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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑
. g5 ?3 b$ d) {7 N: S. e! L" m$ s# `1 K. K" _& T
市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。
' J' o+ }7 C- J* t% @2 y动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。
/ w( ^* t, P# k- Z参考:4 L* H$ s7 r" K9 F
https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html
; o; ~3 z0 E3 H$ rhttps://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html
7 T9 B5 C  e9 ~+ v5 V' x8 rhttps://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html$ o( C) u) X. p+ |" p  q

9 I9 I  F+ F% R8 B$ `电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。4 t) ?; z# A" I+ [# R5 e* }; ?6 o
封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。& K9 p' i1 V3 s9 y
7 N9 y* B% ]! `. B2 J, q/ b  ]
9 i! w' D) I7 Z4 x
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。3 R; M! R7 q2 O- m* K6 S' b" `
先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。' S! @- W- g' M4 S+ D8 w  e
==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html
2 i% [+ n! ~, t% Z* \; ?8 H5 b  e( x% L4 I2 p' l
结构:* l# J& ^  o+ S" `- T0 m5 U$ j( g
芯片pad:2 U, a! m) _2 h. O8 g. v" V6 W
1. 信号/地间距
# [6 z% w8 W4 D) W6 v0 s2. 信号地分配方式
% H+ j0 g# M% g5 }2 h, e  ?" p芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。
2 G' d1 Y, c. Y9 O+ `" N8 d
6 w# ]$ Q2 ~" }# I( C% FBond wire:: a4 m1 J* Y/ X% o7 e
1. 打线长度! Y# B8 s. x* f+ L3 ]* x, W2 I% @( y
2. 打线线型
2 N4 g$ V0 K2 i) V) N5 g3. 金线线径
# Q" _3 m* Y" R: o0 [: B- C! v3. 打线数量7 h% e$ k, u8 a% l
4. 金线阻抗匹配3 w6 Y; j3 d1 ^1 ?* T5 P3 L: Y
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。; G4 m- B/ v; C. v- n/ u: u
7 Q5 _* h0 C% a& D* t
; r2 v' h9 B1 s8 ~. Q
接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。4 h2 l2 J. m3 K9 p- h( \7 g6 {

+ Y, t" h% U; L$ A; V 0 T' ]' y' [/ k; z
. m7 e5 ^8 c9 W  X0 G7 z- K

7 }$ b& F9 Z" B3 P, o过孔:
2 l; }/ {# i  g5 f1. 孔大小4 J' f$ K) T  H! c  I
2. 孔壁厚度
5 W+ a2 e  ?! c' U. \7 D; v' a3. 孔pad大小2 _. [. P- \0 h0 v& U% ]: Q
4. 孔anti-pad大小
, Q. E/ g+ q& C0 ^+ ?# f, K$ T5. 地孔的数量、距离等
8 B- B5 f, n9 b- F) K2 z2 ]) {不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。
/ m! ^+ r8 W1 S# e- |. H5 c9 I& Z请参考:, h( Z. n: l: {. l; m+ H
8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15583)
4 {8 p9 X* ?6 U: rhttps://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html2 Z( L% d4 X- s8 k5 S# Z
https://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html+ N1 r1 k4 q5 ^: K2 A9 W6 a8 D. Q
https://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html
* A5 R2 b( Y0 j# T5 W4 n6 `% L8 T7 U

9 ?! o4 X. n8 {Substrate+PCB界面:" t/ Z/ T! w2 ^( [3 E+ c! g# {
1. Solder ball大小0 l2 ~( N1 H: x- Y. w% ]: }
2. Solder ball高度
5 h6 j9 Y, g" F. _3. Solder ball间距
. B0 O4 C( b$ E* d# a4. Solder ball S/P/G配置! f  H" d- ]! f+ n& P& K, A6 \  N' T
4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)
( ]- d+ ?0 m7 Y. @/ ]5 ^下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。0 `" J+ M* H5 ~. X3 V
& [4 F; m! t* @( H) ?  D

* M# m  i* s8 p+ g( b! ~+ {5 R0 g- {1 e
工艺:6 [' T& T! z% s9 N% x* L% n& p
表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。
  E# [: H/ E, v, o& T简单参考:, d7 D3 E$ J6 r& [4 E+ y+ h! C) r
https://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html& y. Z9 S' ~' m! \9 u% U' L
http://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html
8 V  S- y: |  h5 h) A7 q+ N 6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 99) & W1 ^2 s2 F  m' E3 m$ D

. `& X  t1 a( E. H# r5 h0 M材料:
- M1 K" A' x) U+ w! I* H1.  Substrate + PCB;* {. h2 M# S* O* w. @. c: O) S
2.  Mold compound;0 C9 h. e4 }3 z
基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。$ @4 S. p  r$ y
molding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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参与人数 1贡献 +5 收起 理由
honejing + 5 很给力!

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:47
1 @8 j; T) N7 _; a- e很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...

: e" {& B0 d9 K, ^/ N4 I/ e# ?射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。. r4 a3 ^" S& N9 d

8 i( x8 e3 i2 F7 D) nS/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。
/ I6 A" A% p+ |) n5 ~6 d! ^( ~

点评

你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59

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发表于 2015-6-3 11:18 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59  ?# t" O, Y7 P1 @$ N" C" ~
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!
' {' d: X/ `' \& C$ y- t
你好:
1 \0 G2 S6 d( Z6 Q# a% h& o7 e& J徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?
& T& n9 E0 O. [/ ?, D5 T

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:42: ?3 f, e( P# E' E4 D7 T  @* b
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...

9 d* c7 F) t6 @2 _+ @' }) V- W8 l7 H你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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3#
发表于 2014-4-18 16:22 | 只看该作者
楼主 好贴 顶

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5#
发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?
% I1 W" l6 u/ y9 }" K4 a, @

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6#
发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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7#
发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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8#
发表于 2014-11-12 00:07 | 只看该作者
楼主太给力了,点赞

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10#
发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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11#
发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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12#
发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向
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