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[Cadence Sigrity] power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
  • TA的每日心情
    慵懒
    2021-10-8 15:06
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    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
    SPEED2000 Applications
    * R5 S& R) u  z4 x, F2 F, D ' t$ J6 v9 {. d7 p8 T
    Performing time domain analysis to confirm designs meet specified targets! x: M+ Y) P8 `
    SPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。
    & @/ o( O% L% Y- @& aUnderstanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities/ b! h* M% h- L- T4 D. b% Q. N9 K* [
    SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。9 D8 f* @" {1 K, i
    Assessing various decoupling capacitor implementations
    1 D) K" D6 L; t& v' S2 x' J3 N不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
    1 k5 d9 ]" M$ S) TSimulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options9 A3 S& w# j+ f% M! U
    快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。
    3 X9 r; i: q: J8 O* k4 }4 h0 E' SIdentifying package and board resonance and radiation harmonics
    ' @: M4 f6 Y- o+ \SPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。
    . y6 P" F% F" [: g6 a==========================================================
    ( }3 E! c9 m0 k" J8 i4 p5 DPowerSI Applications
    # R4 E6 l% C+ h) C# R4 b, O& h) ~ 4 s! B9 d# Q) e1 [8 ~2 l
    Establishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards" c+ k$ h+ b# \0 S/ W
    提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。
    + R  w. h3 M  m- q  KEvaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement1 \1 w5 P; T2 k$ t3 v3 T
    PCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。5 S# u& I- t3 V. v- ~. Q2 O
    Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation+ d6 u- g( o( ^  u
    PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。; Z- Q* R/ w+ D7 K' C% n) U5 c
    Anticipating energy leaks with near-field ration display
    ( I& Z6 O/ U' j7 V) K经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
    $ W* b& H# R( ]9 T5 t9 P6 BAssessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
    9 l9 O! ]2 u. \( o8 A7 _( e使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。
    0 h* o% E9 M2 x; [Broadband modeling including accurate DC performance characterization
    * r5 Z" R: w$ y, g使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
    ) n5 j% |" B1 U( k4 N5 u
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