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本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
. C- a* h/ c' u4 C) ?' z
9 o- C( D2 G* z# p) t( O从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。! F7 r5 D; v# @( a6 k5 P @
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。: j/ T+ T; r6 C1 A7 i
此处:
: r# ^3 h' H# n! ?- ]TCO:由寄存器本身参数特性决定;
! S8 H, X' |1 Z9 j) O, S) KTCOM:主要由芯片layout时走线决定;% A U/ n3 {+ M1 D# @
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。' A. |0 A! b& s# s2 T3 H5 U
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。& U8 A# _) Q( i% T. \+ }' Y- O
对于地址网络,需要满足:
) Z2 Q: c1 Z/ x" I9 j ~/ y' {$ pmax delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
* L( y9 r! o# S8 l0 ^
- H% b/ a, O, M4 |! ], y对于数据网络,需要满足:+ U4 n! {$ M( f, I
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
# N1 v3 o: U4 p, R" P/ E; V/ d8 y
: c) ~- m6 o2 j6 X: a3 e- D上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。0 a: O7 {1 M5 v
/ b6 T2 `2 ~9 P5 F' q! U
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
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