减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
, ]: h% O: U0 |1 {3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
9 F6 v+ ?# o/ F  {( ]5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
3 E2 K4 B) G, }+ I( D, A" C) o1 r6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
/ T; C; J3 K/ [( q7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
$ Z+ X" s1 ^. o; G7 I8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
  e$ Q# U: h/ U/ u, i! l% s9 c11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
* l$ u3 F/ O) b% f) ~16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
! q" V- a1 ^9 w$ c18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
; |6 }$ z6 D* F! ^8 |7 w19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
: v6 `8 j) p2 l2 B# W20、在片内使用尽量大的去耦电容；
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
' `" k0 O5 z/ r* F' P22、在I/O接口设计中使用差分对；

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

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高手出现。