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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑   p6 R% I( V* s( p$ |

; H9 V' D7 q0 o
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

, m' i1 z; |: ^/ y  w
  A" I6 z% T7 i& k

' g: i1 q- p, P6 C% u
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

, w: L# X, w5 o# F. x

: M/ l  x8 f+ G7 f
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
5 V! H9 J- \4 p2 J2 ?

3 A  M4 o( \% z. t/ H8 V
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

1 C4 Z1 b8 \! g4 |- V9 w# J
% |/ w2 l7 ~- G! h8 q' ]5 u$ x
2 I4 i+ c* m( p2 K' T
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
4 A: R3 G7 ?/ V7 y
2 U4 S  ^6 ^9 V/ x# A- x
9 D1 C) d- J# x+ s2 j/ |' c$ @
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
# a; n# {( M- J7 t% O$ f2 I- T

; ~  p  N/ M- U9 ~+ g
% j9 z/ W+ J" p* x( t+ u7 r

" R8 R* F0 r5 R: b
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流/ n) R4 i0 _: p/ d7 g" d: _
" Z2 n6 b& U7 {5 }0 V% c4 N

9 i: q' m$ j/ @/ f. ]% ~
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

' Q# B& b1 U, H/ }
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。3 J$ g% A4 G" c
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
# S- C! m- k2 [( c/ X2 Y
$ C  h. q7 Q  T

* c: d% y7 ^0 G/ q! Y' z
这是为什么呢?
4 k+ ~4 Q$ S" V0 b7 v' l
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
% u  e+ m( w: H, c5 c: _3 G8 m
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
2 y1 p. O% |4 ?/ c6 ^% j& v
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

5 b& L+ \+ Y* i  i1 J1 m

4 E. v$ a7 ~: }$ W; y/ G1 n9 o* X
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

, ?7 M/ O/ U$ Q% H3 O$ M( e

; s' M% l3 R, |( k
- G* ~7 n2 x( H
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

( C& U( @5 {: d0 r; E, \
& }4 U# Y: Q: {0 H3 i! _
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
1 L7 z6 D, m* f, Y* t( c
+ N$ l5 I) j: J& X2 g
. Z' X9 N, s- ?3 ]
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

5 V6 c6 J2 K$ P) Q7 ?% R! T

1 ~7 M4 C; [$ p
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

) T: I; q7 r- I- ~  c
2 S5 @  I  X6 R2 [2 y9 e% o% [  e
2 H# Y- ]- x4 }1 W2 j) w9 _
而当电压极低时,其Cgd会变大。

9 k" s8 s* ^0 s8 _9 h: Q- J4 Z
                        

% D( ]( s' [; a$ N  P

( ~6 f) j8 y% o1 F& e
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差- k8 e0 ^( L6 U4 v

1 z( D6 s" F" i8 v* P
( K) u& G1 ?; Q. s, F/ ]
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

0 }# J" u1 K2 K! s( j
" G$ z3 w5 _) O2 N
( h) ~8 w$ I% K/ i
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
+ d$ J  L% j8 u0 Z& [

  m9 Q0 @* @' R
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
1 B. A5 {" o7 Y- p6 z; ]: Y5 R
- q& Q5 x* V$ Z
$ L# [5 [5 e$ ^# X% e
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
# |  }. b: O& `% v0 F

$ G4 N1 [$ a8 F3 a) N9 S$ t
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
% F: C2 [: o8 e. z: r6 [8 e
2 z+ U( j# R+ K. i- Y
, I1 Y6 b7 e0 `( n7 ^* \
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

% \- S+ V$ p" T3 S0 M9 r
1 ^# j. ^+ o& @' X3 _; L3 `- O; B
我们作以下6个实验

1 O* l& B# i: Z! g

, O- F* R+ y% K  x! Q

$ C4 b& O5 C' P9 Z0 |2 e
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
. ]5 `  N$ |$ B2 P' o8 z
+ A1 a  \7 u  f; Y
' Y9 ]0 y$ B( m+ U4 }7 ]; q9 l

1 D  E, t7 M* z( f
, u0 W8 i3 a- d! o+ p# G$ q& Y. u2 D2 Y8 L" ^1 f) Z) j6 T
- [! A, j, X; n4 W: T1 D4 a

: z7 j: i' R) H3 }
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
- T3 ]7 g) u4 q
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化4 c  f( |, `6 q3 V& x

5 L' q2 m+ }, t& s% Z; E
7 E. j7 r9 {% J- j& N9 c% O, ]7 v; }: \0 ?
: f! l: ]5 _. U9 m9 s+ F6 L
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

+ z" y6 j& [% Q! ]- x: Y, b& L9 k9 q- s+ D/ U0 Q  _$ e' F- Z/ v/ m) C% a

0 l* \" M. p' Z1 I0 k" X7 g6 v- s0 N0 g6 A& O+ V
5 J$ O* ]4 M0 B! I
其他详细原理   可参照  2 J: k/ y7 P7 f3 u5 m1 f5 Q6 C) y
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
7 }8 K; B# [* o  E$ L
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...    b9 G& N, F- |0 C9 w
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
0 R9 \7 n2 K# n. w- ?; b% L射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析( z7 n! d' A! U# m( _
& J, N2 H9 L9 D! ~9 x
  在此就不赘述

4 _+ b9 [3 v# Z! B, A3 O, ^+ v" l, Q
* x# M+ K9 K9 y5 H. E8 ^7 f! D

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

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5#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

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6#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
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    [LV.2]偶尔看看I

    8#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

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    [LV.6]常住居民II

    11#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享7 h) G% Q+ x- ^# K

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    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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