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WCDMA之ACLR劣化之因素

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1#
发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑 ) v, }$ G( {- E$ R

6 m9 h) o8 i  k( e# a1 y, a
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
4 C, j. u1 Y+ j4 ?& g& I" D
+ h4 }; g6 w3 p# a0 Y; e

2 I( u0 l, u8 q! {2 M
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
0 v6 {8 z, Q8 ^% y
' W% R3 \, i$ M* O2 Q$ I5 ]
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

9 H  G5 U2 q) U9 i
( s4 R9 V  A, W% i8 `8 Z
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

  V7 H4 `* @0 D/ q2 v+ a2 O  u

: Y1 s6 e0 K' `( S! o) u8 ^

- Z8 l# d% m5 C  E! D
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
) `' v4 a  \, z1 g7 X
' [. d' x/ q8 a9 g
2 p; S. J2 J7 Q9 m0 o
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

  h$ {. u& r3 T1 A# e* \+ ]
" O7 ?" C1 l9 F, k& r- [1 d# j4 c
) ?4 |/ [, H( v- Z1 H9 A
1 @) S. I0 u9 c& B( p+ s
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流" w, g4 i. ]& a% I2 P  i' k
3 ^+ B5 u( z! s
' Q2 ?0 [! W, y& |4 I( u/ M
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
4 @  U) b7 O5 ?7 F( z
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
( H# p6 X9 J% q. J5 B
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
9 t$ \$ V" S; j, T

. R$ |- k. k5 \" l# x

' a# `& t% V* u, M; K
这是为什么呢? ( ~$ b' v, ^1 S$ J. b3 N" }; p
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
) |2 A  U+ F5 @" S8 f* h9 U. E
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
' F+ t  J4 z5 }5 C5 c5 f
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

# v6 c( s( L7 j, B' l2 z

& _- U; {/ V8 C* s" n5 m1 _
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

7 @1 U% {, w4 K! C$ U6 I
7 `; b" m7 z+ P4 o& Q/ V. z

. \% ~  D" V7 u7 @! q
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
. C* [( k' _6 w

  H  q: J6 i5 H8 T0 j
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

0 S, E9 H2 i3 x4 G% M$ m" I; O5 C' x0 F& m  w' q

2 f+ }) ^9 K) E& ]! u: D
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

: I6 k  o- G" L! r) _0 O) [2 r
5 X0 W4 D- h) y: y, G7 u
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

# ]* Q4 n% b8 R" E4 k9 `
( e9 p# h1 T' r6 e& C

( t! v* p( X  ?, m/ Q: P
而当电压极低时,其Cgd会变大。
2 q9 L; ?0 R; s- c: U* v# f4 M7 R
                        

7 J: K, k. d' Z' |4 k
# G% V: a( l  E# z* f
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
( s; d2 a( W5 _, ^; p- h6 x# }# w
* N4 n7 s$ l8 w, S" X6 O4 V6 R: N4 S/ ~& W5 H% c
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
) @0 H: h# Z" m: p* u  Y9 V2 k! m
* Z* _% C# V# Y% Y' M

  j. q  {. D2 w0 `; j
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
. i# u; _# j& R$ ?$ F# m4 i. C  |/ A
9 O1 q( R* Z: i7 n3 l. Q7 L) s* R
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下8 g+ r! q3 k* f

  n  P' c# y8 \/ H( T) I: Q: p* a  [& K  u
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
3 |/ H) A. W: ^% m3 j

* m8 O" |7 L# h/ }5 x- o
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
1 B. G: B4 _& I; v  o5 a1 ~
. `' c" d( h6 Y2 o' \- C% S1 L

% ]$ q( H0 g7 l1 r; H1 Y! P0 p
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
8 o4 U0 o2 |+ P/ r6 v% n
( Q, Z8 z) c& l2 D) U: ~
我们作以下6个实验
/ [  G& [! z2 c! Q8 V4 M2 z3 f

9 d' J+ u3 v0 V; M  @9 }: a% p
9 U4 {% ~; w8 C6 s$ U8 C
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
1 A; h4 L; _, a# w

  q3 D" Y$ S( V

9 h6 Y+ c/ L3 A6 K# C) g7 ?, _
' S% _! o2 _3 J. }3 H$ J
, y2 W) G9 P: m+ C9 L$ L7 {" Q- z5 b) Q1 M' w
5 z3 Q' g  F  K# L9 k: ^2 u

4 g. I8 c% i; Y
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
! ~. N# n* ^0 w3 f
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
+ F4 E! E- ?+ q0 N$ O9 Q5 @
$ |5 ~- y# J+ g( {* I  }7 P5 T  D& `9 g6 c: \) O; P

9 M, n5 a# f& F* ?6 V9 c1 I" @; X+ K( `
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
! u$ v6 l; E) n: F; e6 Y
6 l+ k4 }2 Z" I4 r: F' X# |4 g4 \
* ]6 o# d; q7 p' ~  i  o

( K3 k- _! ?  ^- N9 _8 y" [4 z
: m( V; J; D. F) }# Y+ d
其他详细原理   可参照  4 E$ ~& C6 s- p( h
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
+ K; i& _$ N' b0 |8 r$ }
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  ; I% N# u8 {/ ^- N: ]! _1 B
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...: N, r$ T: h: a2 Z6 m
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析' F' f* l$ O6 `: N/ \& e9 e2 I
3 \* q7 s- _1 d
  在此就不赘述

- F% L3 e+ M* ]- K/ f0 F/ _
/ S5 H6 k5 }& d$ I9 Q

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

该用户从未签到

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

5#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

6#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    8#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

    2023-3-24 15:36
  • 签到天数: 68 天

    [LV.6]常住居民II

    11#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
    3 G2 q& [1 F! j4 c1 B

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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