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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) : K* y. M$ f# W, A3 D% b
' [* T/ v+ {; N3 J3 o
下载请点赞。。
2 E8 H, Q9 |8 T* b; V5 h5 [( Z" a; P5 U3 ]
不懂可以问。
) k- z4 y3 B: Y2 l/ p/ r
- p7 w% z0 v1 e4 b4 }; P1 w

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
" m. q# P" A9 Y# X* e1 {
; q7 d/ U1 N/ j新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。4 B" Q. P$ n! S

6 O0 V& L5 z$ F; f4 a+ w1 P/ y; L重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
2 E' G5 i. E; G: }DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。6 O  T% O  z& J" [) ^5 o( i
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
1 X0 ^8 s9 |- m  Z7 t& {& R当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。/ Z4 W5 p7 [1 A) A( D- g4 N

# E% a2 g0 {3 d8 e# A在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,9 B6 o( @) E, C
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
! \6 W7 U$ w2 l5 Q! p7 t+ s: A0 R2 c而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。( b7 r2 ?: |/ |" v% R' {7 W
+ ], J* C4 r9 e- W* Q. z$ l

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
% y/ Q7 \% d5 }  f
) G$ p8 J: Z. G& ^; e
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!9 o* K6 Y" a' n
* n; N5 _5 b/ ?5 G; l3 Z

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
2 Y9 i5 O6 {: x# [2 s你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
' [, c* i: c! B) x8 W% v  J要不你先来一把。悬赏50分。 ...

% t4 l/ Y$ z5 I- f& e这是我没搞清楚的地方   
) O2 N% G- j  }/ ?# W

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49( L& m- X( p8 K
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)# a* B# [! ?, d) z6 Z  G7 h1 ~
; a! i! r- _/ c
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
+ t# C+ R' u3 J  J
请教版主,突发长度是什么作用呢?; {/ P2 n/ p3 b7 u9 C$ K& G
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
1 X; i, \9 l# q# `3 d% g1 J

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
/ _6 r( ~* r- p) Q/ c7 w# p8 f" E
$ Z' M. P+ R- m( O& J1 cDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分% ~$ G1 M5 c/ H" a8 d2 z3 N
DDR1 strobes 为单端信号/ F( @! J1 x2 W+ I8 J5 g
DDR2 strobes 有单端,也有差分
- b) X% d: e7 _单端信号会增加额外的Derating
4 D; k4 Y8 c/ Z9 c; I差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量# F( m, j3 M' f( ^, T
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序2 M* V# y/ t& K4 V

# }) A: F" a7 o( {3 U8 @6 M! p# F

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点: @$ [7 ^6 q! I5 N$ s  F
数据传输速率
& l# y6 e; |) D' S% E- ?) ?DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
; Q$ e. k/ R# F: z* kDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
  F3 _- W" ~3 ~" J- ~% }5 ^& Y0 q2 J2 p" [: |- y" C5 P" y, k7 u
电平 0 k9 F9 o+ O  W) N0 ]
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)3 l& ~$ E; W$ H+ G# b, d
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)* k; d" a: f" k% M
! o$ t: s8 R4 t
驱动阻抗: y( X8 t) b: w! m6 q, D, u
DDR2 18Ω & 34Ω7 M. ?( ]" |+ a! Z2 B
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
* C1 {! Q( [0 ]9 o+ F
, t% T! n  o7 g; `# r' C-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。4 y7 n2 `7 D5 X

1 o( z6 |- T9 ~, `

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14' d: H" v# ^% Y7 J
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点# u. `1 v8 ]* v2 l  P
数据传输速率
9 @" o" Q+ n$ b$ A* G  H( EDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

: Z, Q9 \  P! g( @4 [6 t3 U) E4 E) O应该是频率,不是速率。$ g5 V4 E+ ^2 e! Y! G# q5 ]; W
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
* g2 Y! X( S; C7 D- c# f, U$ t# f. N7 N+ M' I

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
3 P% Y: M; c$ b* b2.数据锁存(Strobe)类型
' a/ E; e8 V$ M0 \- e5 Y# E6 b/ l  s8 C; F7 C
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

5 }; ]8 n: [) m大神加油,我坐板凳来学习!0 [/ k( d6 R8 T. T- ~

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
8 v5 a* r% }, t# q& d: z, a% @DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
/ H: C/ k! M' `5 C7 r7 q对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
: z* K) q. X+ V" A* L! fDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小. p  Z1 ~) _' B1 \1 A

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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