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关于晶振的负载电容的布局

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1#
发表于 2014-1-21 10:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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Layout时 走线是先经过电容再到晶振 ,还是先经过晶振再到电容  ,请问这两种接法哪种比较好?

该用户从未签到

推荐
发表于 2014-1-21 11:15 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2014-1-21 11:21 编辑
0 Y& ?8 j+ r# Z* t- S! g4 c0 S. n4 l' w1 k6 C1 X
如「怕得久久」所言,走線不要太長應該影響不大。
! x4 M3 r) [$ m5 t% ]- J( s( |' w6 B! n5 s6 L5 W& |0 H
不過有些芯片資料有建議的元件擺放方式及走線方法,小的就貼出來給您參考一下!1 Z0 u0 h5 `" S
3 T' r) L7 @! j2 n
Atmel AT91 Series ARM Processor Crystal Layout Guide: ]8 k3 A9 C$ \
- i5 O+ _8 S9 C) n! r- R. S/ k( E

Atmel AT91 Series ARM Processor Crystal Layout Guide.jpg (72.83 KB, 下载次数: 11)

Atmel AT91 Series ARM Processor Crystal Layout Guide.jpg

点评

你太强了,  发表于 2014-3-7 09:43
也可以叫我”拍得奶奶“ >_>  发表于 2014-1-25 10:20

该用户从未签到

2#
发表于 2014-1-21 11:04 | 只看该作者
负载电容才十几p,画线的时候,手一抖就多了一点几p,爱放哪就放哪吧。

该用户从未签到

4#
发表于 2014-1-21 11:41 | 只看该作者
哈!放晶振後面的也有。" S2 q+ M7 w, g& k
6 \9 m5 x+ n. `6 h7 F* z: {/ n
TI MSP430 Crystal PCB Layout Guide& O, Z( s- d+ A( p$ V

3 r0 r9 F$ n" D) G% [8 [* C8 U- }

TI MSP430 Crystal Layout Guide.jpg (47.2 KB, 下载次数: 6)

TI MSP430 Crystal Layout Guide.jpg

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
到底哪个摆放最优,  发表于 2014-3-7 09:44
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-2-2 15:27
  • 签到天数: 79 天

    [LV.6]常住居民II

    5#
    发表于 2014-1-24 16:33 | 只看该作者
    我都是放在晶振和管脚之间....

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2014-1-28 10:23 | 只看该作者
    个人认为先电容后晶振比较好点。

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2014-2-8 23:35 | 只看该作者
    电容放后面是收到书上示意图的影响,放晶振与IC之间才是正确的

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2014-3-25 16:11 | 只看该作者
    一般是放在晶振与IC之间,并且尽量靠近晶振。

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2016-7-22 16:38 | 只看该作者
    这个问题有没有官方的标准勒,个人一直是放IC与晶振间,但最近硬件老大要求走线先到晶振再到电容,求解啊。。。
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