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上电冲击电流的抑制

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1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?

4 K% h" |0 B$ p$ _4 x3 A  s6 Q
    谢谢!

' e$ a% j# f  D; B' h2 x

& s, `- q: I. C# ~

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 16)

上电冲击电流.png

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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
! a) C$ o* r  H  `0 z4 O我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。5 S' D- u4 Z2 s% @% a
具体参数可以仿真一下,或者试一下

1 f) k8 o/ H6 R, p  y使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
3 d% S) {5 o, P+ {# Q2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。+ Z. E- H9 G% r. Z8 J5 c1 u# G
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。  r7 ?) L8 [- V" F) J4 {
: R' Q1 P$ d3 q+ e: |* R( e
; n: N! }) B' y$ r3 e3 ^$ L! J8 D: i  Z

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37' R9 d! p' V4 r5 F
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

# a  _. O$ W+ I; j电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。; Y- r% L2 z- W3 X
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
' R& A& O# u, f* l这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。! F  t! p% s! V! N
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。* V* z: Z- t' T8 ?4 t  G
6 d0 m, K+ [' ^+ b0 ^
+ A$ K7 m% ^- ]# y  D  Q

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31+ t% e# m# k! p9 R- P
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

% Z8 f3 @- {% OG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
1 k1 x- |& Y: ^$ i8 J, F之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
- [+ l& Y) R  V# S- C

: \  I5 C* S$ O& ~  F

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
( B; q. q' Y2 Z) Y4 X( A/ k, }串联电感
7 O3 y  U' p/ {
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。4 D% L, K0 B8 s+ C

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4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

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6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:203 F7 m  f, E! T  v2 l8 e
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
/ @7 J5 `. |# g* |之所以选择NOMS,而不 ...
. h) g9 c% I( b" e3 t
哦 又学了一点呢 谢谢  c4 q  u- z" ^9 D4 C

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7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46" L% N7 E+ F" m/ U( I. ?1 s& R
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。

/ o, v0 c# q% t9 M: [串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
. c3 v; _4 A8 }7 }4 A  k你再找高手问问吧。
3 l. ~0 t, A7 h

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8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变) |; x$ M  i( b
& V" r) @7 I9 ?
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻3 y( I3 U4 k( h, L+ k, e

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9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.
8 E, V6 m3 g% X/ T. S6 VSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
- v* z, m7 P4 l1 ?/ X' NA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
# C) P' O2 t: B串联电感
& z& ~9 \8 H0 K, g3 L7 A' J
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
8 g5 f1 ^. F, O# L; h! ?, b' u

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13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

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14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
' N! H' U* [! i7 V3 j0 i8 F6 L# ]冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过

7 f& R; N4 F) S7 b  |+ {) Y恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。# g% h, X2 X( D) d& W4 m- y8 c
6 l8 ]3 ~2 O$ z, g1 A
9 C- C4 Q3 q  X+ m4 |
9 C$ k* h% }. Y7 m3 W+ [

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15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
9 f( h, ]0 n6 ]$ w8 X9 `楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
7 e3 N( D( N8 U" W% O
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
6 j" e& f% @# v9 _# d
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