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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
' I0 d0 S, H4 F$ M5 z' J8 t( D" E
下载请点赞。。
+ \2 e9 c# V, G% W& p- I3 ^3 M/ T( b, v
2 R; j, i  a/ J9 s9 V! q. j6 v不懂可以问。
( S( ]& ~* e% T. ^, H" n3 W: J4 _. c2 G; h+ i

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
7 r2 c% y6 ?& Q+ s2 A
$ i, x# q3 c* X9 T( ^) d5 G新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
( b' p- O* [1 q. X  u
, N2 @* g; s6 b
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
1 m" w7 l$ k1 j; u1 q: a! gDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
; t3 b7 N/ S2 z# ~这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
( O: \( X3 s) {  {0 A/ Z) L当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。" {& N( {7 p8 D2 r% J9 P

# l: P. O$ q0 m" C$ s5 Q在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,1 x- F6 S% t( t. T  g5 `# y* M5 a$ ]
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,& h) ~; n4 q' Y
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。# _0 Y; R- u9 W# G

1 U8 Q0 V( {* R1 E8 q4 D

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
3 ?( ?( r, X6 O) e' t# i

6 ~$ Y$ e2 g/ p0 R& W精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
" D' E; \" Y" N
* c+ J; C7 D) ~2 X3 B/ m

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
' e% ]4 @" w8 n你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
5 v8 H, T; u/ J  [, ]$ w要不你先来一把。悬赏50分。 ...

6 G- l* V# Z+ S) n0 H9 J这是我没搞清楚的地方   
, W. S6 K* S% H

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49: m% E' i, B2 G: u: n
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)5 R6 S; N( u: r
( w/ {. K4 T& E+ Z( ~, t
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
& U0 S7 j" o# r; T- P
请教版主,突发长度是什么作用呢?
2 X. z1 D$ F8 p. p  P2 L# I能否讲解一下DDR上电初始化的过程7 p  s, }4 b2 |' D. F- c* P7 x/ ~

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型# l: O0 C; E! W7 y& c

" Q# c) D; H' I3 P8 NDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分7 H2 ~$ K. @, X  K* f
DDR1 strobes 为单端信号
$ G& R- u6 s! A/ X( ZDDR2 strobes 有单端,也有差分
: P/ N( }5 X( F) Y, e单端信号会增加额外的Derating
/ Y6 i. z0 N& N差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
' B/ h1 W1 K$ g" K$ F4 M# a减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
( q( V+ e  L" X. t# M+ a5 ]- Q4 G' I1 u9 m, V$ g0 c# B; f

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
! M: h4 d0 K. Z$ w/ q1 |; }, w数据传输速率% L- l% S% d% R& P- n
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s5 H* G% r5 B6 e1 g! M
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
$ D2 r% K3 N0 |. A+ P3 B: I# J$ p; V$ U6 O
电平
! X4 M& w- K/ p7 qDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
: d$ p) F/ x: {DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
* [8 E1 T  W) w- ?) i% k1 I7 b1 ?2 V. U! X. @
驱动阻抗
( J6 u0 G5 B* P; B" E, s1 j. k) hDDR2 18Ω & 34Ω$ F4 ]: ^; |9 W
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
( u- i% [# y$ O* c# r& H! U; c8 A% X
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。/ o! U) m8 b" f/ W1 b. }) r
/ r% T. u9 a4 L5 G

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14* ?) j3 k3 {: `' V
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点. d" G5 P% u: a$ j
数据传输速率
% X- Y. ]3 H, F' Y8 `DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
" ?: @2 ^) f) y" `/ L4 x
应该是频率,不是速率。0 L% D& j# x" |5 p
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s! D) G6 H: i, F2 J: h$ m0 N

  L1 Y# y; w7 E5 {

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
, \6 A( s5 ?( x# |( k2.数据锁存(Strobe)类型  w' _* w+ [4 s4 ^
7 u, R2 G2 d$ j! Q0 K% Y
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
% K+ G# t( A# u
大神加油,我坐板凳来学习!+ L+ y, Y5 U" A* D

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
. u3 j% I* \/ FDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
5 u' w2 h  d% W" T+ B2 Z对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
/ ^( H$ T+ V" O& U" zDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小: O4 L2 b0 q; \7 W. {

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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