找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 6492|回复: 33
打印 上一主题 下一主题

上电冲击电流的抑制

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?

' B0 [4 j7 W' F2 E/ y. K/ o0 l% @
    谢谢!

# K; W- I8 [9 a% M$ u- u

6 I* g8 `* x8 E$ i6 t5 ]+ K: o% @- g

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 10)

上电冲击电流.png

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
2 U2 s8 j, e, ~2 @, `) t) p我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。8 G2 o9 ~: J& w7 F8 h; R* |7 U
具体参数可以仿真一下,或者试一下
; w; Q; E: z4 Y* H. |& K
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
6 l3 {* ~, _' ~) l0 m2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
+ R" ~  n. \6 A  l. l; p5 P所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
( ?8 x8 |% w$ H
) l& Z; }- _% D) `. B$ C0 @) ~: p. Z; A2 |

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:370 j' X+ [1 r0 r! r# m" S0 \5 A
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。
* v+ [. C% Q5 q& L$ \# p& Y# Q. X0 G
电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。( H4 m9 W  f+ B; g
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
5 L7 t, K3 w- |# ~, x% ^" T这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。
& |* F; u# \/ u后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
  c. J  x7 i" n  g
6 W, Y7 d% F# I$ X- F( |: Z2 D

6 m% P& u2 _7 h$ G1 D9 K

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
) @" H) K+ ~3 ?/ C& L6 e" k为什么是N管呢,你确定能完全打开?

* y, y1 N2 i$ e/ w0 B1 Q- m# QG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
+ N; I5 L* q7 E/ B, R# \+ M$ q之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。

7 N6 t$ z$ c$ m/ Y; G9 h" ^
! g* l# o$ v/ m4 t$ s6 s

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34& D' `; M) p7 W8 ?; r
串联电感

" B  \- ]- x% M& U4 r在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
6 @+ W7 n3 I) A8 U

点评

串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

该用户从未签到

4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

点评

G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

该用户从未签到

6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
3 g$ g& G, B! j- m; b% R& U3 MG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
1 s. t  o5 k2 ?% }1 b1 M之所以选择NOMS,而不 ...
* c4 S, h3 y9 r! ]1 ~) N5 P8 d
哦 又学了一点呢 谢谢
) v, p- l2 R! R: d$ S

该用户从未签到

7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
; O6 T/ G5 I2 R在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
2 F$ _% S# f* o/ P! h. c. Z
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
8 \2 O) G! i# _2 e$ s3 `你再找高手问问吧。
! @( u, _/ s2 a* w# Z. j6 z: h/ w  L" {6 m

该用户从未签到

8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变1 J- `  m* j+ }
( z% @; ^, S- q  |- J5 d4 {
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻, C! s! b, N+ z/ b) g1 \

该用户从未签到

9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

该用户从未签到

10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

该用户从未签到

11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.% P) [& T- K. ~8 f6 k
Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.8 Q& }" ]2 b! I$ u* e% i
A resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

该用户从未签到

12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34( {& G9 [: `' u5 b
串联电感
' o1 E$ r  h0 [8 \% E
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过* r, {8 o9 C1 e! }! K

点评

恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

该用户从未签到

13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

点评

不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

该用户从未签到

14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:593 `7 W" L+ H: t
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过

  ]0 Q+ u+ S8 |2 Z( Z$ f恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。
) [4 }* ?! q- {. a! {5 ~! l
6 O6 p& i( u5 f
4 Q3 \) z+ t7 c# _6 j7 Q" C2 `
, M% f1 b' c- N, H1 l( U( T! K7 w% ?

该用户从未签到

15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
1 P1 ^8 l8 R0 \- I9 m* D楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

) J8 G, `7 g' d6 \不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
* s7 F) s" f  y9 t  P9 f

点评

容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-9-5 07:47 , Processed in 0.156250 second(s), 38 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表