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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
% ?/ x/ a" ?1 g9 ]2 O/ I  q! S% J, I- @3 ^% D% H! d* [3 G+ q; M
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
( Z( C- C; ]& z  e$ @
7 {5 z; B! y. ^8 m3 L
* m5 J; J* N; M2 p
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
- C" a4 l1 g. U8 s7 t+ p

) p* \5 u0 l6 R# S7 x0 v# y3 ^1 `
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

& ]5 G' ?' A) o. s# l3 J
0 P. [4 K7 E, ?! Y* _( |3 N+ Y
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
9 e& I' c6 x# S1 ^) |. r& Q

$ q" S# O1 A% C0 _: [, W
- y) ^& |- j# \5 A% d
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
' D; Y, S( m" W2 N, A- Z. r/ s9 _* O+ [  F& y# A) K

2 q! J8 k) X2 D. R
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
2 W7 S# v8 o4 H/ y
. {# W$ h" o% n

7 g( k8 J( }& C3 L6 A# A, K
8 z9 O# V) v8 L5 c8 O: p# h
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流- {7 d# H: m5 Q3 Q

+ `+ j+ `- g3 q0 b

1 }* Q3 v. Y6 E# K9 l- ^
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

2 g" ~! [$ b2 Z& a* b1 I/ S
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。7 }9 r  r' Y& X" B* Z; t9 _
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
7 J% \9 S% c" N$ i6 L# ^

9 i# a, E! W$ l3 q( g

+ ]9 T) d4 k. y% L, L0 s
这是为什么呢? + f1 v" K. w7 H
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,  K* l: v+ F& j3 r
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
7 [# ^9 n3 S, u. K  h+ t( H: o1 z
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

" X  S. A3 k7 [! O+ O$ K0 v

% p- J4 t2 |: f, r; H! x& @! K
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

3 H- y/ u( ?: a5 L  U# B: W

, q5 f$ s3 n' Z# p( x) Y
6 s" P" n9 C, J  M) j: b: `
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
3 t& x4 F+ I# o3 I7 O
5 f# U' i1 f6 G7 m0 P  J0 G) d# W+ h/ J
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

; O9 g  q- Q& a. O, J* X  W, Q6 A6 N+ z3 c% @% k

& @+ L# p( P1 P" |+ f  c
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
8 G( a  h1 \& P& J% g9 b2 m+ v

' o6 G5 I. s% F1 D2 r- Q
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

4 V! p3 m& G6 U) ^& z% |

) a6 h. ^" t7 \) f. B& e! ]
) X( T$ {# x' d! j9 Q4 ?$ _8 P
而当电压极低时,其Cgd会变大。
% J9 R. o- C, c8 s" F+ x0 o
                        

1 |1 h4 {4 [( Z$ C& Q! j
$ N+ X5 o& R3 H5 F+ k8 L9 ^; f0 r6 P# X
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差6 I% w( h/ q* d* C. _6 m' V
4 Q* _; Y, R5 B6 A4 @
# \7 W8 u6 {: O  i6 m( T1 G) e
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
' |+ P' {% S$ p/ m$ r$ Z2 c4 o- p3 g
9 E# [- D/ Y* |+ R; A! t
& K( L- p, B3 b* z
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

' O( u; p/ u% n5 X  X
) D( a% _8 L) b7 f% N
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
$ n+ m; \) a0 |0 G* P/ R5 t/ x
/ J3 g% K4 C8 W  Y8 [, T# ~
  B; }: r0 F- a) S- @+ g9 X0 \2 l
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
: S. M, `  H# w3 D( m+ S( H7 L
  q( n- E/ \1 r4 S5 \/ o3 b
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
7 g3 K, @- _( z( C

2 s. t; T3 [7 p+ w

# p. |3 B* ^. z7 ^& b' u
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
5 Y7 y* |1 w( [* t. K7 V2 u

0 S7 K+ E2 r4 {
我们作以下6个实验

! A; e. W+ o: b

- I- N8 j$ ?6 k1 d1 o# c& c3 x
7 q) p' N: y4 u$ {1 D
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

  g& ^$ x# f+ l; W$ n- w2 K- T# _3 X- A$ g' c
" U/ Z; W" f# X/ R' Y* ~0 h

' q5 c  a6 b3 s1 \) _" _
, L. X# _2 u2 V4 X7 ~
& c6 S7 ], p2 D( b4 f. p2 G! D; p
5 T0 U- O/ n: S; i1 \9 |

' V7 x- X. o# L
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
% l! v' r# k; E0 k9 @" R$ b/ S
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
9 [/ e" j% }$ N7 g7 x7 K% R: D5 X, D/ X/ T4 i- c$ l' k6 f

3 }' Z" N) ^3 Z) }( P. v( Z& H4 R+ S5 u% Q9 T( ]

* e9 c9 i, s. G- V. y% E) O4 b" b9 v/ @
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

- _% D3 \6 }* w/ L. v- F/ d7 W3 U! K4 ^. C% a

* G; G9 p% {9 k7 j' {* ]% S. a% {8 J+ ]7 G  k/ T4 F
9 K% G. ?2 ?+ T1 c
其他详细原理   可参照  ! g& c8 ~7 P7 N- ^
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
( z/ a/ {5 W8 Q) P# A
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  7 K7 k1 @8 y  h* ]: g0 u/ T/ j
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...! r' u" h. g" \% I
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析' {8 p8 C& P$ z) d- z$ I1 Y& \' h
* \. T' [& b& d/ L# V
  在此就不赘述

: Y: U& p9 l& C9 e1 j4 g7 S% l6 h6 _# L3 R! p6 R

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享
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    开心
    2023-9-28 15:26
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    [LV.6]常住居民II

    13#
    发表于 2025-5-22 17:27 | 只看该作者
    电感nF是不是笔误?4 C. @% r: Y2 u$ B+ M0 S: E& ~$ n" s: n
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    2023-9-27 15:10
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    感谢楼主的贡献!+ y' |& o' o% U$ y  O- u

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    8#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享/ Y3 p8 l$ x- i/ T$ ^
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    7#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

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    学习一下一下下
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    好资料,学习

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    发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
    好资料谢谢
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