减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
, y# _8 }2 h( V5 q) ^4 r/ D/ B* C2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
1 F) w, M6 Y. L+ V3 L* F8 n4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
2 y# p2 z( `7 Q9 {6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
6 p8 O( J' p  N! [  v12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
& P5 ]2 z" J  S$ A: C; j$ _/ ?13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
# r# d, a% \  f. }3 p0 A/ C14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
5 ~  `1 m7 Z. a  W# m& L16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
3 p4 d: n! }! ^0 `- i5 Z17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
( A6 @# R  o2 U0 H" t18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
20、在片内使用尽量大的去耦电容；
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
22、在I/O接口设计中使用差分对；

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

willyeing

高手出现。