DDR3详解....各种技术参数

若华110 · 发表于 2015-3-13 11:20

david.dan 发表于 2015-3-12 14:567 }! T8 c, C! u! L" g# o& J
昨天在科学园的课程很精彩，顶一个

影响力超级大

xo_brandy · 发表于 2015-3-13 11:28

周三的讲座不错。期待中

shark4685 · 发表于 2015-3-13 14:30

Fly-by的时钟拓扑结构
DDR3采用菊花链式的结构，能支持更快的速率。

DDR2经典结构的T型的拓扑

shark4685 · 发表于 2015-3-13 14:40

Write Leveling 机制

因为DDR3为了更好的信号质量，达到更高的速率，采用了fly-by的拓扑结构，时钟到各片的物理距离变的不一样了，所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制，其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。

在系统初始化的过程中，控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信（training)，控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节，很显然，控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。

通过这种机制，使得每个SDRAM看到的时钟，数据和STROBE信号，就跟在DDR2看到的一样。

shark4685 · 发表于 2015-3-13 14:52

TVAC的要求：

DDR3信号必须在VIH(ac)以上，VIL(ac)以下保持一定的时间
这段时间叫做TVAC，它是跟信号的速率相关的
即使时序裕量是不满足，TVAC的要求也必须满足。

红孩儿 · 发表于 2015-3-13 14:53

加油，楼住，好像理解起来越来越难了。

基础不好啊。

ccnow · 发表于 2015-3-13 21:35

顶贴啊，如果把图贴出来，最好把图中的东西都解释一下，比如nominal line等等

红孩儿 · 发表于 2015-3-14 14:22

ccnow 发表于 2015-3-13 21:35) z6 ~/ ?) k0 _
顶贴啊，如果把图贴出来，最好把图中的东西都解释一下，比如nominal line等等

sorry，这位兄弟，JEDEC规范截图只截了一半，如下位NOMINAL LINE 的定义

NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线，标称趋势的（两点直连）
TANGENT LINE 是切线

上面这两个公式是用来计算建立时间（setup time）的上升/下降时间的斜率。

JOBS · 发表于 2015-3-14 14:26

不懂，顶版主。。

shark4685 · 发表于 2015-3-14 14:33

sorry，这位兄弟，JEDEC规范截图只截了一半，如下位NOMINAL LINE 的定义

NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线，标称趋势的（两点直连）
TANGENT LINE 是切线

上面这两个公式是用来计算建立时间（setup time）的上升/下降时间的斜率。

shark4685 · 发表于 2015-3-14 15:49

本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑

DDR3的突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，
而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，
届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，
任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，
且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

himonika · 发表于 2015-3-14 17:28

必须仔细听课。

lzwandny · 发表于 2015-3-14 18:25

顶顶顶

elenin · 发表于 2015-3-15 12:45

感谢楼主分享～～～～～

qingkong0709 · 发表于 2015-3-15 18:06

能解释一下DDR4就好

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

DDR3详解....各种技术参数

浏览过的版块

推荐内容 /1