PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

  在选型PMOS过程中
( L! {( l. p: X; _, H  a+ Y2 `1，第一份手册，
    switching parameters  一栏
! [- c# M  N& Y' q# H  C    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω，Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?
0 i$ o: |6 k+ X    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件)
2，第二份手册   
    switching parameters  一栏
   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V，Rgen=6Ω.
) P: U( Y% y( i5 w# Q   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值？
4 b1 L" w/ U: I5 e( W( @: w

0 I/ f* X9 n# a  t那么就有几个问题出来了
1） 内置肖特基特性，那个参数更能反映优劣性能？个人觉得, dI/dt=100A/us
) K& V, D9 ?! Z: e2） VDD和VDS两个电压是有差别的， 出现在手册里面，对VDS理解较容易， VDD呢？和ID关系呢？


! z' l1 C. \" P& V' U' E9 \4 R2 a因为最近有几款大功率驱动需要做，所认真读了下手册，竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点，在此谢过！！！！
/ `& G  j5 i0 E! C! O$ f. u

zhanweiming2014

( b% N' E- `7 S7 y
! d9 m. }# B' P3 X2 m, O+ A+ t这里对MOS一些参数汇总一下，算是对自己总结下
1，UGS--手册里面提到的一般是阈值，-20V~+20V，但是温度的改变，又会导致这个值得变动，且往小处变，变化系数-5mV/℃，在实际中，MOS温度达到80℃是经常的事情
) P* u0 x0 s3 m% {7 n2，正向传导系数yfs，这个参数我在选用中，真的考虑很少，甚至没有想到过。是这样子描述的：单位VGS变化所引起漏极电流的变  化，看到这个，再看看第一点，很快就明白了，MOS莫名其妙电流变大
3，漏极/原极导通电阻，导通电阻越大，这开启状态时损耗越大，也就是PWM信号占空比了，其实这里有两个关键字，“导通”，“开启”，用示波器观察过DS波形的人，都知道联系到这两个关键，怎么样去确定到底导通了多久，还得去仔细观察，况且这个值还会随着温度升高而增加，至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)
4，内部容量，也就是栅极，漏极，原极之间存储能量

这个参数，我也一直没有真正去考量过，只是大约估算着，输入的频率
5，内部二极管反向恢复时间
; ~2 z; }" h" L5 d2 |2 `+ ^' B; r
说真的，这个参数，在我心里好像是一个魔术，知道这么回事，却不知道如何去贴近实际理解6，连续漏极电流
) a3 C9 y7 m5 l定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数
9 r2 R# I4 E% [# t( _PD=ID(2)R(DSON)

% h. j7 `7 Z, s' [以上参数都是，网上摘录下来的。只是加入些个人理解

! q0 \9 ]9 R) d; Y

1 I/ W" h! V( Y' K
" c; |, [: b* l5 @# `4 s

zhanweiming2014

# a. m, y4 K0 c# T7 R+ N( j
0 c$ P8 l7 ?' @' H6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
  ~2 t# F( q$ Y9 |* s' L6 ~3 y7，Coss ：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振
8，Crss ：反向传输电容
0 E7 G; s! n/ `在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
以上三个参数，与实际应用计算却不知道了，有待....
& ~, f, y- U2 p0 S) K" K% I

zhanweiming2014

我总结一下，这几个月我使用PMOS经历
1，RDS不仅仅决定了功耗，还有输入电容
    一开始选择MOS时候，我差不多都是以RDS为标准，当然是在电压和电流满足前提下，可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现，功耗并没有减少，然后仔细一看，发现Ciss要比之前的大很多
2，通常情况下，电流特性相对于电压特性，更重要些，当然是针对DC低压供电情况
3，负载的匹配，太重要了，可是一直是靠着实验方式去验证，比较费劲，效果也不错
* x; Y) d4 M, u5 q7 u) M: K! Q----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
  现在也有些问题，一直模糊着
1，MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的，至少对我的感性负载是这样子，且有些杂散的波形，这之间关系如何去调配，当然是理论前提
8 D' Z( c  S8 N( |2 z) b7 C0 B2，负载匹配，我一直都是按照谐振频点去靠近，当然最后是实验，我不知道实际工程，是否有更加可靠的计算方式

fallen

Rgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
) K) s; i+ s- r& A6 M# IVDD通常代表器件的对GND的电压。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
Rgen是串联在GATE的那个电阻。
4 M# C2 ]8 m2 Q2 q65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

谢谢解答
5 M4 H4 f5 X+ I5 Z
- v7 r) p# A  z' p平均电流是，热阻算出来？
/ v# f& f* Y' O) s如何理解？
- m% Q: b- t1 T% u

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-2 17:37
! D' T4 B( {( I  N0 T% [谢谢解答

平均电流是，热阻算出来？

SORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
) q6 k( ^! X- q3 w* @里面体二极管的正向电流不清楚。
% B3 y( t8 o7 h

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 18:28
SORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
* }5 K5 ]- x0 v) E" w里面体二极管的正 ...

" w6 D. t! Q% B! ~    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
: i; S; `) q) m! G; H- b+ i* u% i
; s# L- {5 f) M: X) y1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量，为什么使用平均电流？
: \$ h0 A! }& n. i! Y
; J6 r/ M% u- }8 c) ~; R2，由于开关频率关系，按理说，我需要的是di/dt这个斜率才对
0 b; y3 e$ U: \% A3 t5 K$ u

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19
还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
% P! O- D: O; T, `! w
1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。
7 L; x- I3 \) d* y* `如果看开关频率的关系，应该是要看反相回复时间。
) B" ]4 g3 u0 u  G3 o* _

超級狗

4 O: R3 X1 s1 ^$ C. d1 o3 PR_gen 的作用是 MOS 管在做開關測試時，需要產生上升（Rising）或下降（Falling）時間。

由於不同型號的 MOS 管，被設計出來時的寄生電容（Parasitic Capacitance）都不一樣，所以 R_gen 搭配脈波產生器（Pulse Generator）的值各有不同。芯片資料只是告訴你，做此項測試時所搭配的電阻值大小。

- A0 i% I& B7 R% d

: _6 y& \, B- U0 v% r! A

超級狗

關於 UIS（Unclamped Inductive Switching）測試，請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。
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' A2 {  q/ [4 z" _$ p3 C  V9 z& G* f
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zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-4 10:25
释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

    哦，这里我把体二极管看成是，内置二极管。的确实感性负载

zhanweiming2014

) e1 ^' H! d  L% W6 K3 a
: `# w2 r# [( f一开始使用MOS时候，第一时间想到的是，额定电压，额定电流，RDS，三个参数，其它参数都是“走马观花”式的，随着应用越来越多，功率越来越大，渐渐关注了其它参数，
1 {. s7 A8 R5 [% [6 D第一时间反映过来的是，功耗。粗若估计，发现电源应用效率偏低，也就考虑到了MOS上面。

zhanweiming2014

1 q$ g& K1 t+ ]4 v8 b* r; i
热阻，我在实际工作中，很少仔细计算过这个，一般是由散热器，仿真分析散热
! [: }  f* X1 ~; y

RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释，不知对错了
% T0 M: k5 @2 y$ Q, t- |9 w
1 Z+ `0 {! H; _( C+ w3 s

xxzhu163

赞一个！我感觉很多运用中，根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手，才会去关注这些参数，他们设计出来的电路也更加稳定。