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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
0 o5 q" @0 r, E0 b+ L8 n! Q# p0 {
2 i. X& }) ^, Z, a下载请点赞。。
- `0 H/ G1 }* O, E* f. ^: I4 w8 m, y+ R6 C( s
不懂可以问。; N9 ~1 m. F- F4 z

9 p$ W: V- U3 w+ {( L9 D' U

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
, v/ M+ k( T8 {+ q! V8 f5 ~5 y6 f7 r. t' M- r( S
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
1 U- \! s# m1 [
( a2 }4 x6 m8 z6 H% m# E  q0 x) t& b
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。# y# ?6 Q% ]/ I6 @& @8 Q9 _
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
7 U! T' _7 E, K; d/ j# Y; _这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
6 p4 b0 K- m. ~当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。) n+ p& w; n3 r9 l
: [  r6 W( X8 {- ?: ^, N. s
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,2 Q* n; I. t3 y7 a/ T& G: |
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
/ m7 e6 w4 d& N5 g而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
+ \8 U9 `+ _( l0 n# t+ I# L6 V! @
% M  i* ~+ m( G8 `& E# c

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

  y. X5 a/ r6 P( s$ u6 ~& O* T! h9 n; G
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!3 l( s3 k* t6 C2 L

+ e8 W1 y) A" _! Q% u) x

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
8 Y: i- w; `( H你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。$ t8 d. t! H- S1 u4 ~6 D) U2 n
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
( l0 O) [  m! O. v7 i- w5 m3 `
这是我没搞清楚的地方   % W) B& V; F; j' i/ a% V3 s

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:495 h  s' Q, E1 @+ x
DDR3的突发长度(Burst Length,BL), h3 n& g5 v# k; V  S3 D2 O4 M

9 B( ^6 ]/ v# S9 U) F+ ^1 o8 d由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
) h0 y. F7 i$ m* a  l9 @9 {5 R
请教版主,突发长度是什么作用呢?
! t9 n1 U: Z0 Z5 I6 {; n能否讲解一下DDR上电初始化的过程6 s+ A+ G3 q! |

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型; j% v. b9 s% j/ }% ?/ o
2 T% R) l1 w& M, s
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分: Y# r# K& G( p% Q" l0 |' o
DDR1 strobes 为单端信号
# W& R( \" j2 v+ u( s8 lDDR2 strobes 有单端,也有差分
$ m% z5 k8 _7 n8 u( Z6 A- \单端信号会增加额外的Derating
2 [* o& e' @9 R差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量  I7 M' {$ C2 X6 N5 S# P
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
8 n- y) S5 r' t' Q
3 P6 m0 l' y5 J; X

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点! w( ]" Z: A& X, s# ?
数据传输速率
; b" i+ y' i* J7 A' K& s0 hDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s+ f# }- j1 G6 N) T
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s$ Z( l0 G: L& I% U; N% Z1 A
# w# W5 }6 F9 P& r
电平 & W3 }6 K7 `4 x( w
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
" H  `! P0 p. |) Q- P; A0 RDDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
. W; f' F5 h2 T: W4 |- }2 H2 S2 c5 f
驱动阻抗9 {' L3 l8 c% E6 @  {
DDR2 18Ω & 34Ω
8 j8 x9 V  Y$ Y7 S; r2 F# b5 ODDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
* ^4 C4 e7 A- f9 k& P1 T+ g( m
. j! Q: e8 [/ k$ y4 G& v& {-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。, z1 D! g. `) Q& a: z, \( }. q

( v9 j$ k* @% Y: T) x

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
/ \; c+ N/ h$ b( Q7 w1.先来看看DDR2和DDR3的不同点" `" ]4 F4 A. F6 K. C4 h. O
数据传输速率' u8 @1 i  t. [( }) T0 K2 S
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

; w( t  Y7 e7 t) L/ g应该是频率,不是速率。$ @4 X( S1 j! |4 }
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
7 O+ r6 o4 r* N9 i6 w1 n
6 X% O' l3 R; P/ M- R2 v8 _

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
+ N5 Y0 P: }% ~& T* r" q2.数据锁存(Strobe)类型
7 P3 S6 ^7 q  x- g( w* a  y+ o* C( a: ~( Z, a+ p6 M. A4 a
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

9 `9 I) e" B/ m( y1 M' T' h! D1 F大神加油,我坐板凳来学习!5 M2 P9 }  B% t/ \3 i1 N

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力8 X) }7 [# W0 C! w; w5 g: N- J; G
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
0 g# j4 V( N/ I# e- I* s% F对点到点的拓扑,40欧姆比较合适9 J, ^7 m8 w8 v2 i# G
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小: y2 O& ~' N: @: ~: V

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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