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比较旧，但是够用，分享给大家
* M% \- ^. [& W* g# L, u v6 N9 U- p! ~, `8 ?1 m6 t
4 D3 a3 @$ J. k
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
; u3 C4 z; f7 c) g6 ~
1 k0 G+ j! y: l1 l4 y射频电路工程设计目录
+ W) d& t* U0 m$ |9 T6 @
% }* d) i. P- h: c( Q% n, E第一部分 单个射频模块
7 W( h% P" U; N0 g* ?" i& S, L
! J5 V) f) t4 w8 C& K第1章 低噪声放大器# w9 \; P) I) r/ x7 F
1.1 引言4 `) T) d# ]1 C0 z1 a
1.2 单端单管低噪声放大器
+ f6 C5 F$ g0 Y7 M I7 N ~1.3 单端级联低噪声放大器* n- D* u! ?/ |; n8 T- O
1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器/ E- j9 x3 z: {7 e1 N4 L3 S. Q V
参考文献
3 e' F7 ^% n) V+ B; t" ]% r& P9 l$ T
第2章 混频器/ J. @; [& H( J4 w8 E
2.1 引言
* Q% o1 _0 _+ S4 a' r" P2.2 无源混频器
" D, W/ ~; ^5 B* l4 c* M6 S2.3 有源混频器
3 R& m5 B8 g# v$ d5 u2 C2.4 设计方案) u& F! S# F1 a% c8 j9 s& k5 a
附录$ M4 D+ ~& x6 a" `3 ^
参考文献" L* ?9 T3 I5 o1 g) _ K
0 L! h% T9 B# h9 d% w/ J/ y8 l+ K0 h
第3章 差分对0 i4 ?) j' i% s Z
3.1 为什么需要差分对- A4 ~( k& n- o
3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗8 Z( ~6 w7 |9 a; z# Y
3.3 差分对电路的基本原理
: k( S; u- s3 q* ^- X3.4 CMRR（共模抑制比）
7 h6 g8 D6 g% o! u) m; C附录; a% q% @7 j3 K" d- W5 } Z% @& S
参考文献1 B1 f+ P5 d2 U4 W3 \
5 X8 h% c4 @% P( r5 u, p
第4章 射频巴仑
3 i( Y4 T1 e; u$ z9 K4.1 引言
3 X9 H+ f, x# h- c3 R4.2 变压器巴仑8 ^4 K( _* |7 g
4.3 LC巴仑
! R( z3 r; ?! b6 W, x3 S# e4.4 微带线巴仑
% D7 V5 D/ u- c2 }4.5 混合巴仑
4 x5 V6 e3 M3 z, X附录1 c7 z+ E, v3 I& q
参考文献, r, {# O2 p7 k( R9 d7 ^
/ `8 |# q* ~# K, X第5章 调谐滤波器( m- a2 \& e9 O+ C5 C( o
5.1 通信系统中的调谐滤波器
% s' `9 Z( F8 A# S, N6 B, z5.2 两个谐振回路间的耦合
3 H" x6 ]! W8 j9 N7 O$ W9 a: X5.3 电路描述4 [% h, b8 i. L" y) a
5.4 第二耦合的效果2 U2 Y8 e% _4 u7 a; w
5.5 性能
+ ~( a. z' U" f4 M2 R# C* {7 P参考文献
8 O5 _8 e6 y1 q( m/ {% v2 z1 Y* k, q7 |8 X0 b. ~/ m4 p
第6章 压控振荡器& N6 t$ o8 {! m, B: u k
6.1 “三点”式振荡器, J [1 s* h5 y3 M, p. S
6.2 其他单端振荡器
2 H6 H& `* i' y6 a) I6.3 压控振荡器与锁相环( g0 P' h9 F8 x+ H
6.4 单端VCO的设计实例
, t( [; O+ D1 O& A% M! C* U0 I8 E1 O6.5 差分VCO与四相制VCO; a8 ?1 U1 [, ^
参考文献
* z. W1 I- e, b+ `2 |; Z% t+ D4 W0 f0 Z7 q
第7章 功率放大器
$ z1 z+ R; A# ?* ?0 F8 t. j7.1 功率放大器的分类% [ K* p1 y; H( K
7.2 单端型功率放大器设计
7 |# m$ O0 A* C U* C4 g1 H7.3 单端型功率放大器集成电路设计 G0 ^9 m' P3 X# s6 U' C
7.4 推挽式功率放大器设计
5 S( u$ l0 Q+ }" [7.5 带温度补偿的功率放大器
+ s. V! K2 b' s5 i8 O$ ?! [7.6 带输出功率控制的功率放大器
3 @# w: ^# z, `% j7.7 线性功率放大器
$ M/ x( {7 }( Y7 V, l4 c参考文献
# @: ?. M/ o7 ~) `/ f5 N1 R% D& Y1 Z
第二部分 设计技术和技巧
6 R( X, W9 f. v* s% Y, t8 z( \ _) C Y
第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法
; N# ?" C! ^& _3 n" m8.1 数模两类电路的分歧
" p3 \4 T& h. J. ^$ ]8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别0 r$ d, P) d4 e1 o8 o% }4 B
8.3 结论1 o q# O$ o, L
8.4 高速数字电路设计的注意点" {+ J* Y" A7 Y2 u
参考文献
6 x2 W3 K: R* A
% e8 p. W" Z9 c d) q第9章 电压与功率传输! F9 | `4 f+ b" P d
9.1 电压从源传输到负载
* b; N ]; h+ O# O0 q4 P9.2 功率从源传输到负载3 V" |6 `2 w7 l& E0 @! T
9.3 阻抗共轭匹配
) v" T9 \$ { c5 k9.4 阻抗匹配的附加作用
8 `& U; d `6 k; N附录: \* O# Y% Q0 i5 x4 M4 H
参考文献
, [) K6 U% `) Z; ^7 g$ j7 g& \& A; e8 h6 T2 ^
第10章 窄带阻抗匹配
2 n5 C0 q9 F& W! T0 T% A- S10.1 引言
1 W$ y' Y4 w | }. h/ }2 _10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
, z2 E/ N2 ?* ] J10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络8 ]- B# A- `4 w0 w
10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络2 c% }+ z; c5 e1 E3 F
10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
2 ~1 b3 n, m; B) H" u$ Q10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配2 K4 N* ^$ ?5 o+ n# l
10.7 阻抗匹配网络中的元件# p7 [% T9 N- }' x5 Z
附录- i, S1 E% Y* \$ j* Z* H( @
参考文献/ ?$ ^9 p9 k* K! K. J
0 C2 @" ~" B' w6 O
第11章 宽带阻抗匹配
$ _& ~; s2 D% v2 Y z11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
% G* T$ L+ B& ?1 `; C$ {' s. o% u11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
9 S1 _0 E' u1 D, S11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化/ V- \; Y1 p0 s O: j
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
5 `, b3 Y7 t$ E ]11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论
# O/ [9 G: T3 n$ A参考文献
& v) ?) ?) n* `7 a/ O3 x4 [2 I9 q/ o: s, Z
第12章 器件的阻抗和增益: | T" |3 a$ z$ ]* w$ F
12.1 引言1 S3 d& a1 u/ y3 E1 D
12.2 密勒效应# F4 @- m( T8 O3 w; t$ G$ H
12.3 双极晶体管的小信号模型
7 e8 G/ j6 {) `% F3 @12.4 CE（共射）结构的双极晶体管! m0 E7 X8 O$ z$ v" b
12.5 CB（共基）结构的双极晶体管1 \- }' n% v0 U( }/ D# }; _* ^ i9 X
12.6 CC（共集）结构的双极晶体管
0 a0 C( k! @( A+ D/ r J; Y- P12.7 MOSFET晶体管的小信号模型
3 B" Z! A. ^) k% g8 m; j" m12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点; L9 I$ Z% _8 b. J+ K
12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管; l; {7 p8 ]7 B5 I( M
12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管8 D3 V) l1 m4 o4 f' M5 k
12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管
1 B; P( `( B c6 k3 r- x' F8 k12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较 K, A" ?- L# l# ?5 i
参考文献9 u* s# a; n0 x# d
* }6 P9 I& H& S ]; R& q, N7 ]9 ~
第13章 阻抗测量1 |6 L4 `1 e6 i% X, r
13.1 引言
" C# } N& S8 f+ Y) H9 |8 \13.2 标量电压测量与矢量电压测量
- O2 l* J: L1 ~" k6 M1 ^13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗/ J+ H `, A3 V5 x
13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法/ [5 ~/ c4 H$ Q: X4 ]. a
13.5 借助环形器进行阻抗测量# I c' D% D6 c y2 w c
附录2 i% \3 S+ ^! l& Y" X
参考文献# {/ W9 _! i6 K, P1 E% t6 U. v
; j$ g; d8 u$ N3 I& U/ F9 y% B9 [& A
第14章 接地4 c7 S* M* f) E" f& @. t% |
14.1 接地的含义
$ `5 s$ j, l) O0 h4 a0 v; B1 g' l14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题( R4 I2 u; ~1 w
14.3 不良或不合适的接地举例
3 C6 g) A' B% D14.4 “零”电容
) ]8 R1 B6 V: N. V14.5 1/4波长微带线
2 Q( N; F% ?2 z3 R2 a附录
@- H% x& z& ~+ d! D8 \; f1 v* c参考文献
7 `1 i D4 u) d! h. Q! N# ?* p& D A* n0 z# J, M5 T2 C7 \
第15章 接地面的等势性和电流耦合
* x5 N+ ^; z, ~. [" ]3 o9 I$ q: Q' c15.1 接地面的等势性. y3 d2 G3 q, V5 @) P6 \
15.2 前向和反向电流耦合
- M) y8 u8 m- n+ U" Y" h8 h! p15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片. C' F5 j/ V/ }. U- K
附录1 D9 w% c. ^0 R4 u; n2 @ j
参考文献
8 p& N' ]5 o$ q( N) b
7 S1 n9 Q% W4 @第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）, a% b- X$ E+ D2 c5 Q
16.1 干扰和隔离! q; X+ t8 L3 \- @
16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
. J e9 {9 [1 x' r8 v/ }& F# a16.3 发展射频集成电路的强烈需求2 X$ q- x7 P) r: `% E
16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号
% j \0 @3 B/ L, d16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法. T* Z. U1 q$ j. X5 p/ `# v1 j
16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
9 {+ T: R' M5 p3 }$ A16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈
* q; o5 O# v; w3 P( _) ~% L6 J16.8 片上系统的前景1 G& B0 Q' I% Q2 Q: l4 H" D% U7 a% H
16.9 下一个是什么
/ k. N) j+ d# ?* m+ `; Z* f附录/ O! ^, B/ [8 [9 l
参考文献( K9 R9 l, m8 |% L S2 v
. @$ K; @1 m! j- f6 N第17章 产品设计的可制造性
- a, Q) t+ G. q3 r17.1 引言
# z6 X% T' [1 J8 |6 n17.2 6σ设计的含义
9 z1 `& U3 y# d2 n7 u/ G* e17.3 逼近6σ设计
2 y1 J1 R- @" h( j) M- `9 L# U% l+ P17.4 蒙特卡洛分析
! ?+ p5 c2 z0 ]$ f2 N附录2 W, X. N- f2 A- |& P6 _; ]
参考文献
8 i( _. |+ ^# W& e
# [' H+ \) ~+ @: c* o' b第三部分 射频系统分析
/ A( D( B" t; t0 _' c& S$ t
' x3 |- a1 y1 Q* P. B9 ~) e* u& K第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析" X5 ?* [/ {( ?7 c! E
18.1 引言5 r+ r# e; X% C `: \
18.2 功率增益
4 r' H! N0 @7 q) d. A" @3 K18.3 噪声
6 ~& Z# ~; @ W" R1 f18.4 非线性: {% A! ]6 b8 @" [ s2 M
18.5 其他参量
2 Y" E/ N/ B8 k1 O& W s- F18.6 射频系统分析示例
9 h. V# ?3 h3 {: M4 E& R附录
# o' d0 L2 g8 t: N3 m7 g参考文献6 O8 b* R( L! c( X
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发表于 2018-8-17 12:00
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