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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
5 d$ _8 o; V/ p( ]% ~* z0 a& N8 n0 ?6 X% n8 {" X6 V3 [4 r
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
3 N4 N3 V: v  I
4 w9 j, a6 E1 H* c% I3 t

, A$ T# t7 A& @, R* x+ M5 W4 e
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

: Z0 _  G: i& B
+ C2 q! r9 W3 ^4 L! T9 p4 h4 d
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
" m$ m3 G* W  _5 \, U7 J, u) r

3 k1 g0 `' ^/ a2 r
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

7 [6 t& i2 l' w# j
: h; W2 X0 @. h9 D+ j/ ]  e+ u5 x
& D7 L& j2 P+ G; A5 n6 d
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
+ K' u' u, T0 `
9 m5 Y4 `/ L( @; q9 M2 k
1 d2 t" C' J7 D% a$ S
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
8 m' u/ `0 b' e1 p2 m) D8 M

( o/ t& U5 k) V
8 o/ \1 b3 b/ M. n2 N3 E/ l
: v2 P  Q- D7 [9 e5 Z' _
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
# A" o% b) B* C7 Y
- \: g, ]8 P* O7 h1 P" S4 D

2 ?- Q4 R- j6 \, P% b' ^) |
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

0 ~  ?7 d2 P+ d  o, t3 b, @. w' `
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
0 b/ a" f; B& z/ o
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
+ @, [+ h& I% A6 C9 @' `: I, l

8 p! X  t8 u, z- w  S+ x: ^
6 U! K2 B9 g( |3 T, b  P
这是为什么呢? & r$ k4 E; s2 U, r% u; C
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,5 X! ?0 c- a! R& u0 Z
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。) m* A, a! q& J2 F/ L4 g
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
: M. d/ H! r6 v3 O

9 F' w  W, n9 `2 H! m
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

( q. K! }! X0 I, b! B# t! B% \  k; D

; o' m: N5 y5 r$ Y6 H

" `- ~- @* s+ z$ h3 u# s
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
* Z- s6 {# z! p8 U/ b% H
4 t6 g8 e/ K  Q  m
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

( N2 S, y% a& n& N# S) o  d# a* ]1 f* f% U0 x
! q% [+ ]$ y- X
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
6 |+ ]' p6 c5 _9 h0 F

4 `( J0 u+ [$ r1 ?8 D. Q+ }
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

; f! }7 I, O6 Q- P

1 d% n, S4 a: n9 @5 q

7 l2 U) U2 h1 x+ i7 i' L+ r
而当电压极低时,其Cgd会变大。
. w- x) D/ `: q) R
                        

' |1 D0 ^/ \' r. q9 f2 s

& I4 x4 s$ q3 B" t/ t
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
, c7 A  t5 @" a; E! U1 u
- Z1 K4 C5 D' f+ }2 V6 D# E5 f& P0 {9 c" B
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
% c8 D/ [4 l5 r* ^* Z  ^5 Z

& S2 z" b% l5 y

3 }$ z9 g0 p% p6 x7 V
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

, J6 I5 z2 y0 C6 E# A( L8 L

/ p* B7 u, c, Z
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下' g% e* M6 U  M
! G8 _9 b# ^, M" Q; y+ g; U

* ]3 ?. J- L8 \0 S$ l8 k* O7 b
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

% T2 e$ h( n( N# a7 f. r8 g! s
2 v+ Z" c# n6 ~: M8 Q; a- p/ F
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
) c4 B/ i5 U% d0 Q  M
3 I( |- l' f$ ?: F
; P" L5 m7 j% Y* M( d# M' S& F8 o
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

: |+ g7 U# ^$ l

7 _8 r8 D2 w) E4 m/ m5 ~% c8 j
我们作以下6个实验
) o- B) Y" ?" m3 |4 I

/ h! X/ b& s, _( D' G: Z. E

3 E7 v; c2 {: R7 I
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
" L5 w2 H7 k  R7 \' I: d2 h6 c7 F

5 |6 C# T0 T( ]
1 W2 X5 x8 J- _1 k

5 d" r. E0 k9 j2 D$ i4 i1 B2 Q5 v7 `! q% _) r/ w! G

1 f" I: ^" C3 Q% F: }; M8 `0 y& r
& V- u- Y. l9 z# G/ F/ n1 J! A
6 X# n8 ?5 ~0 a$ ]1 E! h/ ~! x
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用

% i, ]! U7 m6 B0 d
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化8 K$ T, j! P+ V% T' S

; V# c3 s+ C" Q, P8 C& A
+ y3 r9 r" w+ b. e* F, l; Z6 H" @( y& ~9 U

& T( P! m% N4 A2 b
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
. A7 i' Y; Q7 \8 W

8 y9 B# v) M+ U* [: i
: Z& s8 n5 J  h2 M1 A! s( g; y7 W
7 s$ }! ]( ~' W7 m
! V  [) P( u1 n
其他详细原理   可参照  * T# D; _8 `, x( x; @" f) E, @
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... 6 M3 {& P3 ?9 _) k/ K% M
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
/ m) @" S% i; w: B. uEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
+ ~4 f4 z) m" i' e" e! e射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
9 L2 @8 u* w" f) c
" ?# K3 _2 a# x3 C5 e  在此就不赘述
1 T* O( T" X3 Z0 L
3 y6 n. |' o1 V* s1 K# p

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

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5#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

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6#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
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    8#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

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    10#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

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    [LV.6]常住居民II

    11#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

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    12#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享" _8 w' ?6 {+ R/ o' T5 T

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    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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