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上电冲击电流的抑制

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1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
/ i3 d; n4 b8 W1 p4 D7 ~2 @/ y
    谢谢!
! q( b8 T/ X1 E0 y& b; j7 }

2 s3 i6 t* W% y" O* v0 x- e

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 10)

上电冲击电流.png

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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
; m$ K' y% S7 h' \5 V7 S我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
( d9 @2 L" ~( d+ l具体参数可以仿真一下,或者试一下
9 B: d4 u& ^5 z. Q5 q& [
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
8 U8 B) g: J9 ^  F& x7 s6 S5 i, X6 w2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
# w! c# \. |! ^7 h, P+ T0 r, n所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。" i# r1 Y) J& `* t: `
. z. j* q: H8 m

; E" @. L! F' l0 [

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37: X) ^% r$ {- J6 g
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

8 D- }( J- l( E+ d* x* \电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。9 ?1 b5 u( V2 J' B& A$ x0 p, J+ H
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。+ V$ a: J9 W! U2 W
这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。  {" d  l, L* d- M4 Y% ]  s
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。# z# R4 s0 a+ i. Y$ L( a* ]

4 e( L3 F+ |' k  t! }

! v9 H! o% q0 S$ [6 S9 C" F% y

点评

估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31. |$ ]! L# m: g  u# {8 O5 A; d9 c$ m8 D& t: t
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

. L1 ?  W! F) ~G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
2 w9 E5 {; q: L9 P. q) r之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
- M! C* _4 D. s

, [. Y1 W- P2 @6 r; E

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34, |. j$ Y! t4 w: W( R( W
串联电感

/ W8 f7 d* b' K在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。- I4 x# C* P3 g+ _% q

点评

串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

点评

G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20; k' m; x( ?/ l* D
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
3 z- ?( E3 e2 f: z6 w7 n) k之所以选择NOMS,而不 ...
$ X& ]% M! Z; L  p5 f# d$ F% ?( ?
哦 又学了一点呢 谢谢
" n. t1 c; @( x

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7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
6 T# s# a8 ?7 ?+ i* A! w& D在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。

$ S& i$ a# ^( B( q$ V串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
& j2 j  c3 h+ d& h你再找高手问问吧。
( N0 t2 N( U, R' ^2 r2 H" q

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8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变; k+ |) z: _% C; d7 C4 w/ |
7 H$ J! v. ?7 G4 Z
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻9 x8 j% o5 m: a8 |

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9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.
% M2 C  k, L2 R& u: ~Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
. D0 B" s8 }5 G# gA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
3 b( u0 F, `- a( F4 y5 ~9 Z5 D串联电感

* N0 g) I# o$ N+ a" x冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
1 R# p% q7 A$ U* U6 n& u

点评

恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

点评

不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:592 A' O: `! }% t
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
1 f4 ^9 Q4 u+ q" o* S" S
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。; n' J$ m6 A+ E& v

- }$ T. Y0 B# _8 n6 X5 P: p+ H
. }$ W( k. y# P5 l0 o9 F/ p# h! w; T, H' h" I1 C: G

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15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
; b! m8 \. |0 g& G) u5 @, g" {; M0 ^楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

& a! q2 x: X: M% x不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。1 f, H6 s9 b/ N: O4 Z- y, B& _

点评

容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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