三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产

2024-9-12 11:22| 查看: 200| 评论: 0|来自: 美通社

摘要: 三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案深圳2024年9月12日 /美通社/ -- ...

三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数

推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案
深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产。

三星半导体1TB QLC第九代V-NAND

  今年四月，三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，随后又率先实现了QLC 第九代V-NAND的量产，这进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
  “在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在该领域的市场地位。”
  三星计划扩大QLC第九代V- NAND的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

三星半导体1TB QLC第九代V-NAND

  三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破。

三星引以为傲的通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching)，能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在TCL第九代V-NAND中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%。
预设模具(Designed Mold)技术能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。
预测程序(Predictive Program)技术能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。
低功耗设计(Low-Power Design)技术使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』

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