请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！

liyongji2019 · 发表于 2019-12-26 19:13

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请了解的大神帮解读下线路，谢谢！

saladrf · 发表于 2019-12-26 21:23

本帖最后由 saladrf 于 2019-12-27 13:57 编辑

两个电路，都具有PMOS管缓慢导通、快速关断的功能。
上一个电路，增加了Q17、Q18，具有更快速度关断PMOS管、更慢导通PMOS管的功能。G极所接电容C164=10uf的充电速度和放电速度相差很大。

MOS管的Cgs通常很大,低导通电阻的MOS管Cgs通常都有1000pf的数量级，电路中G极接了10uF的电容，这个电容在导通与关断期间与Cgs共同起作用。如果关断信号到来，而这些电容放电较慢，那么MOS管仍然是导通的。
原理流程如下：关断信号到达Q19----Q19截止----Q18导通----Q17导通，则Cgs通过Q17快速放电。。。。。。

qinguojun · 发表于 2019-12-26 22:08

第二个电路实用性更强。

YOTC · 发表于 2019-12-27 17:50

本帖最后由 YOTC 于 2019-12-27 18:04 编辑

zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39' B8 M& z1 k1 h
你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

感谢你的回复。
1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。
2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。
3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？

lxk · 发表于 2019-12-26 20:36

上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

liyongji2019 · 发表于 2019-12-26 21:05

lxk 发表于 2019-12-26 20:36:52
8 g' y7 b% W( C/ |上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

都是逻辑高电平打开,用的是PMOS

markamp · 发表于 2019-12-26 22:20

Q17,Q18作用和MOS的G极对地电容是起反作用的

liyongji2019 · 发表于 2019-12-26 23:59

markamp 发表于 2019-12-26 22:20:19- R' Z' t$ E0 S- t: {8 c, X
Q17,Q18作用和MOS的G极对地电容是起反作用的

何意？

markamp · 发表于 2019-12-27 09:13

q17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

zyl0504 · 发表于 2019-12-27 09:15

两个电路的原理就是一个负载开关，作用都是缓起缓停，降低mosfet开关时刻的冲击。控制电路1通过Q17给C164和C165充电，通过R188和Q19放电；控制电路2通过R801给电容C812充电，通过R802和Q802放电，置于那个速度更快，实际计算一下就知道了。为什么都是为了达到缓起缓停的目的呢？栅极和gnd之间串了那么大的电容，目的就是延长充放电时间，达到缓起缓停的目的。至于控制电路1中加Q17给电容快速充电，是不希望mosfet打开时间太慢。

Ankky · 发表于 2019-12-27 09:19

都不错，应该都可以使用。

风雨长戈 · 发表于 2019-12-27 09:46

G极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

YOTC · 发表于 2019-12-27 10:33

1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？
2. R186和R188是不是分压电阻，在Q19导通时，G端分到的电压=VCC*22K/（220K+22K)=VCC/11，G端电压比S端电压低，PMOS就可以导通。
3. Cgs的放电回路是下图黄色部分还是橙色部分？能不能解释一下放电过程？
4. C163和C165各起什么作用？

YOTC · 发表于 2019-12-27 11:12

zyl0504 发表于 2019-12-27 09:15* [) T+ U& _3 c2 B, T$ @
两个电路的原理就是一个负载开关，作用都是缓起缓停，降低mosfet开关时刻的冲击。控制电路1通过Q17给C164和 ...

1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是这样吗？
2. 如果没有C164和C165，Q19导通时，G端电压就是R188分压得到的电压，就不会有缓启的作用，所以缓起和缓停都是C164和C165在起作用，是这样吗？
3. C163起什么作用？可以NC吗？
4. 图1和图2哪个更优？为什么？
谢谢

zyl0504 · 发表于 2019-12-27 13:39

YOTC 发表于 2019-12-27 11:12
6 y _: ^# d- g5 Q, H1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是 ...

你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是自带结电容的（Cgs），MOSFET开通和关断时间这个结电容起到很大的作用，外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间。两个电路我不好说那个更好，图1充电时间更快，图2放电时间更快，如果非要选择，个人倾向于图2，电路少两个三极管，更简单。我是这样理解的，仅供参考。

hsmine · 发表于 2019-12-27 13:47

YOTC 发表于 2019-12-27 10:33# u( V I/ `3 J8 A- U; q: o+ t' l8 m
1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？
' b, f' T, O* t: P, W( }2. R186和R188是不是分 ...

Cgs 放电是黄色部分，相当于用导线把电容两端短接放电。

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