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比较旧，但是够用，分享给大家
4 `; {) K- u0 ?& ]# H# t: ]- ~& d; V' Y
9 T5 D, Y% h) G, ^& n$ c; g
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。0 }; G. l B9 ]( L) v# Z
0 X+ @; f: v% A/ j% A
射频电路工程设计目录
7 L# g- Y. F# }- o8 p; z7 x; J% q: ~ Y( W- q& y2 b$ D: \3 F
第一部分 单个射频模块 ~' l: I, b* w1 K3 u
% X1 @. w0 l# J9 t3 G
第1章 低噪声放大器
% p- L. c! O' s. S v1.1 引言
9 V, x# e) w1 h6 i* @1.2 单端单管低噪声放大器
0 {, H- n+ g) p0 y- a0 i" ^5 `1.3 单端级联低噪声放大器
2 T: p2 a4 k* {6 n4 {. F1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器# i: A3 E; _6 r' S" G. l% u
参考文献
' x+ y( [- d, X7 x/ e& V4 D# [7 a: G0 o% e- s! L
第2章 混频器$ J9 X Q% o3 {/ X7 F6 k$ [0 |
2.1 引言
' e: {! j/ N/ O& m% Z, i& D/ R2.2 无源混频器
% b1 X" @$ ]1 Q( ?" Q: L: | L) V2.3 有源混频器9 B* X* E" u# p+ M0 h/ X3 _
2.4 设计方案% H1 ~6 J& K* W" v
附录
2 i" [+ L% K2 @( h6 l& \. X+ \参考文献
$ r3 |. P- [ a6 d: R/ G" s. {( q2 B4 w
第3章 差分对
. R% t! J( C9 W1 }3.1 为什么需要差分对
8 F- e8 z: H1 {2 ]& u3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗7 J# U( q7 I8 A$ h2 b
3.3 差分对电路的基本原理& h: _ ]2 w" X* ]5 E
3.4 CMRR（共模抑制比）
$ L' O- `( Y7 K8 E/ l附录% O9 B3 w5 g8 L* I0 B
参考文献
1 Z: k; F: C. h3 L" K+ S7 D' a$ R0 H9 H
第4章 射频巴仑
' [7 T- `6 X9 z, P9 T4.1 引言
) K3 P9 G+ l* c' G6 q4.2 变压器巴仑4 S, P0 ]. V! @# y
4.3 LC巴仑9 _: T" }& x( `9 O
4.4 微带线巴仑
6 E$ i( D8 K1 |6 x! K; }4.5 混合巴仑
) f* t, B4 T7 ~ O/ u; l% a x附录
8 L: ]+ \+ L! h" }参考文献6 D4 [. u" }& f3 b
. q, K {! j- ]8 p& c" I) }第5章 调谐滤波器! Z2 d1 s, _" q- l
5.1 通信系统中的调谐滤波器% k* h4 l0 Y2 R j' D- Y
5.2 两个谐振回路间的耦合, s, ?+ E! r( S9 _6 o! ^
5.3 电路描述
6 P! ?/ ?8 q, B' w5.4 第二耦合的效果6 w3 A5 P& }. _1 h3 V' |& J
5.5 性能" c$ u& `7 H3 ?5 T2 S+ R0 i. N% X
参考文献
$ S: L' b6 b$ Q- |; K! W
+ N. J) ]( _4 b第6章 压控振荡器5 n! A v) W! [: @
6.1 “三点”式振荡器5 @8 I) G: \: t- W
6.2 其他单端振荡器* O) D5 P! M7 D" @
6.3 压控振荡器与锁相环
9 h. ]; \ q9 Y6.4 单端VCO的设计实例; I u+ C& s" M0 F
6.5 差分VCO与四相制VCO
' U/ M; M9 A+ j2 V参考文献
: M8 t1 Y6 z! P
- b% G. a- i" k+ h# K5 A第7章 功率放大器
. ]' ?1 O& C6 W% R1 Q9 i1 D0 _7.1 功率放大器的分类
0 {5 w3 B( {; m8 U* c7.2 单端型功率放大器设计7 @% v. C! T0 ]* h+ n
7.3 单端型功率放大器集成电路设计4 t1 r/ c6 r$ n8 A
7.4 推挽式功率放大器设计3 O* V( x' z! e0 H. Y8 A
7.5 带温度补偿的功率放大器$ T# x/ j/ z9 e
7.6 带输出功率控制的功率放大器
+ c, e' B' U9 R, Z7.7 线性功率放大器
6 k0 x2 t9 ?! ~! s9 b* s. N参考文献 p4 `! W# W6 m: U
& d) A8 \+ S. q5 Y第二部分 设计技术和技巧
& M; Z- d2 A: ]' ` }! o' y
/ \ a l/ I v. u9 I2 V4 }第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法
* E2 e& |2 n0 ]0 J ^1 o* F8.1 数模两类电路的分歧5 t$ V; m. M$ A0 Q& ]
8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
$ J r1 i! l" [/ E7 O3 O2 v8.3 结论; t6 U! ]" ?$ D- O- ]6 S# w
8.4 高速数字电路设计的注意点- X9 ^8 Z& E& `$ w( l
参考文献0 x" X# A* d \7 y5 S/ {
( a7 f4 a2 }, f z
第9章 电压与功率传输6 p& T# q1 _& k4 P: x3 }- r
9.1 电压从源传输到负载/ v( a$ j$ C7 N
9.2 功率从源传输到负载
8 d& L0 S" \$ e! q; W' C0 \9.3 阻抗共轭匹配
& }+ |0 y. I8 f7 T9.4 阻抗匹配的附加作用
1 w% ]! `8 M- e/ k1 ]& a附录
) Y7 @# p2 Z8 ~4 F% |5 [+ K参考文献
/ }- }& T! o9 b; O
. x! ]( m( R6 L; f8 D第10章 窄带阻抗匹配
% S1 n5 p. a- i* Z A0 r& @) s8 I10.1 引言" @ z& G) _& T& r+ x! J
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配# I( {$ x5 R1 k; G
10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络0 m" b4 i( \& a y. D
10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络
6 [" o8 ]8 A9 j! m( H! j6 Q10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
9 \ L% Z9 S) Q4 Z7 I4 C( n j10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配
" g# Q7 e9 b$ I4 V+ e10.7 阻抗匹配网络中的元件
, l" @! Q7 n( g, o; U: y附录
5 W- n; l) |' V- {7 L4 X参考文献& G* Z# n. L- M+ v( l( `+ |! L" D
8 Z$ G4 H4 D' S" V k5 Z+ T# c* D第11章 宽带阻抗匹配0 @+ H- g: @" B Q7 w! B
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
0 i& ]: H$ Q% `! \' s; u4 X11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化+ X, ^' d0 Y: o% U* Z) {
11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
0 H! E1 @2 H5 J2 i11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
+ q2 K( a, ]/ k& x4 E4 {- n11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论
1 `, t. f& z" |6 t( v参考文献: W. u- D- d4 ^7 `* B
* z! k9 O0 }, I5 p6 _# ?5 a: Q
第12章 器件的阻抗和增益
( X8 F1 t8 z0 M$ a x7 I! E, \12.1 引言 a3 d6 L: l0 U
12.2 密勒效应
( A' ^4 P6 \ T9 U+ K12.3 双极晶体管的小信号模型7 M4 e- `5 L, f, z0 s) Y" P5 W* K
12.4 CE（共射）结构的双极晶体管5 z, Y. J: x; r! \; i
12.5 CB（共基）结构的双极晶体管4 Q/ y `% C' s k
12.6 CC（共集）结构的双极晶体管
1 ?9 M) Y; a8 t) Q12.7 MOSFET晶体管的小信号模型
/ S6 \" l( O, o6 b12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点* q9 u% ~7 A$ H& B0 l
12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管
K6 j% q5 F0 X12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管
1 j4 ]( r- \1 x3 v, ^/ y$ U" }! n12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管 `0 K" O8 w; _5 B% P8 E
12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较
& I& Q- O+ e& ~2 h8 b参考文献
7 b5 l$ P5 |8 b1 K( P/ i% u4 H. i6 @4 N# C! O
第13章 阻抗测量+ b H# X3 Y5 r& T# p
13.1 引言3 v6 E# O5 ?* ~6 J4 a: O* `6 d
13.2 标量电压测量与矢量电压测量
$ R! H; i9 C, F13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗
. ^$ Y8 z/ E2 Q+ P7 T13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
( h. ~" b* F$ s* T13.5 借助环形器进行阻抗测量
. b$ U- W: \0 h& f1 w- h2 P, \附录
! m4 g. l6 b ]9 e( C! e/ r3 M4 u参考文献
" e3 h, m+ e( [
Q7 L y9 l- P9 T# J第14章 接地
( b& x y- _$ l1 \+ ^14.1 接地的含义2 F g: `" P' U. f& A- N. o
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题
4 m6 o9 _' |% P S, a14.3 不良或不合适的接地举例! I( J/ d/ M+ a3 Q5 F2 s
14.4 “零”电容
6 F2 D5 U; w# x14.5 1/4波长微带线
9 v5 n9 F. A- A4 o* l X4 x附录
- F7 O+ A. @# }$ I参考文献0 I* e% O2 Z2 q
$ i2 E% q% ]8 O4 u第15章 接地面的等势性和电流耦合6 z3 ?, v9 h' N0 S+ i
15.1 接地面的等势性! D7 e+ e5 q$ q3 u! ^
15.2 前向和反向电流耦合
: P4 l' P0 L2 O9 {15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片
: E4 m; S4 b6 a" M J# J附录
' @0 D! K. u: n- [" d参考文献
& `" O5 a" Y% S9 E) {$ R- N L1 r: _0 q3 y7 x; t9 U! e; ]
第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）
+ `- }+ I1 Y4 d2 M% I1 p2 `7 V16.1 干扰和隔离
3 o n' a6 O$ q9 Y4 V( t16.2 使用金属盒屏蔽射频模块- o2 k! c) t b( }& L
16.3 发展射频集成电路的强烈需求
! N1 k* H) t: {8 R6 Y8 _16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号
6 m) i0 k( \+ h& N: c! _16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
& H# Z+ n! m2 s' u) n: m16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
2 Z6 Z$ N3 y( \* H, R, O16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈2 L( D1 y g8 z7 x) h
16.8 片上系统的前景
4 B2 o, A z2 D" h- |6 S3 i' s16.9 下一个是什么
4 L7 N/ _ r; F( x- S0 \% }附录9 W& N7 R; F* ^" a0 d6 N [3 q" S
参考文献
& K6 p+ m9 s* C5 Q |" H: g* Z1 }
. \* N7 W/ d! r4 ?1 R! t7 ?第17章 产品设计的可制造性+ F$ H; p6 L: U
17.1 引言
4 o. e, B7 M9 u# Q9 q+ X) M. N17.2 6σ设计的含义+ A; l0 P1 L/ M* W
17.3 逼近6σ设计" p% B6 Z: j% A/ D& n# W: [; V9 B
17.4 蒙特卡洛分析6 n! N# @5 V* g; I1 b9 B7 u
附录# Y( ~4 q) ]4 d
参考文献; l* ]% `7 ?! ]) J7 v
. s3 B9 s" }" O% X第三部分 射频系统分析
! B C( M9 J2 Y# Z1 o- q8 y; \4 r
第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析
- k# B( T3 V) n18.1 引言' H2 }0 M1 |% t/ u( s
18.2 功率增益/ {: p, M3 C/ y. B; }( h E9 r
18.3 噪声: }/ A% m: @# o! e% X! K4 D
18.4 非线性
; c1 i" T2 c. {, s1 k18.5 其他参量; ^0 S$ a3 x' W u" Y( M! w
18.6 射频系统分析示例+ |0 [/ K$ y; a9 t6 |/ {; _. F
附录+ Z+ M! e$ z# q% d$ s+ N
参考文献) e, P1 s1 x- B4 Q
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发表于 2018-8-17 12:00
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