DDR3 data线走内层还是表层

kepo013

照常理的叠层为：
  T) n# N4 ^* Y9 o9 L; DTOP-GND-POWER-BOTTOM（其中表层走信号线，内层不走线已保持参考平面的完整性）
, D5 C+ L( o: o$ Y. q9 m$ N但是最近看见一份ddr3的layout guidelines，里面说data信号要走内层，addr和control可以走表层，局部叠层为
2 P8 j7 ?/ E; P5 etop(addr,control)-gnd-signal(data)-bottom(power)
" G; J9 J) q3 }- h/ X4 Q2 d1 {如下图
求助，我要按常规走吗？如果按照开发板，信号走在里面tune的空间大点，还能有效减少EMI。但是刚在群里问有人说加工不方便，不是很理解。
% k- x, C0 X2 ^  I# f9 L[img]file:///C:\Users\kepo\AppData\Roaming\Tencent\Users\398515912\QQ\WinTemp\RichOle\SKXSEBCMC8IDFEH4OAY[P]E.png[/img]

+ r: X% d( ~! O7 Y3 z

菩提老树

说说我的看法，其实任何信号都可以走表层或者是内层，就看你是你什么样的要求，对于你这个产品，个人认为应该是走在表层，因为是4层板，为了保持参考平面我完整性、信号完整性和电源完整性，走表层是比较合适的。

yangjinxing521

双面板。。。。。

allegro小菜

个人也赞同一楼所说的！

jacekysun

看你到底有多少个层喽，如果一个4层板你还想怎么走

True

4层板，如果可以那样走，data走内层好处是很多的，不信你可以试试看。

flywinder

如果是多层板可以考虑走内层

kepo013

jacekysun 发表于 2015-7-13 09:44
看你到底有多少个层喽，如果一个4层板你还想怎么走

是4层板
$ P  Q: |; X+ S; j. [

kepo013

True 发表于 2015-7-13 10:40
5 [$ r5 c6 E, v8 J; T( ~4层板，如果可以那样走，data走内层好处是很多的，不信你可以试试看。

6 m) g5 S9 m6 ]5 l: D( T8 a我也觉得好处是走线空间和EMI问题，而且参考平面也是完整的没有被破坏
2 s" L8 `  V- U  B* ], y. o" d你觉得好在哪？

kepo013

菩提老树 发表于 2015-7-12 20:06
% z; }# V' E9 [/ ]- p& |说说我的看法，其实任何信号都可以走表层或者是内层，就看你是你什么样的要求，对于你这个产品，个人认为应 ...

& [. Z8 ^3 {: }* q走在表层感觉好处没有走在里层多 但是我看实际的产品中还是走在表层的
- n1 H" Q( P, f& ~$ ?

后青春继续传说

学习了

一缕温暖

等高手；来解答

Log07071222

个人觉得 走内层的话，那就把所有信号线都走内层（主要DDR），然后表层（顶层或者底层）铺铜，另外一层表层走少量信号线，参考完整地平面在信号层和表层电源层之间，这样电源和DDR都是以完整地为参考和回流，

wwzn1107

学习了。。。。