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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
, S6 {4 F$ j$ R; |0 o& U, p. }) a" l4 c( P7 V0 F; e2 i3 l
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

& b& t. |6 v) g+ @
% Y1 N! i0 w2 k9 {

3 u1 C( R! `2 O3 J6 r7 R( e
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

- R- k+ V5 B% O# i+ @# s

) o+ }6 s4 E& u) K* f
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

- g9 p% e2 i5 B1 g4 w2 w

6 T2 d7 A6 b0 n6 {
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

: p$ N: M3 F1 m

; ?; {  K/ h- c, R
" }: p5 O8 p. ?! N) a3 ~1 f1 B
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
: Q5 e4 a2 {+ f% \5 M3 s' R" s9 p+ K; X1 Y( m+ S

9 ?3 z( n/ w- K
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
2 t8 [& s; H8 n0 |0 o9 H2 }
2 R# y% v5 e" k5 j" ?4 I* S% z, x
6 n/ P! o* \/ D! H5 y# f7 x
; d- Z0 I- q( l7 @# r5 O: g
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
3 r( ?2 A" X9 v
# \# a: r" K5 {5 I5 |7 Q8 F

/ Z, U6 ~! s0 y
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
( r# ?' W0 r0 I) h; [5 {# N) \% u! N
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。+ Z7 ~. t: v/ L
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
. t( s0 ~3 q0 a7 o
) z* F& ~% B9 g: }  B
$ E) C1 a% }/ @+ Q9 @( F
这是为什么呢? ; t0 j( O+ {# Y9 g+ _
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,6 `" P. ?. W+ E9 g) x
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
( @% x, k" @6 {( `: q
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

: j8 B8 v$ Y8 K6 Z! A% h: \5 Y! u
& {- |2 k0 p3 x/ J: y
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

# O6 P  I9 l! ^" v9 x% ^5 M
+ O( I6 C; {! |- O" E, H" b

5 b+ O. e$ ^" e- n" r, ^
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
3 a. j: V7 T1 d' K

5 R3 t! G  ^" l( B. a3 \' T
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
  F" e& ]  m1 s4 t

& K3 ]8 v% H' C: I" u

1 Q/ l+ D$ D* o2 _. u  Z9 I/ m  q- }
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
* h8 d* a  v5 ]* ?" `
/ n6 Z; R- J6 a8 b( I
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

4 H* n( g/ W: l* ?
5 [6 _) q- Q. _" m0 W/ q( y6 g% t

& r3 z& S: i  I) d
而当电压极低时,其Cgd会变大。
$ i, `3 u+ z5 l8 S) O
                        
2 J4 D1 G" i# h6 @

$ D5 n0 X  |3 P0 R
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
7 f' b; _! n- u1 n! U0 D- M: N3 Q4 j) p5 I' O( t6 M

3 b4 A& U- F& b  N) C4 Q+ L, q/ j
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
: ^; Y/ g" D" D% T' R$ z, `

3 X, Y; W& c8 w( ^, G  S# S
4 e4 P: F) B$ s$ t8 t. \1 A8 L
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
8 l3 a  r! k; s0 S
5 t' s; S. t0 D- _: K2 [
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下: |+ v7 r$ y) _$ Z8 v

; ?1 F9 D( j8 }: s% S) v+ A
! B$ a( m* F7 n/ v$ h
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

: ]3 B, k- U0 o( g- `

5 Z. F$ s! Z$ E& F) ?" ^
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
/ H  M: P  v7 L( w% }: u2 t9 b
1 W$ J2 v4 k5 {/ V0 U0 S# K1 s  a
4 @0 W/ e- v. G* {2 o) G
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
" B6 k1 j; C: i% ^0 Q& v
: [0 ]6 |- h2 ~5 G/ K3 V0 l
我们作以下6个实验

- d" y. c) g6 ]# _, i
  [# n( Y' p! Z$ n! u3 m- E

* x5 T* Y1 M4 s+ S' Z# w( F6 H5 E& Q
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
* w' }3 u+ U8 A4 e$ d  G" D& {/ W9 V0 W
: K8 `+ O: w" U

: U6 Q& |" X- |# p8 \
2 \! B/ A1 i4 u  ?8 B
$ U* P- G+ t7 {0 U  @3 `
% x. B4 d; {& Y; J. s, Y: Q
7 |- x7 W, U* k

" X. ^( y5 u/ y+ @1 }$ ]. d+ f
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
, J2 J2 ~8 a+ S4 I; O! O' {
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
# l' i8 `3 g5 a" I. j: }' [& |( m4 \  i3 p! @1 A
) g% a0 K. m3 |; P( j% f
, f8 ~! j* E* d( o/ Y8 x

( |" [3 f9 \7 L! }$ H, u* @' j) o
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

$ i# q; R  R0 v# S9 S+ z& f
( w4 B" Y6 w" D3 t4 P4 D! [8 \& |( g$ S$ m
1 b5 F2 g; z# @) @4 |3 y
" W7 x1 ]( e5 s$ T1 T
其他详细原理   可参照  2 D( Y8 A5 a" B0 T# r+ G  @' Z
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... - z) [! J+ V( _0 \+ ~  V
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  ' v) W8 Q7 W! V& O7 p+ Z5 b* P
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...1 V+ V4 I' e9 i! b
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析& w* P$ l& S5 I# v- M0 |4 j2 j
) h+ w* t- x0 D  P7 M% H
  在此就不赘述
! |1 ?% z' W4 h; w9 S
" S1 o2 _; O, X* Y$ O' B( }

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

该用户从未签到

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

2#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

4#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    7#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

    2023-3-24 15:36
  • 签到天数: 68 天

    [LV.6]常住居民II

    10#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
    ; T7 p) {9 ^+ |/ b

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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