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比较旧，但是够用，分享给大家' E d& B4 V9 Q5 @4 ]
; {6 u; K) {7 L6 T
! q; S1 a. t8 W. f' p" c( ?, U; i
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
7 K* O% W c6 l( \: V: X; x/ u) `; @- t
射频电路工程设计目录7 i' W/ i5 F/ G) ~1 g6 w+ S( p
( Q- d8 {/ c# b- x9 g第一部分 单个射频模块6 v) `7 w4 C% f9 t8 u
0 L# E$ H3 R) Z5 i; Y# b1 j第1章 低噪声放大器- C; Y- e, R$ \' P5 ]) f3 Y5 o
1.1 引言- F5 n8 x1 v; G
1.2 单端单管低噪声放大器
% A4 r. q4 H/ P; F; v1.3 单端级联低噪声放大器3 b3 c8 _" E" H" `9 s0 U3 J' A
1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器
4 ~! n/ r9 h" X参考文献
4 X0 i+ F" d2 k; t: m5 o8 M% A% F$ R* w
第2章 混频器: X |) J0 D+ j! }
2.1 引言
2 j: ~2 f" ]8 B2.2 无源混频器
3 s' J1 X# L! z) h* r/ Y& T! o2.3 有源混频器
1 [ K. o1 J* A- ?' j% L2.4 设计方案- a, b: }# c! Y1 p$ e6 M# V3 Q
附录
+ F) b3 R/ F M) C* w& T8 F( {9 P参考文献
/ P# U+ I1 u- p3 u3 P5 K! c+ `6 x
) c4 J, F9 w% |, b7 b& I: i第3章 差分对' q+ h& N7 N" l9 j
3.1 为什么需要差分对
8 s, r- A/ A- W$ H: H3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗5 M/ }* V2 J5 {$ M( r& U# n
3.3 差分对电路的基本原理
1 H" V0 x+ H, H/ B2 [! j3.4 CMRR（共模抑制比）8 A9 G3 S5 ~- A( `6 ?
附录
8 C% ]$ o0 z4 `& R参考文献( P2 U D4 E8 I1 Z, W) |
- d) O( q& l' ~& X; E# f第4章 射频巴仑
6 c! ~# P2 G$ H! j2 B4 d8 l$ X! m4.1 引言4 L4 K0 `0 S1 t* v& p6 V `
4.2 变压器巴仑
T4 E0 ?2 Y4 Z! P4 ?4.3 LC巴仑
0 b: \1 a8 x" ]( Q4.4 微带线巴仑
- r1 ^/ F- o" @6 Y7 a0 a8 Z: w% i4.5 混合巴仑" t! ^; ^- a" F2 R3 p
附录9 o4 q8 T; z( Y
参考文献! W2 J/ k3 e N/ z3 l
# Y/ x4 x8 m) Y, x
第5章 调谐滤波器6 {) y. q4 e& u/ E Y( H
5.1 通信系统中的调谐滤波器
+ z0 n9 r: w$ {- J- x/ h# ]$ z5.2 两个谐振回路间的耦合
7 q1 d/ W) T" m! A; k4 n3 U u1 M5.3 电路描述* a- Q$ d+ R5 i; I
5.4 第二耦合的效果
; K! m U) N: T- r, I- c. m% k5.5 性能
3 l; c" v" I5 P K参考文献3 N9 j6 {& c* J) ~
8 C! J, N; b/ d& R
第6章 压控振荡器
9 n1 N, K: Z( p) a) O# G# T6.1 “三点”式振荡器
6 s: C" T7 t K6.2 其他单端振荡器
" [' S, z6 T* b: T* G6.3 压控振荡器与锁相环* Q& Q4 u$ | C1 A- [* {4 v: M
6.4 单端VCO的设计实例
6 L, @. `5 Q! w6.5 差分VCO与四相制VCO
- @" S) n1 T. G" s& w参考文献% b" s V8 o- S# Z
* t k- q5 O. p: G
第7章 功率放大器+ t0 s5 l# b: v& {8 @/ [( ?" @
7.1 功率放大器的分类/ w- h( w E0 |
7.2 单端型功率放大器设计- {8 J. M2 u- D4 \
7.3 单端型功率放大器集成电路设计$ B4 S! d( I; s3 e. F+ u
7.4 推挽式功率放大器设计" {( D2 T& b# ~( S
7.5 带温度补偿的功率放大器
$ c: D' g3 i a* \7.6 带输出功率控制的功率放大器! [& Y2 p6 k1 }
7.7 线性功率放大器
8 j/ |6 O% \5 ^; p1 P7 [8 n参考文献) s& P2 J D. T- M) J
8 o- }0 i8 |+ y- h, @) J6 c0 z% {第二部分 设计技术和技巧
! V% U+ ~9 N' c1 A6 h' J6 F
2 O1 Y4 o( ]1 A# e; y第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法
1 w9 V: }+ f% p& G. p P7 C3 Q8.1 数模两类电路的分歧
$ ?8 t$ B. h% e8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
r; j# L3 k4 ^: i0 L) p' R% `: d8 u8.3 结论
) u) U- ~% {7 r4 U8.4 高速数字电路设计的注意点8 I: @! W' D& _/ c' s% w' ~5 X" ~; f; @
参考文献4 r; I: ~3 e4 c8 W s
1 V) c8 C2 s7 e; l9 { `1 {
第9章 电压与功率传输9 e0 \- k Q: \' j
9.1 电压从源传输到负载
3 j0 u3 |' g" {" x8 w; v9.2 功率从源传输到负载
8 x3 o4 F+ X; P" }8 J$ m' E9.3 阻抗共轭匹配
, s% E! o0 z; S% z9.4 阻抗匹配的附加作用
7 O+ T: S. m, f2 I附录
D, z2 w; X% P% r参考文献
% S1 L1 N: E8 p2 l) Z2 ~9 `& s2 F0 n% Q& O2 B7 b( G
第10章 窄带阻抗匹配) S* Z* Q+ D" ~1 B- b
10.1 引言6 ~. C: P% m2 D
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
) x: ^1 x. C0 r4 c; j+ K. m( T3 o10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络6 e7 C, ^& k/ ]7 H! t q( {
10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络0 m/ S4 r. _( E' x
10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
8 G( C9 ?7 {" S- C# d5 d- I6 {10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配
+ V9 q- b* H: e6 r3 L10.7 阻抗匹配网络中的元件3 Z+ E; Q. A3 [* R
附录, @2 T* R! g8 p# q3 B7 _
参考文献1 _$ f' s& L! [" ~& K A
3 f d/ x; F/ ?2 h9 @$ @) \第11章 宽带阻抗匹配$ |# m p. n6 f
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗' T* A$ Q; I, I5 b7 P
11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化4 S4 d: I8 I- ?
11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
, t7 u' C) @! A0 z8 R11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
: K* Q4 d, [/ V1 H11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论3 g% e. I- p& I0 G# J& ~
参考文献
9 V& l9 _7 V( ^3 t8 w
* G6 O) X, w5 W: N% u, k8 K第12章 器件的阻抗和增益
. \+ v. _ y* t0 s# w/ Z12.1 引言 p2 l' D2 ^. s+ Q- X; L
12.2 密勒效应6 u: D" S3 m) I+ ?* G! h2 R
12.3 双极晶体管的小信号模型
" N! n1 h! D+ A- X12.4 CE（共射）结构的双极晶体管) U$ _. g4 K; V: X9 e% p
12.5 CB（共基）结构的双极晶体管' F0 i4 t1 U, r* R# |
12.6 CC（共集）结构的双极晶体管
. N: h* v7 _3 {9 J% |! A) M2 m12.7 MOSFET晶体管的小信号模型6 q& [8 G2 _ g$ F5 x+ U+ h
12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
* q: e) _8 n& o% j12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管
7 p6 k. }% g' ?3 S: b12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管7 ~8 \! ^" ?$ i0 u$ |
12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管. I0 ~) a: ]" F2 @% L4 |
12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较. u8 _* j1 e0 }$ V" m
参考文献6 r* f, H% h2 l4 Q: o9 Y9 s
* {! {. S; e1 e9 I第13章 阻抗测量* x4 n& _( H5 r% g
13.1 引言
9 @$ i" F6 \' t! w13.2 标量电压测量与矢量电压测量# i& _" s: h! t* N6 X& n
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗3 V9 F% l" A! @; x0 @3 h$ l
13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
& X5 T; I+ F! ?: Q6 Y13.5 借助环形器进行阻抗测量
~6 O! v, z; r( F8 m6 B: N1 j附录
! r8 a6 L1 s5 M) |0 k2 J6 w参考文献% ^ s8 [. F* w, s: E+ ~: g
1 F o. k) }( n: e
第14章 接地
" F; E8 q$ G7 P14.1 接地的含义0 B7 _# m4 i2 D$ @3 q, }7 ?, k
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题: U* ~3 h, y( i8 ]% m1 @3 e: g" Q
14.3 不良或不合适的接地举例) x+ ?% K% q; x- O
14.4 “零”电容+ w3 @$ X6 H! g6 ]3 q, f O# U
14.5 1/4波长微带线
# G8 p$ s( @# S/ w$ ]) V! _8 _附录& @: l4 Z$ `% [" b: i0 j
参考文献
" E) X& H- h6 c2 |
+ F4 O4 Q: m. a/ M, M6 I6 t/ m第15章 接地面的等势性和电流耦合( ^, P! d3 T8 {
15.1 接地面的等势性
5 }: }- P7 C1 }( P: X; N15.2 前向和反向电流耦合+ D6 x4 p b. w9 V+ j* r" Z
15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片1 A* K0 `. j* T. r6 u" \
附录
% E8 M3 c1 ? O( P9 P参考文献) j$ d4 w1 ^6 F( P. X! {
5 {$ v1 H" a S' b
第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）8 ]: M7 C$ y# h: Q
16.1 干扰和隔离
3 o. U5 n+ l: C8 Q/ ^% [8 |16.2 使用金属盒屏蔽射频模块9 m k7 r2 p2 \& y/ W
16.3 发展射频集成电路的强烈需求
5 d- k& t! \# k16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号( r2 M5 C! X+ } B8 n
16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
9 p- F+ ?/ s3 F- S& q16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
2 u" T( _7 f2 e# O0 I/ m; E; q. B16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈
0 g0 K& I8 b) p8 V* C5 a16.8 片上系统的前景
& e" g) S2 d/ K: M1 J7 ~% m16.9 下一个是什么. p6 X7 B$ I' J6 F/ ?
附录
" l1 L& L* b2 Y. d! ^: o V参考文献
. ~/ X" p% Q- d7 R. U2 ]9 m8 u% y* C/ a( I
第17章 产品设计的可制造性% b0 Y5 T3 k, }$ v' q. W2 u* S/ z
17.1 引言
/ J! G) J5 `. k17.2 6σ设计的含义! r- R% V, \' x# U
17.3 逼近6σ设计
4 i5 k# E+ x* y7 [17.4 蒙特卡洛分析
- s. e3 W! g5 T: u% G9 |3 d/ R附录3 p7 D- U& M' r' U
参考文献
5 y+ s# V; U* h5 H2 Q# z
' g3 `$ t! U5 }+ E! L: d- D第三部分 射频系统分析
5 \: ~$ j0 S3 z% r6 ^" z) {; k$ z+ B/ d
第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析
2 @" R9 N' Z. ^8 j" `' U3 i; X& X( Z18.1 引言9 o% u2 c1 `1 B9 e
18.2 功率增益
: q3 z7 l3 C; h" E, h18.3 噪声$ n# O# B6 q- W. j
18.4 非线性
/ E6 ]& C% a }/ S! ~18.5 其他参量
7 q) W _: T7 i$ s, u% j18.6 射频系统分析示例$ N/ L, r' v# m0 j3 j! \
附录4 P0 z" Y9 [$ D" _" G& l
参考文献6 m a2 i2 u4 B
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发表于 2018-8-17 12:00
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