TA的每日心情 | 无聊 2022-12-27 15:01 |
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签到天数: 18 天 [LV.4]偶尔看看III
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1、减小电源和地路径的回路电感;4 r; Z8 |; A. V1 s0 D0 P
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;
! c" p5 ^6 v, M' x3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;
9 X. v6 w% C; H$ N5 {4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
8 X J" @( P2 H: m4 j9 B, K1 s5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;
3 `9 L6 \! h9 Y) m4 G6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;
' W' N: c& j! `9 I4 }& L7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;4 C% _8 H2 l6 J
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;
+ `1 N2 M+ o% _' B L! r, M9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;- x8 s/ S( a8 }( c8 m8 r
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;
/ X' e* c7 d. Y9 F2 t11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;% w6 G8 J7 K( B* ]/ h- a
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;, r: i. p4 ?# U/ S, m7 @; a- W! D
13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线; _8 ]6 g n3 \& I* c e; `
14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;9 ]& _0 }* q" g4 W: H5 U! b
16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;
9 N, E4 I2 r! r& b' L% y C17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件; S C' m2 D- ]5 p5 k
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;2 Z, I* |+ F1 A" p, K0 W- }
19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;
/ D f" y) c p20、在片内使用尽量大的去耦电容;
# A9 H. `8 g8 y) A& Q# D$ Z21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;" b9 ]$ L& ?5 M; B3 v$ v
22、在I/O接口设计中使用差分对; |
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