PCB走线中的3W与20H原则

fairy0212

PCB走线中的3W与20H原则
( J; G. @: u2 C$ t, `
* K5 y5 ?# X5 f& H; }3W原则:
       这里3W是线与线之间的距离保持3倍线宽。你说3H也可以。但是这里H指的是线宽度。不是介质厚度。是为了减少线间串扰，应保证线间距足够大，如果线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的线间电场不互相干扰，称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。针对EMI
20H原则：
       是指电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC

James‘

线与线之间的距离保持3倍线宽，这个距离是指中心间距，还是线线的边沿间距呢？  当线与线中心间距大于3倍线宽时，70%线间电场不相互干扰，70%是什么参量，如何得出的？

James‘

20H是指20倍电地层的介质厚度。不知道楼主“若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。”中，70%和98%的参量是如何得出来的？是实际测量的出来的，还是仿真，或者计算？

liangkai520

3w就是两条线的间距是线宽的两倍
20H是电源层内缩地层
H表示电源层与地层的距离
! Z' S. Z; w1 A& M2 Y

chensc

James‘ 发表于 2013-7-30 16:52
线与线之间的距离保持3倍线宽，这个距离是指中心间距，还是线线的边沿间距呢？  当线与线中心间距大于3倍线 ...

9 c& [$ x; K% P+ ~* Z中心距

西柯一梦

( A5 a3 ^1 L+ w: t: i' C

chensc 发表于 2013-7-31 09:23
! ^/ L1 y+ J# I3 k! V中心距

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边到边！啊，姐姐！{:soso_e151:}

迷雾森林

" d# E6 j9 z% q* u' ~+ y原来如此，学习了。。。。。