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[仿真讨论] 以太网与DDR3差分匹配

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1#
发表于 2013-11-20 14:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示的2种差分阻抗方式中,关于电容的不同连接方式。请问这2种方式有什么不同吗?请大家给与指点。谢谢了

ehter.jpg (61.63 KB, 下载次数: 5)

这个是以太网的差分信号的匹配

这个是以太网的差分信号的匹配

ddr3.jpg (50.3 KB, 下载次数: 2)

这个是DDR3差分时钟的阻抗匹配

这个是DDR3差分时钟的阻抗匹配

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2#
发表于 2013-11-22 09:15 | 只看该作者
哈哈  谢谢分享

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3#
发表于 2013-11-22 15:17 | 只看该作者
应该第一个是交直流端接,第二个只是交流端接吧!!

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5#
发表于 2013-11-26 16:32 | 只看该作者
第一种电容主要是去电源噪声,第二种电容交流端接,主要是降低直流功耗。

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7#
 楼主| 发表于 2013-11-26 18:40 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-11-26 16:32( c6 R+ P$ Q" p- l; x
第一种电容主要是去电源噪声,第二种电容交流端接,主要是降低直流功耗。
3 M4 n3 u/ G, i( X2 M5 t
谢谢你的回答。请教下,第一种接法,上拉到VDD,如果下拉到GND,这两种效果一样吗?

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8#
发表于 2013-12-5 16:27 | 只看该作者
lcgjiangda 发表于 2013-11-26 18:40
1 J" n% L9 m9 c& [; ~7 G谢谢你的回答。请教下,第一种接法,上拉到VDD,如果下拉到GND,这两种效果一样吗?

2 C0 T/ B; Q# H1 z对于传输线阻抗匹配效果是一样的,但是直流偏置不一样

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9#
 楼主| 发表于 2014-1-21 09:32 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-12-5 16:27
, p8 |% b2 V1 r! g4 Y4 q对于传输线阻抗匹配效果是一样的,但是直流偏置不一样
. K; ^9 @1 C2 c: J+ c
非常感谢你的答疑。
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