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上电冲击电流的抑制

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1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
, e  K* F  b% _; M3 \% u/ c) Q
    谢谢!
5 e# C/ ~0 c" B
/ i+ }  K9 ]) I. f

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 10)

上电冲击电流.png

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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:369 H1 J$ d4 x% l6 z; h
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。( V; V+ x& F/ p: ^* n
具体参数可以仿真一下,或者试一下

. U9 p6 w8 _6 Q' ?. L- ]" }: i4 X* U" k使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
+ W5 v$ O2 K, M2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。: m8 P. [3 r$ e
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
0 c; M. P8 x8 A8 z" U- l2 y
8 ~; V8 j3 T8 V8 s" x
1 |( N/ X' v6 A' v

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
3 M4 U* Z0 c) l  U使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。
) ?& A7 D5 c6 X: f4 B- O8 ?
电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
: j$ k0 Y6 V' N1 Z% _5 U! C* {电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
5 F) V# u8 Q$ ]* z/ h4 a9 e这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。& D. \1 w( F7 c4 C; i' c$ k
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。0 V& `4 a. {6 Y& Z  {3 e4 Q& O
* d' _$ E1 c. I+ n

7 C3 Z$ Q- e# H$ v( ^5 l" m

点评

估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31, y8 Y5 f8 W0 z. L* h3 x* o
为什么是N管呢,你确定能完全打开?
( P$ q. E  Y1 m" L
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
/ d0 ~% ~9 i7 P2 L之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。

3 a/ y% v$ ]1 S& G  b  j) M6 |/ V$ A

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
* ]% e3 G" D- X9 p& M串联电感
1 X0 V$ y5 C' _1 S5 m2 R
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。' E( T; \* z0 ]; j6 @6 G" S

点评

串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

点评

G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
& z! d3 B+ m+ p8 N$ E* L. Q- \G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
$ X* w$ b& \/ R( J之所以选择NOMS,而不 ...

+ X/ R* K6 {; j哦 又学了一点呢 谢谢
' Z3 o8 |, t$ h$ ?

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7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
( X2 s9 @9 |% H2 Z( U在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
5 ]  T' S/ Q5 Y
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。6 o3 |* R: q4 a. l: J, Z  {8 b
你再找高手问问吧。
/ B  l' j: d4 w9 I3 M

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8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变, @! ]- p1 A) i, Q9 I! e

4 U; d4 Z" }$ a' `5 L不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻9 s, d: x7 M$ [4 J" ?3 u- _2 w% X* ]

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9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.
/ ]8 L% W8 h, QSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
: m1 s( i0 ~& `: g' T# rA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:348 |8 t) z2 t/ P; Q& |- G/ R- [9 r
串联电感

0 x% W' ?8 S8 H- z( |3 t6 G% K+ [冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
: P0 C- o7 R: h

点评

恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

点评

不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
! }# [8 h; R7 |( \/ t冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过

% @0 o7 k- ?/ o恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。! h% ~4 i1 z4 g1 E5 J% w$ e" F' b

$ [4 |+ v4 [6 K. s6 B  Z4 Z
0 D2 T1 r+ W. {, U. u4 [
1 }! J8 b* s% C, H' E/ x

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15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:592 |6 u& E4 m- z* p9 B
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
2 E) j8 w  a; S# w
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
7 P, o1 X8 j" o$ q$ s% v$ \- x# F2 u

点评

容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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