SK启方半导体第四代0.18微米BCD工艺问世

2024-9-12 11:28| 查看: 206| 评论: 0|来自: 美通社

摘要: SK启方半导体(SK keyfoundry)宣布推出第四代0.18微米BCD工艺，性能较第三代提升约20%。该工艺提供高达40V的功率器件，并支持3.3V、5V和18V栅极输入电压，适用于服务器、笔记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、移动充电器、 ...

SK启方半导体(SK keyfoundry)宣布推出第四代0.18微米BCD工艺，性能较第三代提升约20%。该工艺提供高达40V的功率器件，并支持3.3V、5V和18V栅极输入电压，适用于服务器、笔记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、移动充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等。还提供MTP/OTP存储器和SRAM选项，符合AEC-Q100 Grade 1标准，可在125℃高温下稳定运行。厚IMD（金属间介质）选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压。（美通社）

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