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楼主: shark4685
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DDR3详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:561 I' L% T8 f# n  N4 A4 }, L3 c
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个
# _, a$ Q1 u3 j/ w
影响力  超级大 3 G  s5 [8 ^. }" C

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17#
发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

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18#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构1 i; C' k9 W3 j0 @
DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。
1 W( B1 Q. o4 l) z/ z8 ]& T4 q* t6 ~  r& J4 D

( i" k6 w8 r+ z# R9 D1 s* I/ D# n+ J" v0 t! d
DDR2经典结构的T型的拓扑
: ]) O$ t8 ]& c0 e. Q
% c" ^" ^, w3 a8 i. A- j
6 d/ w0 J$ r8 k, L# ]; U8 y: A7 g. Y3 g0 a

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19#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制& d' I4 J0 U: K8 H

  y2 g# j3 _7 _1 g因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。
2 }' ]/ B! y8 b8 g2 P2 `9 V3 M( y8 N  y% E  W3 S& c* ^: g
在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。) ^' n9 U# w9 C! u) p& ]& u* \% d

, B6 O8 K4 n, w4 N( P通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

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20#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:
# ]3 k1 d8 _' }' A' J+ |; z) i0 x; `2 @
DDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间
7 S! u5 F2 @# L7 u2 ^0 P这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的
% J& B- I3 ]) [" T即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。
+ Q5 X! p' s9 y" Z5 ?4 N( W
/ A$ r' o+ K8 d/ K' x
+ |' R4 x: v( L: @

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21#
发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

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22#
发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

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23#
发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35
" G0 `* h6 I9 c4 r* B/ A" {顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等
8 c3 R$ s0 c$ W/ m
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义# r; L, m4 J- Z) t3 g
7 i  _0 e4 J9 r9 }$ j
& e, ~$ i  q; I4 X' B, m/ f
0 U1 v# [3 R- M% i+ B
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
: @  |, _9 J: H  R8 ]  w2 n; ]; UTANGENT LINE 是切线
* ~8 A* V( D+ m3 u6 l  V' I3 n# ~4 m5 f2 J: X
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
+ g+ x6 z" ]( m6 @% H3 {, {, Z# Z, X

: J/ Q1 i1 Y  u: t
" {& C6 _- m; \( a

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24#
发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

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25#
 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义/ o0 j, Q  I( X  @4 T0 U& W5 y/ U6 l

/ y" R5 C4 R" @* _7 `9 L" ANOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连), [" R  ]! T" z7 a. z) M
TANGENT LINE 是切线
0 E, y. w4 B" p: W 0 m8 M  d4 J6 |' O  X# @2 F
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。! M4 w& E: _" f( W* p
  t" g1 Z% W7 ~/ B4 C! u) \9 v

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26#
 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑
% v( }5 }8 l8 K% D" B( h" Z
) A8 i2 Z; q5 C0 N- TDDR3的突发长度(Burst Length,BL)
" q8 h- C7 m* V% g9 W2 R- i" y
. V) a0 T/ I7 {
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,
; s( p# k7 e8 Y而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,- L2 m: l( R" C% x" P; [: _* j
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,0 m/ `) [  @( \5 @$ |
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,& w' ^' L% p+ `* X; l$ l( b9 ?! Q
届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,0 U; B% K7 [9 o1 j' N& T5 B8 ]1 P4 V
任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,  _$ x8 ?9 Y& m  c+ b  r# u
且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。" [/ K- H8 W2 B0 [% P

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27#
发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

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29#
发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

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30#
发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
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