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有关DDR3设计六层改四层

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1#
发表于 2013-9-9 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到DDR3设计,有2片DDR,为了节约成本,六层改四层,布线没有任何改动,都是走表层
. Y% K- T/ M) i2 ^6 v3 M叠层改变了,四层 top-gnd-power-bottom  六层 top-gnd-L-power-gnd-bottom 8 o% E# z7 v7 F& `8 l
data 高八位 打孔翻层; H$ A3 g; _8 X  M
data低8为,top层
! i+ E) \. T7 t* F! [$ Y# n; V8 c5 B. F& N0 I
仿真出来的眼图- S  q0 w7 t4 e/ t/ x6 o" a" W

6}M]I%UPVOBU4ARK}JY{XVX.jpg (136.42 KB, 下载次数: 13)

data眼图

data眼图

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2#
 楼主| 发表于 2013-9-9 11:33 | 只看该作者
分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

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3#
发表于 2013-9-15 12:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-9 11:33
, i! S% ?. V0 e; q分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

7 P, \. Y1 b( k2 B" N5 \有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。

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4#
发表于 2013-9-15 12:06 | 只看该作者
日月光也搞PCB设计?

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5#
 楼主| 发表于 2013-9-17 10:01 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:067 @( A5 |" u2 v, J0 H
日月光也搞PCB设计?
9 d, I2 B+ v7 [) H1 o
帮忙做SI/PI仿真

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6#
 楼主| 发表于 2013-9-17 10:04 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:05, J& {$ r' }: l/ _
有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。
8 {$ n# b7 f5 V/ A& o: o
间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面选GND比VDD好,GND相对稳定一些

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7#
发表于 2013-9-17 22:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-17 10:049 ]/ v  w! r. |6 [# o# z9 {
间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面 ...
2 l  _7 {( u! `( z  {
在信号的回流路径上,也要注意干扰。

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8#
发表于 2013-9-17 22:17 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-17 22:05! H/ S+ @  K( g5 w2 K
在信号的回流路径上,也要注意干扰。

* ~$ o# k4 L( E. C四层板啊,这些问题应该也比较好控制的。2 W8 D  C. i( I+ o" J: v

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9#
发表于 2014-1-23 14:52 | 只看该作者
撸主找到问题原因没有呢?求分享
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