|
北漂的木木 发表于 2015-3-12 18:255 V8 h3 m6 L; g3 v1 ]& F5 y' k
没有理论依据,因为我个人认为,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。
7 x, ^, a) h3 z4 o6 _9 x非 ...
/ y: e3 t* x. z4 J( p对于你所说,本人观点如下:
3 J" C& j0 J; Q$ R" V1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近,电压同时起来,容值大的自然电流大。
7 b& `( U7 b: j2 电解靠近BUCK电感,电流大部分都从此流过,自然ESR造成的纹波就大。
- y0 h7 z6 f& k- j: @; G5 z) q3 如果10uF+0.1uF的陶瓷电容靠近些,电解相对位置远些,由于走线的电感与电阻,会使得10uF+0.1uF的电流相对大一些,总体滤波效果较好。
7 E8 U" } ?, Z' d# ?" p4 当远端有波动的时候,会优先电解去退耦。+ v* u7 X, J' X* b. ^. p
5 0.1uF的靠近电感,可以削弱电感的部分辐射。之前本人就有一个BUCK电感靠近了USB口,使得USB-WIFI信号有影像,直接在电感处并联一0.1uF到GND,WIFI明显好转(虽然没有彻底解决)% q! w% X% j4 i
6 没有人去纠结这些电容的摆放,您想怎么摆就怎么摆。
; _- z* l) ]7 Z1 {# b2 w# M+ q+ ] U7 做硬件的,不是去靠试来试去的(虽然我们很多时候都是这样干的),我们需要用实际的去验证理论 }1 a' u/ f( X% ?" g* z2 ?
8 g4 b! u t: Z6 ^
喜欢就看下,不喜欢就拉倒了。
0 X a k8 X- L V" w
% g6 {& m/ v9 U |
|