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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!1 U7 m1 C; |# k

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pjh02032121 + 10 赞一个!
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cousins + 10 很给力!

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
7 ]" y3 |  F. ~) C% o
5 s' w; C1 Z- E4 |7 P频率和带宽巨大提升 . Z2 X) k9 [' v! O! j' v$ ?4 g/ v
使用Bank Group架构
$ N3 Q8 }; K2 Q! `8 B" {
; g6 j3 s1 A  q( O7 g9 \! a' c" p% Q8 J
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

# q. Q1 w+ W, o: b
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

2 }( R' }0 M$ P* U' U7 ?  y

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 - [7 s5 ~; v* S4 \1 [; J6 z' ]
$ W. @% y! c, S1 p4 B1 T
NO 6 关于DDR4的电压
* \/ }# I& G" l0 c4 `$ m# A+ a2 o( v+ a! O
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。" T) h' `4 g: ^6 x. G
; t& n/ p' I: C
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
7 a* D8 Y3 Q. u. C; F+ M: R
0 w' i' U- e8 @7 q2 l1 N移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
1 C4 @$ d6 C1 F/ `( r9 G; ?8 }+ w, m( W* ~8 D  }

; P. h# ~0 ^9 e1 j! o7 f& H6 K% ~2 p: o) [3 @( ]1 G

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装. w. I& i, H/ ]8 G; p9 u
. K  T' Q9 r( Q" K

9 T$ z  s, ?0 w5 `" e/ O9 T/ vDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。7 ~6 x2 t9 ^$ P/ z9 v8 |% y3 v
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
$ y- z9 V& O- s7 ^8 u. T' h* Y* Q$ g4 R9 ?! _4 q
' [8 T, ?; a- o3 ^" N: Z8 v! s

9 w1 p  s' B& h' y9 H% V, Q3 G               3DS堆叠封装技术8 B, \( u3 C! w' L

0 f( A! \7 B! m1 Y

  k; x1 B/ V/ c! n
- L" y" \& D4 d5 v7 c
9 [, ]0 E% F+ u% o
0 b0 U, R0 G# I& l$ I
4 K, K! Q  p& n+ A1 _' G  T

7 t/ M: ~- _. g: F, [' k+ v5 \. V
5 b+ J1 o/ D9 H

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
. Y7 m+ C( B0 Q. U  l & b) n$ v% k3 {) n; U
DDR4-1600 MT/s
6 m/ w+ U$ N; [. o5 V: \/ kDDR4-1866 MT/s
0 {$ t1 N+ B2 h' G! G. yDDR4-2133 MT/s
  q0 n" K0 C9 e: m) b2 w$ l$ CDDR4-2400 MT/s
$ p# W7 m# w$ |* `, TDDR4-2666 MT/s
* H: z* T0 u* O) B+ [! i4 FDDR4-3200 MT/s
7 B. x1 N% W. x9 j0 k" A
! O/ f3 j, D6 d& W. |* Q! Q科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
; o7 I# i0 J0 A5 t4 xDDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,' z) m3 T3 n- x/ d& B# c
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz! m( z% o% s9 K0 w8 E  \
" Y  {9 s7 n  m' C, W

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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  • TA的每日心情
    奋斗
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    了解了解一下

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    215#
    发表于 2021-11-18 09:32 | 只看该作者
    没看到资料呀
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    213#
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    有人顶,谢谢。

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    好贴,期待更新
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    过来学习学习,顺便顶一下贴
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