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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
. P3 ?% f3 e1 S  ?
, C. l, S- `9 S. B5 @' `& f下载请点赞。。
" x; i: f  v7 l8 V! I2 X$ H& K
- A5 L- q  b3 B( w  e不懂可以问。# k/ [4 |3 Q# o
3 M. T1 A$ e% ~+ ?  o& I9 b

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
5 K$ S! y' [9 x2 e# _) B+ p% n7 E* D; B$ S6 e1 ^
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。# i: o) i$ c$ {8 i! X. h7 ]
* e  i* @) Q9 m! y
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
/ _8 B1 o: A$ k/ \DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。3 g+ q, S7 W# X( h
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
! {. P! f  I. o1 Y5 e! j. o) ^当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
1 W$ _" E6 v- X1 j, v. a8 J- j2 _% \
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,4 h- m6 U3 d% c5 ], ]- w$ f: i
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,( O) y1 z4 k7 d) T6 g* g# K8 P+ I
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
4 ]. k- H! t1 ~) r+ G9 J* J7 U' e) B( P& S6 y7 N) q) o

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

3 Z: e* d3 h% ^, T4 [- O+ I5 |6 ~6 B& m7 [/ m+ j
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
& r( x3 h8 i9 \, U2 y
& r5 D  }4 e; S# @7 t' m# K

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35+ L: D, d8 p  m- d: f8 K: p7 o7 o& R
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
3 I8 ], |( w, H% j# J' U要不你先来一把。悬赏50分。 ...
" J! h2 M" ~+ A: S: o, c* X* _5 g# |
这是我没搞清楚的地方   + M0 z! a& m& D; \  f! H" d% ]

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
* ]' Y& W( n1 ]6 r5 Z/ p  L- p( uDDR3的突发长度(Burst Length,BL)
( i" D. Y# N* }) _$ a$ h) D1 u2 P* B+ G5 }6 x) x
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
/ c; U" J) E9 \% Y* D$ E1 k( L
请教版主,突发长度是什么作用呢?7 u+ T6 x. r; F: ~$ N2 {
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
/ C0 [# M3 H" o/ g" y. }) \- ]! L

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型& q2 K( D4 S2 Z" d5 e  M
# ]# W& J  |# b* N# z
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分! I  k, F  h3 A; E
DDR1 strobes 为单端信号
7 j4 ^2 j) A( C, q& M# h4 yDDR2 strobes 有单端,也有差分
/ L" Q4 G! Q: K! J8 Y( k5 E6 u单端信号会增加额外的Derating
4 N$ C/ O& e, i% G4 e差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量: C7 ?+ ?7 v& F0 @: B1 k  H3 u
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
# B5 Y8 ^5 R5 K% L+ U; `/ z  J4 _' o8 v" ?% w6 {% @+ h

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
+ [" @, ?$ x) x" _数据传输速率0 R, g" f# V8 S5 p8 O, I
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s* l3 u7 Z1 X) }; P7 r
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s' l3 w/ L5 K3 G1 Q# n8 B

3 D2 m" U, H  w0 X3 z8 l电平 7 W# h% Y5 Q6 n+ y$ p' z- n
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)0 _8 q5 q  y' B% O1 F  q
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
- w) B8 K2 T- A* M4 o0 L
9 n3 E* M' F/ v( c驱动阻抗
) Z" ~! x# Z: y0 `. NDDR2 18Ω & 34Ω3 c+ w+ E: W+ ~# P  n
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)9 n: |: u9 p$ u2 v0 v% B
6 ]- X, u$ `$ Z* V5 r: B
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
4 i9 l+ I$ l/ G) I
( O5 l  M% G( ?

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支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14. x! T8 c. f/ `5 q
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
5 E; W$ `1 ^0 Q: [& n9 `: l数据传输速率* {+ n0 b- b( r( l
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
5 M) S( o; y) ^* @
应该是频率,不是速率。
: i9 D) T; F. `DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
4 Y; k/ o0 c0 M+ V, \
4 t+ L( J; d  c$ W

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
  z( c  }% {, p9 Z" F  s- Z2.数据锁存(Strobe)类型
5 M4 ?2 R) L! T" b) ~* G. `5 b/ t8 {1 Y
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

$ b9 X  }+ Q- D9 ^大神加油,我坐板凳来学习!2 ^$ J7 C6 a0 \9 o5 W

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
# }# D0 H) L* j5 hDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,. A* X. a' E5 r# W
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适5 g3 K0 U+ e; S% r* h
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小3 H% H$ q& x% G7 G

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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