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比较旧，但是够用，分享给大家
0 _2 n2 N4 }" s# x) C7 ^& Y! Y- _) W* Z: z5 i2 x
8 w: ^2 j! z$ s《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
2 @1 b7 K% z, { ]; S( P2 ?" Q2 V l# U
射频电路工程设计目录
, M1 o {% ^1 p$ ?+ P I( n- D" r3 Z! ~5 v, N
第一部分 单个射频模块6 E/ a; d7 @- S
9 h( ?6 }1 B h" |, k
第1章 低噪声放大器
" k. ~% c3 ]) y1.1 引言) ?1 k' m6 v6 ~! ]3 a% g5 B0 C
1.2 单端单管低噪声放大器9 B0 e7 I& e, o- r# W0 d
1.3 单端级联低噪声放大器
0 `9 G" O. Y. n% T8 X/ i" q1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器% Z1 W& w+ H+ Q3 f. H
参考文献
6 r% Q9 q: [4 I3 I- ]8 U4 ? ^4 a' }4 D! V2 H" G" l
第2章 混频器
$ @" u2 t* Z/ t: @$ T+ G2.1 引言
6 D$ c) Q" \& s" M) O* @, s" x' c2.2 无源混频器0 c1 z$ v* `; a$ x1 z7 T: p
2.3 有源混频器
, y, G% \8 Q: J: i8 F2.4 设计方案
# l4 x' x$ P) U附录+ W* F: w. q; Q- z, p% w
参考文献) j& D8 Z0 J2 O4 p9 \
: k5 A' q) U E' }6 [9 s6 x F第3章 差分对/ N8 T9 h: C) ?! M/ |! E1 L
3.1 为什么需要差分对
- W, e& C/ Z5 o5 t9 ~: S0 N- X' j3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗. y. ^ n9 `; X) z& Y1 S
3.3 差分对电路的基本原理
) V# R L$ Y& ?6 h3.4 CMRR（共模抑制比）: O7 e6 V9 H- k. d. |
附录) X* Y8 C# d: N* D6 j7 x
参考文献
# X% w& S/ T) D/ W* K; t% z7 a+ H3 ]
第4章 射频巴仑: K, H) \& ~7 B
4.1 引言
1 I8 u; w# z, ?. d0 ]4.2 变压器巴仑2 t: a. a& ?/ W
4.3 LC巴仑
6 O1 l7 j4 p4 F0 K4.4 微带线巴仑0 g- {- P& e/ L% [* N( Z
4.5 混合巴仑
- @( w$ K; d: ?7 s4 A附录
E4 C$ _& }# l) |) `: l参考文献
% ^0 R6 c0 x) ]4 F3 H: J m g) e6 @2 \
第5章 调谐滤波器, b+ T+ E0 o, b' H
5.1 通信系统中的调谐滤波器
6 j0 L( F9 m7 }9 V k1 ^. H5.2 两个谐振回路间的耦合
, y1 V: B8 Y. O# W+ R- K" y, T" \5.3 电路描述
3 L* H/ k* M" X2 Q2 @; r/ C5.4 第二耦合的效果5 ]6 E! O6 _9 n# Z& u1 Y
5.5 性能( ^" S$ Q" ^6 _) ~& r
参考文献
s( v& ^5 G$ i' w' c& M: {3 b7 f$ l/ ~: M6 i
第6章 压控振荡器
X) k- w' ^: ?, l+ h$ q6.1 “三点”式振荡器1 n- P% u# |$ E% A: @
6.2 其他单端振荡器
" c+ z9 z6 s0 c( M4 n* Y6.3 压控振荡器与锁相环8 z. I5 \- |* v% M1 ?0 A
6.4 单端VCO的设计实例
/ D6 T5 u: [' R8 X' X8 V6.5 差分VCO与四相制VCO) U5 w- j8 \/ b f! I0 d
参考文献
, h4 N. D8 \$ I) v: b) p/ N" w. q4 y3 o7 o6 ?% u
第7章 功率放大器
# {6 I! \8 M1 a6 H7.1 功率放大器的分类
1 Z% T. W% B' q! ^) `8 l/ i) C- H* }7.2 单端型功率放大器设计" j" @$ ~* ?' }0 A
7.3 单端型功率放大器集成电路设计
4 {0 [! r$ u+ V! g) v7.4 推挽式功率放大器设计) {" m4 ^ r' h$ O
7.5 带温度补偿的功率放大器
2 c# ]1 ?$ Y0 Q0 U- a( e7.6 带输出功率控制的功率放大器& U8 Q. c* Q$ O
7.7 线性功率放大器
+ m2 b: Q' L, k& k8 P3 O# `" a参考文献: C; R4 \+ m& D+ @5 x. K
9 y. ?$ v; L" A: O# K- P+ q
第二部分 设计技术和技巧
& C' ^. j7 K2 ^5 c
+ e/ R. g) a7 ~& G" v第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法0 y- g: u8 E& Q, f0 i+ {* j
8.1 数模两类电路的分歧% d& L# q+ a2 V9 S4 I
8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
* h4 Z _# u) V2 v. l7 x8.3 结论0 ?$ t# m* z! x$ H$ n: j" k
8.4 高速数字电路设计的注意点: D# S; }' y) z( T. r
参考文献( c; G [8 }( I* ?; ]% \; w
( k" H4 J' J4 t/ `' \3 `: K, J
第9章 电压与功率传输
4 j* r" r3 }8 L9.1 电压从源传输到负载: ~! j3 Y4 f% G0 ]. |
9.2 功率从源传输到负载) _+ y1 M+ k. f( i* w+ T
9.3 阻抗共轭匹配
1 p" Q# x, Y4 I' g2 K+ B0 B: }7 \9.4 阻抗匹配的附加作用
1 J# s; N9 [1 r/ @ q附录* ?7 O# M" W+ [% W/ j8 f
参考文献& E8 |+ P1 l# Y+ j4 x1 S2 q
+ h* P. z6 [3 m" D, W第10章 窄带阻抗匹配
, ]2 [8 H2 ~ B7 D10.1 引言3 v2 h2 c0 f8 L3 }9 i$ |
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
: W' b' C# h5 g3 h, l! J' U10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络
o, Q8 A+ [+ U6 M0 {4 s10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络
$ n! j6 e: }$ \10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
8 L. K2 Z9 [9 B1 ]0 @4 a10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配7 U! {! l6 t' h/ ]2 I8 n
10.7 阻抗匹配网络中的元件$ O8 w2 f* R# U
附录
# I; H6 A+ X* ?4 G# J, Y8 x参考文献
) |2 q/ ^5 h6 U H
8 j0 G2 o& z; ] o7 {: W' d9 ]第11章 宽带阻抗匹配$ p8 B" ~# v! g+ v( E6 m
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
1 ^: h: a* r' Y. Y11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化7 X2 @8 {1 j& i5 ^, I. C
11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化, @* J6 J0 }. N; i: U
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
- O% {2 I- S3 D: q5 [11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论
: a* h3 @: S& A6 N$ d( Q: g w参考文献& V6 l* m) G! M
$ L4 ~ i1 w! X% G, L0 _: ?第12章 器件的阻抗和增益
& ]4 Y0 U: T" \- N5 w' j' k; w12.1 引言5 n, D2 c" M# q/ k) ~
12.2 密勒效应0 f( w. r# T; j4 ^6 b7 _& u/ o
12.3 双极晶体管的小信号模型6 T* }8 ^% p9 h5 I" [ n0 f
12.4 CE（共射）结构的双极晶体管
" N% G) S' v' \, @8 n- i( T12.5 CB（共基）结构的双极晶体管
. g* s# f; d3 [* H. d m! I4 a12.6 CC（共集）结构的双极晶体管( r+ b0 w1 w `: z0 e: _/ Z7 \1 M" F
12.7 MOSFET晶体管的小信号模型
( Q: g: `/ x- D12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
H: R# A& S3 S12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管: c! K9 u, \; |% U
12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管# S' f0 g, l$ o" l/ v( X& A" D
12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管
. A: h/ a# X. p12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较
) ]5 ?( C% l' ~1 t参考文献( O$ V1 |6 G' R7 ~4 L
/ r; _2 m4 Z6 ]8 w5 K
第13章 阻抗测量, V. ]# J1 ]3 \ N
13.1 引言
2 }3 U- {* k- o% m5 }" ~13.2 标量电压测量与矢量电压测量- [# z& G1 R# {2 _" `0 g
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗7 U6 [% Y/ {2 r& Y/ Q4 L* @
13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
$ m* E& g8 v& H4 M1 w13.5 借助环形器进行阻抗测量
9 r6 t& ]9 ?$ u; w R, U* }附录
% Q) Y9 x% {5 E* G- J参考文献
( C; |- O c1 f0 }9 l: h) C3 D4 E% k! ^, R# N* J! A
第14章 接地1 @; {4 B1 e3 T: v# Y- v
14.1 接地的含义
# o9 i0 o) X/ t n O+ G7 V. M14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题: K z7 c- ~3 b9 u4 V
14.3 不良或不合适的接地举例
7 J- ^ k p! i% ^, o- L8 c14.4 “零”电容1 Y* O6 s" _" f; a+ d5 A
14.5 1/4波长微带线
& O2 F/ r; E7 X# A. g) \! |8 U, L$ m附录2 Y7 Z* j' `# h1 m7 n d. ^8 J
参考文献6 t* i u. ]+ k6 ?% u: T
* q9 s9 s, ^; a. i+ F
第15章 接地面的等势性和电流耦合
2 X% d; d* z% n' c% I, V15.1 接地面的等势性
5 C1 ^0 ~7 w" d, ~2 [15.2 前向和反向电流耦合! a: o+ C1 y" o: T9 S+ ^
15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片 ?+ n* f& o/ l2 j$ j# Z# I
附录& Y9 r9 E+ z) b W/ {7 k" z: {; \- c
参考文献% h: ?# {, r- c2 z2 u" L- _4 h0 [
; u( L, _3 ~0 M. R" _
第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）
- ?& m3 m' }1 c16.1 干扰和隔离
* U C0 D2 Z$ _7 T16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
* S2 n- n( C( Q$ P! s4 x; T16.3 发展射频集成电路的强烈需求- w7 x! g0 R0 L
16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号; b, q _& X8 p. A3 P
16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法5 a$ m' ]1 M: L- m/ F7 i1 R
16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
]# l8 p2 i& |" L0 Z16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈
4 o% H( M# ~. G1 T0 T: y16.8 片上系统的前景
" H, r* e ?; q- K16.9 下一个是什么- `% Z' y' d8 P
附录7 s8 e; ^, R4 X( X9 S. `& S2 Y
参考文献9 j! y) R# p$ ~) T; g3 T' w) I
2 ^: i E+ c. i3 `* `
第17章 产品设计的可制造性1 w" i0 [9 E( R9 m2 ?
17.1 引言
! ]1 t& b, _2 g17.2 6σ设计的含义
2 ^8 Z) ?9 h- n8 m% L17.3 逼近6σ设计
( u" U3 P3 ?0 q% [17.4 蒙特卡洛分析- m/ t, Y' |' X8 J0 j
附录' X+ a$ d/ `/ N, a+ @' V* O- X
参考文献
$ g7 G. ~1 A, Y
- K! h$ K) u( d. p$ ]第三部分 射频系统分析: m; i; Q2 r: G E- j8 M9 _
$ x; f' C% o1 V) \7 D. L
第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析/ Y/ }4 D( U" `
18.1 引言
3 C& Q/ M" [# v18.2 功率增益
% V- m; u( V4 I/ N18.3 噪声& m& k0 ^0 `# b( M! g: M
18.4 非线性* @% [/ G& `" d; t# h, |: `
18.5 其他参量$ _& T$ g/ W8 J- @- Y
18.6 射频系统分析示例; l3 u1 a* [3 a
附录
# R! {% i h2 ~0 H3 R# \- q1 `) i参考文献
% {9 K6 k7 ?6 C4 f' ~ |
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发表于 2018-8-17 12:00
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