT就只能是Low了。I2C协议中,如果设备要占用总线,需要输出Low电平,就是这个原理。! z. v* U# q- D1 P" H
这是 Open Drain 第三个特点:逻辑与,多个Open Drain的漏极接在一起,就相当于“逻辑与”的功能
: I5 M  q# i) z$ ?  ^& T! b0 w( ], U, p9 P( R& M
Open Drain 除了用在I2C上,它还有一个重要的应用:电平转换(Level Shift): @* \. @6 H$ x# U8 d4 F4 K
在N355上用 Open Drain 结构搭建了一个I2C上3.3V与1.8V的电平转换,如下图:
1 h6 a# G3 a: x% w" \
1 G0 w/ p7 z! _1 t8 {& l" Z, `# ~3 Q0 f这个电路很有意思,1个IO电是1.8V的CPU与IO电是3.3V的IC本身是不能接在一起的,但通过这个电路,它们不仅接在一起,还可以进行I2C通信!
0 G$ f/ a/ ]3 Z* n/ N当理解了这个电路如何进行I2C通信之后,也就理解了电平转换。这个电路在进行I2C通信的时候,有下面四种情况:
3 @. m( |* H+ B0 W( s, \CPU发High电平(1.8V),Q6702/Q6703的Vgs=0(Vg=Vs=1.8V),两个MOS关断,IC端还是High电平;
# N8 _) S4 F% A6 bCPU发Low 电平(0V),Q6702/Q6703的Vgs=1.8V,两个MOS打开,IC端的高电平被拉低;9 J( p- H, `3 U/ N8 ]0 F$ k
IC端发High电平(3.3V),Q6702/Q6703的Vgs=0(Vg=Vs=1.8V),两个MOS关断,CPU还是High电平;
, F/ n! H9 X! ~8 ^IC端发Low 电平(0V),Vs=1.8V,Vd=0V,MOS管内的二极管导通(MOS管结构所致,S极和D极之间有个PN节,相当于二极管),CPU的高电平被拉低。) z: E1 b% c. O& h% h, _
3 a  Y* }: K: M+ `
; c0 ^8 F$ s; k1 w8 h, E

评分

参与人数 1威望 +20 收起 理由
admin + 20 很详细,图文并茂,赞一个!

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该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2017-2-25 15:35 | 只看该作者
欢迎指出错误
alooha 该用户已被删除
3#
发表于 2017-2-26 08:04 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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5#
 楼主| 发表于 2017-2-26 20:22 来自手机 | 只看该作者
alooha 发表于 2017-2-26 08:04
3 s# [7 Z  h5 y0 ~( P6 V哇!好详细的开漏研究,楼主辛苦了!
7 E+ c' q2 b, k$ P
有错误的话请指正哦

该用户从未签到

6#
发表于 2017-2-26 21:25 | 只看该作者
找PCB工程师合作,可以在此处留言

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7#
发表于 2017-2-26 21:25 | 只看该作者
找PCB工程师合作,可以在此处留言

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9#
发表于 2017-2-27 08:56 | 只看该作者
总结的还可以,总线的上升沿时间是R*C常数决定,驱动能力看集成管的参数,外部电阻只是提升驱动能力,理解有误请拍砖!

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10#
 楼主| 发表于 2017-2-27 10:34 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-2-27 08:562 l, W& T4 l  n! `) H
总结的还可以,总线的上升沿时间是R*C常数决定,驱动能力看集成管的参数,外部电阻只是提升驱动能力,理解 ...
: ^8 O: h/ ^* {$ M6 V) I
Heng,上升沿的时间也是一种驱动能力的体现
% C0 T* L! I! I9 q# S4 h

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11#
发表于 2017-3-4 16:49 | 只看该作者
那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V,而且P-MOS的S-D之间并一个二极管(稳定可靠)

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12#
 楼主| 发表于 2017-3-9 16:27 | 只看该作者
wy_703 发表于 2017-3-4 16:49
9 V- \4 O6 H& |那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V,而且P-MOS的S-D之间并一个二极管(稳定 ...

3 x+ x. J$ B, Z/ T' q6 F6 i那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V' w7 K) }/ L9 O7 s  m# K
——这都被你发现了,是我漏了,其实这个电路还有前端部分,在CPU那端已经上拉了。* y( ]4 Y! n, A2 Z7 k; P
而且P-MOS的S-D之间并一个二极管
4 s- P# M' D. m3 B——用的是N-MOS' |1 y# B+ O& Q, r" g

该用户从未签到

13#
发表于 2017-4-14 11:29 | 只看该作者
jaky 发表于 2017-2-26 21:25: O) @1 O, }9 M  K  G
找PCB工程师合作,可以在此处留言
8 |6 q& w* P" M
, J+ x0 p9 y; X& Q: [6 k  T4 M5 {
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-7-2 15:02
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    15#
    发表于 2018-11-19 21:52 | 只看该作者
    楼主辛苦了
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