PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
: _& N; w7 _  F4 D5 x6，Ciss ：输入电容
, A" o' M6 \0 b3 B+ l& m' H& K' Q将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

3 ~- V% |7 H+ g  y" n/ U场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
Ciss=CGS+CGD
$ E( C& T  ?9 x9 p, CCoss=CDS+CGD
Crss=CGD

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
8 p2 E8 p5 S2 N' Q, IRgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
* A; j  D! K/ }+ u恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

; h3 x) k0 z: h( ~那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
7 c  H4 b& W# J  O, E9 o& q你所说的是G的输入电阻。
两者概念不一样。