减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
/ z5 z7 o/ C7 {, m4 l. o5 @" P# O3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
7 L0 _7 I" s, _  S1 z$ b4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
: u7 U2 [: P* s9 a* a6 Y) w5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
4 b: q4 G' V4 f1 D6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
2 p+ M- t2 i0 T9 J, G1 H" v9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
; y  e) Y" F6 R1 ?9 E, R12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
. C& q$ h; `# u  T& r- a" d13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
' P! C. M- `8 c% I14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
! B( }1 U6 [1 ?. ~# g16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
  D! G5 `2 G+ G! U7 `  m3 [8 j20、在片内使用尽量大的去耦电容；
  R% Y/ o. r2 m/ r; w21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
% q/ R5 W3 [6 b  M9 [22、在I/O接口设计中使用差分对；

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

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高手出现。