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xilinx demo DDR4&PCIE3&optical module

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发表于 2017-11-7 10:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 紫菁 于 2017-11-7 10:58 编辑
7 f2 v, L/ E: ?, ~  }0 E7 v( F, Z( J8 u* ~' c/ U, B
1 n3 l$ A( z! \% ?6 ?5 ^
这个板子个人感觉挺好的,BGA BREAK OUT全部使用VIA IN PAD的方法。 PCIE是削手指的工艺,外围有很多高速的光模块差分信号。 有不少可以学习的地方,和大家分享一下;
2 g& E( I: a, i! H4 T5 ?+ D: Q注意文件是 allegro格式的: J6 Y+ t! j/ U5 J/ q# e
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) p! C- C/ c6 Q5 s% o5 X) x* J! E! F

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发表于 2020-6-5 09:45 | 只看该作者
qingtian52014 发表于 2018-1-5 15:04
$ O% z: C- \1 n, J& X5 g谁讲下 LAY20信号层,同层的DDR4的走线,同层为何不走一样的线宽?  其体现在DDR4的 地此线上面。若说是夹 ...
. D9 W2 i+ |2 c- ^& D; h
对于差分线来说,前后两段线宽有差别,原因有两点,1.按原线宽出线,走线间距太近了,怕加剧串扰,所以改成小线宽来走线,同时小线宽和原线宽阻抗控制都可以做到一致的,就不存在阻抗不连续的情况。2.生产工艺的问题。对于单端走线那边,不同的线宽阻抗肯定会失配,但是主要小线宽这一段距离尽量小,满足芯片的要求,问题不大的
3 J, l+ d5 v& m8 u) S% P
  • TA的每日心情
    奋斗
    2023-3-6 15:55
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    [LV.5]常住居民I

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    发表于 2020-4-6 15:07 | 只看该作者
    qingtian52014 发表于 2018-1-5 15:04% j2 G% Z7 P/ E" u  V) _
    谁讲下 LAY20信号层,同层的DDR4的走线,同层为何不走一样的线宽?  其体现在DDR4的 地此线上面。若说是夹 ...

    " p$ ~2 d0 _5 e1 u' J1.是不是跨平面分割了的地方,所以才需要进行加粗
      g1 Q0 M% h' C% Y0 `2.走线加粗本身就有抗干扰的能力增强
    $ N- J0 L& }! ^$ C5 c! `! U9 I; I3.我的问题是这样线宽不一致,突然改变,会造成阻抗突变?你这个是参考上的经典?% V% e$ O- ^; o8 E+ _0 k
    4.参考文件的权威度是如何?! Y7 j# U) Z2 w, z
    5.我老是金币不够下载不到,可以分享给我?766267001@qq.com非常感谢,我也想学习下好的做法?一起探讨下
    * v! h! u+ s3 x' B$ X, f; q+ ~

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    发表于 2020-3-31 10:00 | 只看该作者
    这个板子个人感觉挺好的,BGA BREAK OUT全部使用VIA IN PAD的方法。 PCIE是削手指的工艺,外围有很多高速的光模块差分信号。 有不少可以学习的地方,和大家分享一下;)
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-24 15:17
  • 签到天数: 615 天

    [LV.9]以坛为家II

    5#
    发表于 2017-11-7 13:59 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2017-11-15 16:23 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-11-15 19:52 | 只看该作者
    有没有原理图啊,有原理图就更好了
    # V7 X2 z% B# ]+ k: R

    点评

    没有原理图  详情 回复 发表于 2020-4-6 12:53

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2017-11-15 20:56 | 只看该作者
    下载学习了
    0 v% M3 Y# Z$ o8 ], B) b8 o, V

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2017-11-21 12:54 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢# V! h; ^& }4 b+ g8 ?+ B& l
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