请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！

YOTC

风雨长戈 发表于 2019-12-27 09:46
* I4 y+ u! n9 r7 o1 v  \G极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

是在下图位置加一个10K下拉电阻吗？Q19导通时，R188不就是下拉电阻吗？
+ L- E- ^) q5 y* K, ]6 V

YOTC

zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39
! n- R) _0 B; F2 u6 H3 D你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

感谢你的回复。
) ^, Q) n! Z7 n! h8 W* j1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。
$ J: o0 z( G/ B$ f2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。
5 r# l. |& y$ J& w# Q' W3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？
3 b, n( h9 s5 u; ]" b& M/ S
$ D1 b8 o1 T8 o2 q3 z, }

YOTC

markamp 发表于 2019-12-27 09:13
4 F2 X" r7 {8 {  j9 Qq17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

所以如果要起到缓起动的作用，有三极管的电路是冗余设计，要采用没有三极管的电路（第二张图），是吗？

markamp

可以这么说，加三极管主要是关闭快

markamp

! d2 u* M1 N  A" ~; {- B
8 }4 R0 s% \; Y& z0 i& w- _第一张图Q17工作在放大到饱和状态，时间快不少

anguchou

:):)

paul_ding

lxk 发表于 2019-12-26 20:36
: Y, d* \6 T) f+ w( F上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

如果是低电平有效NPN的三极管怎么导通。
- w* {  z2 a0 F6 m7 [* `

paul_ding

我觉得电路越简单越好，不太明天mos管G极接的电容是什么意思。
建议C812去掉，R801=10K,R802=100K,C810=0.47uF,C801那里并联一个电阻用于三级管导通时间的调试。