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上电冲击电流的抑制

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1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?

8 b0 a. a" g4 l$ h$ }8 p, R
    谢谢!

6 s/ Z, K7 }) _% p$ h
; h/ v2 ^  I, x8 h

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 18)

上电冲击电流.png

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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36- R! ^5 f  u- Z& H7 y, I1 d
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
1 i. a' w% j6 J- L5 q% W" |, ]' T具体参数可以仿真一下,或者试一下
0 O( n# a& E( ^6 ]( Q; U8 P
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。7 \: z2 F8 b" E
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
* ~$ Z2 N' z) |' D* x" ~3 Q所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
' u5 ^! X( {, H( [4 }) c
  y$ T# T1 G9 Y+ l2 }  ~, b
+ E+ w/ f0 B5 I/ c: w( D" @- v+ \

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
  L$ U' o( Y+ e使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

, R9 R1 d5 U7 y9 W+ D电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
' ~7 V8 r  R9 R: P电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。; v/ n* o8 ~* O3 c9 E3 j  d* J0 v
这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。
. g( Q  O: B; U- n8 ~  e后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
# v/ s) O' j) ]& ~" F
6 @/ J& W! l/ {
8 y5 t& [' _/ ?

点评

估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
. k2 f+ K- ~2 x9 Q为什么是N管呢,你确定能完全打开?

3 K2 k  ]6 M9 i% G' E' U$ o2 l" N5 n9 bG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。1 ]4 j! b9 y- C9 v( l, A/ t
之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
" X7 {9 y  e3 `' d6 r
) I# [: r6 m& @" l' K0 d( B

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:343 \  u' H2 E/ ?1 m. a8 `7 \
串联电感

, }4 Z# M1 |- h! c% r. f# a7 K0 Z) c在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
3 O( I) l. ^8 c& I; {9 Q, U3 a

点评

串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

点评

G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
% [8 D9 B& `/ w. n6 R& QG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。* D& _0 c2 R  r( Q- Z1 O
之所以选择NOMS,而不 ...

# D% p& P+ K! y( N/ ]) l( _+ H2 P8 z哦 又学了一点呢 谢谢
+ v1 J, \: S9 b- {. [0 Q# x8 W

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7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
( {8 c. g! {7 ~在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
6 e5 H/ ]7 n  v% t: @
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。$ T& r1 B$ c3 H4 ]
你再找高手问问吧。
& L5 J7 n  n# \1 H- N/ b" O+ {3 B

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8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变- I5 K3 \3 F6 @+ \
7 O; V8 f, e4 r
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻$ X+ ?$ e; \: A9 B6 D+ {# [

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9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.+ `% d4 C: w7 L  n# w5 p# |  G
Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.& {  B4 `7 E; U2 ^
A resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
3 f% c4 c7 f9 L( `# x4 J6 w' J  `串联电感
* D+ H, {6 q- B  p. M& j
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
( S% B. X7 X* z1 k- o1 F: H, K

点评

恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

点评

不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
9 U: F: [- f( Z& I1 m冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
" [, B7 T' |3 y7 K, E
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。2 ?* W: ?  F4 y3 L) [
9 i" W& {2 L/ M: }

% G+ d5 z9 S' _  ?
4 [6 {# e7 g) }3 f4 I. n) R

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15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
; V- r0 ^# `. X2 f8 L' P楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

; \9 n* y& Y! z- t9 S) I不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
0 F7 D, W2 ^2 I  E

点评

容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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