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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
+ n. |/ j2 v4 `  k; w- x% U$ I. P
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
+ M3 D# q% _% @3 Z

1 l7 A/ P5 {3 j1 @! d

- s  w6 ^3 K. t  \8 q9 K6 n/ R
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

6 \/ w6 H9 `# M& M/ ^# V' L

/ w" D" v) B8 Z) p$ t
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

6 U: v! A$ u% t

8 f+ o3 E4 M4 q
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

! B: w% ?1 R# v( P$ ]3 }* E

* \1 d- [8 }$ L4 z2 Z+ m& Q
+ z7 [. T. {% G. g4 ]$ d
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低" J8 h% d$ E/ a) i; G4 Y

' V5 n) r- e& b/ @- H$ c; B. r9 A5 e. i
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
+ R4 w- K# Y- F$ G  @/ \$ ]& z
( r8 x# K5 F. D* l2 D

$ b. T) E1 b  b) z8 R
  \" h' Q* r, Q, v* z1 `( g
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
( A+ V; p0 n" J3 \& R- ~$ d* J& W1 @# w: Y# ^
4 \4 t9 M; P6 y& U  ]
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
# W2 ~, n. L$ X! h( y
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。6 I2 l" f9 w% R: D: u3 X
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
" l% k; _$ V4 y" I$ z& u

0 h5 s; l) k  l/ H: |& B
6 m1 u2 X% A" f0 r( C* P4 q! j; d/ J
这是为什么呢?
) P: N/ F" @. _$ _) s
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,9 b! B, Q) j5 e" {1 h" b
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
8 E" B6 Q+ j3 t+ d+ k
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

( i' k. C+ b7 U

# Q% P+ D$ K1 D' b$ ?* t. x
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
& I7 f6 r8 a, k- P9 a5 y; J( S- Z

- }. S) @9 h" w1 h* A3 ^3 z7 c
' d# s8 L4 c$ }1 @' |
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

7 e: ]% x- R3 z/ x, S

+ y4 Q) o3 L$ R9 P$ o4 J
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
' P5 U0 t# }: u
2 i9 ~# c# E$ t, Z

7 G* X# u+ b* l
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

& _+ }" c; e* A* I" D
; r5 _8 M+ U4 [) F* i" G3 t. e
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

2 _) F7 H% J/ x( i. i. q8 |. H

+ Q" d3 H* X. i0 y2 g6 K9 k
% n* N1 e" V3 V% u6 k! w
而当电压极低时,其Cgd会变大。

  M3 L  I* p/ C5 F/ z
                        

2 W9 }5 U4 I$ w* h. A$ b
7 e9 r; Q% E9 o! ~3 h; g6 U$ {
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差: Z/ N; h* v8 p7 }
, I0 z$ R1 s! Q/ Z0 `8 X- v

6 f9 K1 m/ L" t7 O# c* T. e* [
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
: y! B" d: m- y# w: f8 K  U

, p+ C  r  M+ i2 K% ?- R# k

% H6 i. _9 _; G/ q7 |
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
: f7 f$ N- y* q* M% T# \

$ S) m& Z/ p0 ^- Q
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下5 u( M0 z$ z% x+ N1 [: }! }6 z

0 O3 b  Z; E9 d! n$ Q, `. v: ~9 t
2 ^  y2 ^- H% O- I% v
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

* m4 m2 n6 M2 b( n

$ Y+ V7 q0 l/ a4 s! U
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

. b8 o( G5 G0 r; v4 D$ R4 z8 j0 C

8 F  j0 B6 ^1 W  I) ^
4 c* `( ], F4 Q) H. O; q/ s8 p% w
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

7 D6 R( z. ]( r# A+ S
1 H7 l4 ^9 v3 X+ S) [
我们作以下6个实验

0 u6 w, ], b8 H3 E# t6 v7 A5 A

/ q. Y# r  G3 t+ `
, A- O. q4 S' V
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

! F- H& W1 b0 _4 s0 f! p
- r7 q7 N! ~" O. X4 p* b, Q' t

1 d1 j9 R  O  J5 f/ l- C. G$ T1 J5 A

/ a- U5 A: [9 I( `) L2 v( |! ~
( Z# ~! g# P* V7 v4 }, [/ X$ }4 W
8 e# u: m( o- P% e- P
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
# M! p. R  o4 [7 y7 ~$ U9 d
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化2 b7 @& t4 h$ U7 i

( X# H  j6 ^2 B; f. v* \+ ^4 x( {
. R& W( r1 D, z8 j; b7 i) Z6 T9 W8 t. z; K

, C- u1 `& f7 x' U
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

+ w! T$ y( U1 n+ w2 u! t
+ V: v8 M- b5 q% n( @& z4 _
2 \) x) m- ?  L% Z* C: x
5 h8 F, ^3 c$ _4 o) R5 ~+ o9 R) w+ K5 e: \0 w
其他详细原理   可参照  
. q- ^! E+ L* h# f, [) k$ Y EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
* ]4 L+ A' d8 d
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  / m" }7 N( [- F$ _$ i3 I5 @6 c3 L& E( r
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...( ~/ F7 {& X7 s% v5 z
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
: G. n4 f; _  T3 d  z- k4 S) E4 ?  c6 `, u
  在此就不赘述

: h* A" B: S8 Q2 Y# H! [
% U- n: ~1 m+ a6 J

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

5#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

6#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
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    擦汗
    2021-11-28 15:48
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    8#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

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    10#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

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    [LV.6]常住居民II

    11#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

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    12#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
    ; o* y2 K' ~- v, W* E3 e/ }

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    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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