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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
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红孩儿 + 1 很给力!
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pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) 1 x" Y' b2 L0 K6 j5 _/ I2 ?$ _

  r) [( ^* @' P4 m0 N7 i  _5 K下载请点赞。。& _) p$ z$ E( e( V
! P/ U7 b2 k2 a$ e
不懂可以问。7 u, k; L# M5 ^3 {

8 G. T9 q/ {( k7 P' R

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 3 u7 q! _, ]2 E7 h% g" e

0 y- ^( [! q, @! r' n0 b/ D新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。8 P$ o- N2 h) A& ]

0 t( o& T/ d' W/ s. e5 M2 a) j1 ^; R重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。& R4 X/ f7 r- M
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。: f8 z! \) x5 N* s, e) o$ E/ F
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。) `3 u& }& r% H+ M. _+ h2 _$ U9 i
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。# D( A) k5 x) p9 L9 u" g

9 g; U3 P/ b' l! p# J在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,* j4 j* ]1 A5 d0 d' e* w
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,  q* ]7 L7 K* C% @: {
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。* j( L: i, p% ~2 l: X0 [

& M: R4 R/ O- _- {1 D2 N5 \

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
+ z* u7 e5 m! \& e- e# b3 \

) m- Y: H" l3 w* E. s% ?精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
1 q" Q! J+ h7 V/ f# v5 e: h/ k9 i& S9 `

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:354 A7 y2 b( u9 E4 u5 a6 T3 u
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
# c) i$ H5 Z5 |# ?+ G' h要不你先来一把。悬赏50分。 ...

* g& G( b! s& [这是我没搞清楚的地方   
6 b; E) ~4 m. X

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
8 {# X' O' M+ C/ i- d- G7 e+ nDDR3的突发长度(Burst Length,BL)0 m: c+ }6 d% X# F5 X8 C

. P2 W! p2 r) n8 C# N* O9 i7 h4 x% L由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

) r+ T  I8 g; S9 ?8 X! o请教版主,突发长度是什么作用呢?
  o* l6 K% |+ G, }( W7 K+ r能否讲解一下DDR上电初始化的过程! g' h$ i& |: l1 j5 T9 @9 W* j

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型) ^. G" \; _: @1 v  l

5 p- \" _6 ^( S# D5 ?2 S" c) {# iDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
  Q* U0 D1 x( h1 a) Z  mDDR1 strobes 为单端信号
1 t7 N, v9 l- P5 o9 e6 B5 aDDR2 strobes 有单端,也有差分) A' G; o& [) t+ D
单端信号会增加额外的Derating
4 }3 \+ \7 E9 G4 d% L差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
1 r( Y% m4 S2 C1 e减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序+ B8 `+ u4 T" C' c. ?& B

8 f5 c5 V- ~. S2 j) N6 K) U

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
6 b& D, ?6 F! ?- B6 W6 K% d数据传输速率0 }+ O7 R( Q% S2 |6 D/ x6 \
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s7 l0 h+ ^. j& F5 g  R/ x
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
3 K: D9 T+ E( i% P0 u$ Y! X/ H; D5 p' p+ m0 C- y
电平 . s6 o! ~/ b3 j; l
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
* s5 c$ D  F" k4 J, U  jDDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)  W7 W  l* W; F

7 y8 z1 L- r3 N9 R0 ~驱动阻抗
) }4 _+ y# i, g/ h& u5 Y9 oDDR2 18Ω & 34Ω$ O& Q7 ~. M. m6 i5 v' |9 V
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
* A3 ]" x% K; W
# G* a! s5 O8 g8 o' \! P-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
, w; [1 {( O) m7 i5 T
9 W' H% [9 t; n. S

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
  S% V0 u& S4 e( g, }1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
+ Z4 _3 l& y$ d+ W' W* O: l- u  Z& ~数据传输速率
" b4 }3 ]" ?5 @+ X5 }7 UDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

4 B! x' b! D' g# u! o; t应该是频率,不是速率。
' a! ~. }: J+ q0 lDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s7 _- P( y) p- S! O/ E

9 \, y( g! R2 {8 s

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
" ]: \8 l8 J' X1 j7 v/ W9 I2.数据锁存(Strobe)类型
$ ?# S4 G3 }% l- o# s# B( E5 {3 G& Q* `' ~% E3 c+ |. u
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
. o) u$ P+ X; b+ ?2 x& s, p. `2 I
大神加油,我坐板凳来学习!4 r& w4 L" u4 W% a9 B+ \

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力. F& Q3 Z; E8 Q! P" Z/ L( s
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,3 B. `; N2 |: ~$ X1 @9 ?5 d. m
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
$ ?4 F( N( g7 u9 T9 |" [/ @DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小7 a. b: ^) z, D% Y, s& N6 ]

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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